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21. 发明公开

KR1020010083191A 자기 센서 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：磁传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010083191A
公开(公告)日：2001-08-31
申请号：KR1020010008387
申请日：2001-02-20
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 세야마요시히꼬 , 다나까아쓰시
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/332 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49025 , Y10T29/49032 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052 , Y10T29/49067 , Y10T29/49075 , Y10T29/49078
摘要： PURPOSE: To provide a magnetic sensor for achieving nearly accurate fine CPP structure that can be machined easily and can cope with desired output, while adopting the CPP structure for improving output. CONSTITUTION: A lower terminal layer 1, a magnetism detection film 2, and a cover film 3 are simultaneously subjected to pattern formation to nearly the same size, an opposing surface 1a of the magnetism detection film 2 of the lower terminal layer 1 is nearly superposed to the opposing surface 2a of the magnetism detection film 2 for matching, and a surface 7a that opposes the magnetism detection film 2 in an upper terminal layer 7 is smaller than an opposing surface 2b of the magnetism detection film 2 and moreover is formed into a shape which is included in the opposing surface 2b.
摘要翻译：目的：提供一种磁传感器，用于实现几乎精确的精细CPP结构，可以轻松加工，可以应付所需的输出，同时采用CPP结构提高输出。构成：下端子层1，磁检测膜2和覆盖膜3同时进行图案形成为几乎相同的尺寸，下端子层1的磁检测膜2的相对表面1a几乎重叠到磁性检测膜2的相对表面2a进行匹配，并且在上端子层7中与磁检测膜2相对的表面7a小于磁检测膜2的相对表面2b，并且形成为包括在相对表面2b中的形状。

22. 发明公开

KR1020010051656A 저응력 및 저저항인 로듐(Ｒｈ)리드 제조방법 失效
标题翻译：用于生产低应力和低电阻铅酸铅的方法
公开(公告)号：KR1020010051656A
公开(公告)日：2001-06-25
申请号：KR1020000067198
申请日：2000-11-13
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 피나르바시무스타파
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/3103 , G11B5/3109 , G11B5/3163 , G11B5/3173 , G11B5/3903 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49067
摘要： PURPOSE: A method for producing rhodium is provided to manufacture low stress and low resistance rhodium by diagonal ion beam sputtering and annealing. CONSTITUTION: The method for producing the rhodium(Rh) lead layer of a read sensor includes a 1st step in which a rhodium(Rh) lead layer is subjected to diagonal ion beam sputtering and a 2nd step in which annealing is carried out after the 1st step. Since the stress and resistance of the rhodium(Rh) lead layer are lowered by the method, the objective lead layer desirable for use in the sensor of a read head is provided.
摘要翻译：目的：提供生产铑的方法，通过对角离子束溅射和退火制备低应力和低电阻铑。构成：读取传感器的铑（Rh）引线层的制造方法包括对铑（Rh）引线层进行对角离子束溅射的第1工序和在第1工序之后进行退火的第2工序步。由于通过该方法降低了铑（Rh）引线层的应力和电阻，所以提供了用于读取头的传感器所需的目标引线层。

23. 发明公开

KR1020010030644A 정자기 안정화 소프트 근접층을 가진 오버레이 ＭＲ 구조 失效
标题翻译：具有静磁稳定软接近层的覆盖MR结构
公开(公告)号：KR1020010030644A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020007002994
申请日：1998-09-22
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 딩,주렌 , 슈,송,셍 , 페르난데즈데카스트로,쥬안 , 돌레즈씨,제임스 , 리얀,패트릭,조셉
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , Y10T29/49044
摘要： 본발명은근접접합구조와규칙적인오버레이구조의이점을조합한자기저항(MR) 센서(100)이다. 근접접합설계는소프트근접층(SAL)을사용하고오버레이구조는 MR 엘리멘트(120)를사용한다. MR 센서(100)를제조하는방법은갭층(106)의상부에 SAL(108)을증착하고 SAL(108)의상부에스페이서물질(110)을증착하는단계를포함한다. 마스트(130)는스페이서물질(110)과 SAL(108)의중앙영역위에위치한다. 스페이서물질(110)과 SAL(108)은마스크(130)로덮히지않은영역에서제거된다. 하층물질(112)은 SAL(108)과스페이서물질(110)이제거된영역에증착된다. 하드-바이어싱물질(114)은하층(112)의상부에증착된다. 마스크(130)는제거되고 MR 엘리멘트(120)는센서의능동영역(132)의스페이서물질(110)의상부와센서의수동영역(134,136)의하드-바이어싱물질(114)의상부에증착된다. 캡층(122)은 MR 센서(100)의능동(132) 및수동영역(134,136)의 MR 엘리멘트(120)의상부에증착된다. 접촉부(124)는센서의수동영역(134,136)의캡층(122)의상부에위치한다. 상기방법의다른실시예에서, 추가물질이하드-바이어싱물질(114)을분리하기위해첨가되며, 이에따라신호대 잡음비가개선된다. 저저항물질(116)은제 1 하드-바이어싱물질(114)에첨가되고제 2 하드-바이어싱물질(118)은저저항물질(116)의상부에증착된다. 추가물질은마스크(130)가제거되기전에증착된다. 일단마스크9130)가제거되면, MR 센서(100)는제 1 실시예에따라제조된다.

