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1. 发明授权

KR100729685B1 자기 센서 失效
标题翻译：磁性传感器
公开(公告)号：KR100729685B1
公开(公告)日：2007-06-18
申请号：KR1020060023346
申请日：2006-03-14
申请人： 야마하 가부시키가이샤
发明人： 사또히데끼 , 아이소고끼찌 , 와꾸이유끼오
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/0005 , G01R33/09 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/304 , Y10T29/49034 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49052 , Y10T29/49067
摘要： 자기 센서는 사각형 형상을 갖는 석영 기판(2)에 형성된 GMR 소자(11 내지 14, 21 내지 24)를 형성하도록 서로 결합되는 영구 자석 필름(32)과 자기저항 소자(31)를 포함하며, 상기 영구 자석 필름은 쌍으로 이루어지며 자기저항 소자의 양단부에 연결되어 X축 자기 센서 및 Y축 자기 센서는 석영 기판의 4개의 측면에 대해 GMR 소자를 적절하게 배치시킴으로써 실현된다. 본 명세서에서, 자기저항 소자의 핀드층(PD)의 자화 방향은 자기저항 소자의 종방향 또는 영구 자석 필름의 자화 방향에 대해 45°의 소정의 각도로 형성한다. 따라서, 강한 자기장이 인가되는 경우에도 GMR 소자의 브릿지 연결부의 오프셋 변동을 신뢰할 만큼 억제할 수 있어, 강한 자기장에 대한 저항 특성을 현저히 개선시킬 수 있다.
자기 센서, 석영 기판, GMR 소자, 자기저항 소자, 영구 자석 필름
摘要翻译：该磁传感器包括彼此接合以形成在石英基板（2）上形成的GMR元件（11至14,21至24）的永磁膜（32）和磁阻元件（31）磁性膜被一对形成连接到磁阻元件的X轴磁传感器和Y轴磁传感器的两端通过向石英基板的四个侧面的GMR元件的正确定位得以实现。在本说明书中，钉扎层的磁致电阻元件45度的方向上的纵向或磁阻元件的永磁体膜的磁化方向的（PD）的磁化;以形成一个预定的角度。因此，即使施加强磁场，也能够可靠地抑制GMR元件的桥接部的偏移变动，能够显着提高强磁场的电阻特性。

2. 发明授权

KR100687549B1 자기 센서 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：磁传感器及其制造方法不同
公开(公告)号：KR100687549B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020010008387
申请日：2001-02-20
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 세야마요시히꼬 , 다나까아쓰시
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/332 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49025 , Y10T29/49032 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052 , Y10T29/49067 , Y10T29/49075 , Y10T29/49078
摘要： 본 발명은 출력 향상을 도모하기 위해 CPP 구조를 채용하여도, 가공이 용이하고, 소망하는 출력에 대응하도록 거의 정확하게 미소한 CPP 구조를 실현할 수 있는 자기 센서를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은 하부 단자층(1), 자기 감지막(2) 및 커버막(3)이 대략 동일한 사이즈로 동시에 패턴 형성되고, 하부 단자층(1)의 자기 감지막(2)과의 대향면(1a)이 자기 감지막(2)의 대향면(2a)과 거의 중첩되어 일치하며, 상부 단자층(7)은 그 자기 감지막(2)과의 대향면(7a)이 자기 감지막(2)의 대향면(2b)보다 작으면서 해당 대향면(2b)에 포함되는 형상으로 형성되어 있다.

3. 发明授权

KR1019920003998B1 적층자성체와 이의 제조방법 失效
标题翻译：卷起磁铁及其制作方法
公开(公告)号：KR1019920003998B1
公开(公告)日：1992-05-21
申请号：KR1019890015733
申请日：1989-10-31
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 히로다겐 , 사도미미쓰오 , 구기미야고오이찌
IPC分类号： H01F1/04
CPC分类号： G11B5/153 , G11B5/133 , G11B5/147 , H01F1/14791 , H01F41/0213 , Y10S428/90 , Y10S428/906 , Y10T29/49043 , Y10T29/49067 , Y10T428/31678
摘要： 내용 없음.