24. 发明公开

KR1020000028742A 박막자기헤드 및 그 제조방법 失效
标题翻译：薄膜磁头及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000028742A
公开(公告)日：2000-05-25
申请号：KR1019990041977
申请日：1999-09-30
申请人： 알프스 덴키 가부시키가이샤
发明人： 사또기요시
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/3133 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , Y10T29/49032 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49071 , Y10T29/49073
摘要： PURPOSE: A thin film magnetic head and a manufacturing method therefor are provided to excellently maintain an electric insulating state between an electrode layer and a shield layer by forming an insulating layer between the electrode layer and the shield layer. CONSTITUTION: A lower gap layer(21) formed by a non-magnetic material is formed on a lower shield layer(20). A magnetic resistance effecter(22) is formed on the lower gap layer(21). A multi-layer film(23) is formed on a center portion of the magnetic resistance effecter(22). A hard bias layer(24) and an electrode layer(25) are formed to both sides of the multi-layer(23). A upper gap layer(26) is formed on the multi-layer film(23) and the electrode layer(25). A upper shield layer(27) is formed on the upper gap layer(26). An insulating layer(28) is formed on the lower shield layer(20). The electrode layer(25) is formed on the insulating layer(28). The insulating layer(28) is not formed at a lower side of the multi-layer film(23).
摘要翻译：目的：提供薄膜磁头及其制造方法，通过在电极层和屏蔽层之间形成绝缘层，极好地保持电极层与屏蔽层之间的电绝缘状态。构成：在下屏蔽层（20）上形成由非磁性材料形成的下间隙层（21）。在下间隙层（21）上形成磁阻效应器（22）。多层膜（23）形成在磁阻效应器（22）的中心部分上。在多层（23）的两侧形成有硬偏压层（24）和电极层（25）。在多层膜（23）和电极层（25）上形成上间隙层（26）。在上间隙层（26）上形成有上屏蔽层（27）。绝缘层（28）形成在下屏蔽层（20）上。电极层（25）形成在绝缘层（28）上。绝缘层（28）不形成在多层膜（23）的下侧。

25. 发明公开

KR1020000011836A 스핀밸브형 박막소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：旋转阀型薄膜元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000011836A
公开(公告)日：2000-02-25
申请号：KR1019990029295
申请日：1999-07-20
申请人： 알프스 덴키 가부시키가이샤
发明人： 사이또마사미찌 , 하세가와나오야
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3951 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F41/304 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T29/49044 , Y10T29/49055 , Y10T29/49067
摘要： PURPOSE: A spin valve type thin film element is provided to increase an exchange coupling magnetic field by adjusting a film thickness of a pinned magnetic layer. CONSTITUTION: The spin valve type thin film element comprises: an antiferro-magnetic layer(11); a pinned magnetic layer formed adjacent to the antiferro-magnetic layer(11), wherein a ferri-state direction of the pinned magnetic layer is fixed by an exchange coupling magnetic field with the antiferro-magnetic layer; a free magnetic layer(16) formed to the pinned magnetic layer through a nonmagnetic electrically conductive layer(15), wherein a ferri-state direction of the free magnetic layer(16) is arranged in a direction intersected to the ferri-state direction of the pinned magnetic layer, wherein the pinned magnetic layer is divided in first and second pinned magnetic layers(12, 14) through the nonmagnetic interlayer; and wherein when the first pinned magnetic layer(12) is the pinned magnetic layer adjacent to the antiferro-magnetic layer(11) and the second pinned magnetic layer(14) is the pinned magnetic layer adjacent nonmagnetic electrically conductive layer(15), a film thickness of the first pinned magnetic layer/ a film thickness of the second pinned magnetic layer is in a range of 0.33 to 0.95 or of 1.05 to 4.
摘要翻译：目的：提供自旋阀型薄膜元件，通过调整被钉扎的磁性层的膜厚来增加交换耦合磁场。构成：自旋阀型薄膜元件包括：反铁磁层（11）; 与反铁磁性层（11）相邻形成的被钉扎磁性层，其中，所述钉扎磁性层的铁态方向通过与所述反铁磁层的交换耦合磁场固定; 通过非磁性导电层（15）形成到被钉扎的磁性层的自由磁性层（16），其中自由磁性层（16）的铁态方向被布置在与铁磁性层被钉扎的磁性层，其中被钉扎的磁性层通过非磁性中间层分成第一和第二固定磁性层（12,14）; 并且其中当所述第一钉扎磁性层（12）是与所述反铁磁层（11）相邻的被钉扎的磁性层，并且所述第二被钉扎的磁性层（14）是与所述非磁性导电层（15）相邻的被钉扎的磁性层时，第一钉扎磁性层的膜厚度/第二被钉扎磁性层的膜厚度在0.33〜0.95或1.05〜4的范围内。

26. 发明授权

KR100212386B1 박막 자기헤드내에 자극선단을 정렬시키는 방법 失效
标题翻译：用于在薄膜头上对准尖端的方法
公开(公告)号：KR100212386B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019900019604
申请日：1990-11-30
申请人： 시게이트 테크놀로지 인터내셔날
发明人： 우리코헨 , 누룰아민
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/3166 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 본 발명의 박막자기해독/기록헤드는 자극선단 정렬공정에서 다층 희생마스크를 사용하여 제조된다. 희생마스크는 상부자극선단상에 증착된 금속층을 포함한다. 연속적인 상부 희생마스크층은 니켈-철 합금 또는 포토레지스트를 포함한다. 이온밀링 정렬공정후에, 잔류 희생마스크층은 금속층이 박막자기헤드로부터 선택적으로 화학 에칭되는 공정을 사용하여 제거된다.

27. 发明公开

KR1020130105487A 자기 센서 제조 有权
标题翻译：磁传感器制造
公开(公告)号：KR1020130105487A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020130026714
申请日：2013-03-13
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 헤,칭 , 정,원준 , 코빙턴,윌리엄마크 , 키프,토마스마크 , 첸,용후아
IPC分类号： G01R33/09 , G01R33/00
CPC分类号： G01R33/0052 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3133 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
摘要： PURPOSE: A manufacture of a magnetic sensor is provided to increase the quality of sensor stacks by improving the tunneling magnetic resistance and the stability. CONSTITUTION: A clean wafer surface is etched using plasma etching or ion-beam etching technique (302). A seed layer is deposited on the etched wafer surface (304). The seed layer is annealed using an in-situ heat annealing process (306). A first free layer is deposited on the seed layer (308). A barrier layer is deposited (310). The in-situ rapid heat annealing of a barrier/spacer layer is performed (312). A second free layer is deposited on the annealed barrier/spacer layer (316). A cap layer is deposited on the top of the second free layer (318). The cap layer is annealed (320). [Reference numerals] (302) Etch a clean surface of a wafer; (304) Deposit a seed layer; (306) Anneal the seed layer; (308) Deposit a first free layer; (310) Deposit a barrier/spacer layer; (312) Anneal the barrier/spacer layer; (314) Apply a low-temperature cooling process; (316) Deposit a second free layer; (318) Deposit a cap layer; (320) Anneal the cap layer
摘要翻译：目的：提供磁传感器的制造，以通过改善隧道磁阻和稳定性来提高传感器堆叠的质量。构成：使用等离子体蚀刻或离子束蚀刻技术蚀刻干净的晶片表面（302）。种子层沉积在蚀刻的晶片表面（304）上。种子层使用原位热退火工艺进行退火（306）。第一自由层沉积在种子层（308）上。沉积阻挡层（310）。执行势垒/间隔层的原位快速热退火（312）。第二自由层沉积在退火的阻挡层/间隔层（316）上。盖层沉积在第二自由层（318）的顶部上。盖层退火（320）。（302）蚀刻晶片的清洁表面; （304）沉积种子层; （306）退火种子层; （308）沉积第一自由层; （310）沉积阻挡层/间隔层; （312）使阻挡层/间隔层退火; （314）应用低温冷却工艺; （316）沉积第二自由层; （318）沉积盖层; （320）退火盖层

28. 发明授权

KR100729685B1 자기 센서 失效
标题翻译：磁性传感器
公开(公告)号：KR100729685B1
公开(公告)日：2007-06-18
申请号：KR1020060023346
申请日：2006-03-14
申请人： 야마하 가부시키가이샤
发明人： 사또히데끼 , 아이소고끼찌 , 와꾸이유끼오
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/0005 , G01R33/09 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/304 , Y10T29/49034 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49052 , Y10T29/49067
摘要： 자기 센서는 사각형 형상을 갖는 석영 기판(2)에 형성된 GMR 소자(11 내지 14, 21 내지 24)를 형성하도록 서로 결합되는 영구 자석 필름(32)과 자기저항 소자(31)를 포함하며, 상기 영구 자석 필름은 쌍으로 이루어지며 자기저항 소자의 양단부에 연결되어 X축 자기 센서 및 Y축 자기 센서는 석영 기판의 4개의 측면에 대해 GMR 소자를 적절하게 배치시킴으로써 실현된다. 본 명세서에서, 자기저항 소자의 핀드층(PD)의 자화 방향은 자기저항 소자의 종방향 또는 영구 자석 필름의 자화 방향에 대해 45°의 소정의 각도로 형성한다. 따라서, 강한 자기장이 인가되는 경우에도 GMR 소자의 브릿지 연결부의 오프셋 변동을 신뢰할 만큼 억제할 수 있어, 강한 자기장에 대한 저항 특성을 현저히 개선시킬 수 있다.
자기 센서, 석영 기판, GMR 소자, 자기저항 소자, 영구 자석 필름
摘要翻译：该磁传感器包括彼此接合以形成在石英基板（2）上形成的GMR元件（11至14,21至24）的永磁膜（32）和磁阻元件（31）磁性膜被一对形成连接到磁阻元件的X轴磁传感器和Y轴磁传感器的两端通过向石英基板的四个侧面的GMR元件的正确定位得以实现。在本说明书中，钉扎层的磁致电阻元件45度的方向上的纵向或磁阻元件的永磁体膜的磁化方向的（PD）的磁化;以形成一个预定的角度。因此，即使施加强磁场，也能够可靠地抑制GMR元件的桥接部的偏移变动，能够显着提高强磁场的电阻特性。

29. 发明授权

KR100687549B1 자기 센서 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：磁传感器及其制造方法不同
公开(公告)号：KR100687549B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020010008387
申请日：2001-02-20
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 세야마요시히꼬 , 다나까아쓰시
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/332 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49025 , Y10T29/49032 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052 , Y10T29/49067 , Y10T29/49075 , Y10T29/49078
摘要： 본 발명은 출력 향상을 도모하기 위해 CPP 구조를 채용하여도, 가공이 용이하고, 소망하는 출력에 대응하도록 거의 정확하게 미소한 CPP 구조를 실현할 수 있는 자기 센서를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은 하부 단자층(1), 자기 감지막(2) 및 커버막(3)이 대략 동일한 사이즈로 동시에 패턴 형성되고, 하부 단자층(1)의 자기 감지막(2)과의 대향면(1a)이 자기 감지막(2)의 대향면(2a)과 거의 중첩되어 일치하며, 상부 단자층(7)은 그 자기 감지막(2)과의 대향면(7a)이 자기 감지막(2)의 대향면(2b)보다 작으면서 해당 대향면(2b)에 포함되는 형상으로 형성되어 있다.

30. 发明授权

KR100537576B1 자기 헤드와 그 제조 방법 및 하드 디스크 드라이브 失效
标题翻译：通过边框加工制作的NARROW WRITE HEAD POLE TIP
公开(公告)号：KR100537576B1
公开(公告)日：2005-12-20
申请号：KR1020037017209
申请日：2002-08-07
申请人： 에이취지에스티 네덜란드 비.브이.
发明人： 디난토마스 , 시아오리차드
IPC分类号： G11B5/147
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/012 , G11B5/3116 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/4906
摘要： 자기 헤드(magnetic head)는, P2 폴 팁 재료(pole tip material)가 P2 폴 팁의 포토리소그래피에 의한 트렌치의 측벽에 전기 도금되어 있는 P2 폴 팁을 포함한다. 이를 달성하기 위해서, 재료의 블록을 기록 갭층(write gap layer) 위에 증착하여, 재료 블록의 대개 직선형인 수직 측벽(sidewall)을 P2 폴 팁 위치에 배치되게 한다. 이후에, 측벽 위에 전기 도금 시드층을 증착한다. P2 폴 팁 트렌치 내에서 측벽이 그 위에 증착된 시드층과 함께 노출되도록, P2 폴 팁 트렌치를 포토리소그래피에 의해 제조한다. 이후에, 시드층 위 및 트렌치 내의 측벽에서 바깥쪽으로 폴 팁 재료를 전기 도금하는 것에 의해서 P2 폴 팁을 제조한다. 그러므로, P2 폴 팁의 폭은 측벽 위에 증착된 폴 팁 재료의 양에 의해서 결정된다.

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