4. 发明授权

KR100624614B1 자기 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：磁传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100624614B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020030071671
申请日：2003-10-15
申请人： 야마하 가부시키가이샤
发明人： 사또히데끼 , 아이소고끼찌 , 와꾸이유끼오
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/0005 , G01R33/09 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/304 , Y10T29/49034 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49052 , Y10T29/49067
摘要： 자기 센서는 사각형 형상을 갖는 석영 기판(2)에 형성된 GMR 소자(11 내지 14, 21 내지 24)를 형성하도록 서로 결합되는 영구 자석 필름(32)과 자기저항 소자(31)를 포함하며, 상기 영구 자석 필름은 쌍으로 이루어지며 자기저항 소자의 양단부에 연결되어 X축 자기 센서 및 Y축 자기 센서는 석영 기판의 4개의 측면에 대해 GMR 소자를 적절하게 배치시킴으로써 실현된다. 본 명세서에서, 자기저항 소자의 핀드층(PD)의 자화 방향은 자기저항 소자의 종방향 또는 영구 자석 필름의 자화 방향에 대해 45°의 소정의 각도로 형성한다. 따라서, 강한 자기장이 인가되는 경우에도 GMR 소자의 브릿지 연결부의 오프셋 변동을 신뢰할 만큼 억제할 수 있어, 강한 자기장에 대한 저항 특성을 현저히 개선시킬 수 있다.
자기 센서, 석영 기판, GMR 소자, 자기저항 소자, 영구 자석 필름

5. 发明公开

KR1020040034459A 자기 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：控制GMR元件可靠偏置变化的磁传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040034459A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：KR1020030071671
申请日：2003-10-15
申请人： 야마하 가부시키가이샤
发明人： 사또히데끼 , 아이소고끼찌 , 와꾸이유끼오
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/0005 , G01R33/09 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/304 , Y10T29/49034 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49052 , Y10T29/49067
摘要： PURPOSE: A magnetic sensor and a manufacturing method thereof are provided to control reliably off-set variations of a bridge connection in a GMR(Giant MagnetoResistive) element regardless of the influence of an intense magnetic field by arranging a magnetization direction of a pinned layer in the element to be a predetermined angle on a longitudinal direction of the element. CONSTITUTION: A magnetic sensor(1) includes a substrate(2) and a plurality of GMR elements. Each GMR element includes at least one magnetoresistive element(31) on the substrate and a pair of permanent magnetic films(32) connected to both ends of the magnetoresistive element. The pair of permanent magnetic films is used for detecting a magnitude of an external magnetic field based on the influence of magnetoresistiveness on the magnetoresistive element. A magnetization direction of a pinned layer in the magnetoresistive element has 45 degrees on a longitudinal direction of the magnetoresistive element.
摘要翻译：目的：提供一种磁传感器及其制造方法，以通过将被钉扎层的磁化方向布置在其中来控制GMR（巨磁电阻）元件中的桥连接的可靠偏移变化，而不管强磁场的影响如何所述元件在所述元件的纵向方向上成为预定角度。构成：磁传感器（1）包括基板（2）和多个GMR元件。每个GMR元件在衬底上包括至少一个磁阻元件（31）和连接到磁阻元件的两端的一对永久磁性膜（32）。这对永久磁性膜用于根据磁阻对磁阻元件的影响来检测外部磁场的大小。磁阻元件中的钉扎层的磁化方向在磁阻元件的纵向方向上具有45度。

6. 发明授权

KR100248368B1 반전식 자기저항 헤드 제조 방법 失效
标题翻译：制造电磁波头的方法
公开(公告)号：KR100248368B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019960020228
申请日：1996-06-07
申请人： 시게이트 테크놀로지, 인코포레이티드
发明人： 알란이.슐츠 , 프랭크이.스타게베르그 , 케네쓰피.애쉬 , 브리이언에스.자크
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/3967 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , Y10T29/49034 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49067
摘要： 반전식 자기저항 헤드를 제조하는 방법이 기술되었다. 상기 방법은 기입부를 제조하는 단계를 포함한다. 기입부는 리세스된 기판내에 위치설정된 하부 극을 포함한다. 하부 극은 동 코일 및 중합체로 채워진다. 기입부 갭, 극 선단, 및 상부 극/하부 실드는 중합체의 일부에 형성된다. 기입부 갭 및 중합체의 상면은 위로 판독부가 놓여질 수 있게 매끄러운 면을 제공하기 위하여 평탄화된다. 판독부는 기입부의 위에 형성되며, 제1 판독부 갭, 자기저항 엘리먼트, 제2판독부 갭, 및 실드를 포함한다.

7. 发明公开

KR1020000011837A 스핀밸브형 박막소자 및 그를 이용한 박막자기헤드 失效
标题翻译：旋转阀类型薄膜元件和薄膜磁头使用它
公开(公告)号：KR1020000011837A
公开(公告)日：2000-02-25
申请号：KR1019990029298
申请日：1999-07-20
申请人： 알프스 덴키 가부시키가이샤
发明人： 사이또마사미찌 , 하세가와나오야
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3951 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F41/304 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T29/49044 , Y10T29/49055 , Y10T29/49067
摘要： PURPOSE: A spin valve-type thin film element and thin film magnetic head using thereof is provided to improve material of antiferro-magnetic layer. CONSTITUTION: The spin valve-type thin film element is comprises a antiferro-magnetic layer, a pinned magnetic layer connected to the antiferro-magnetic layer and to fix magnetization direction by interchange combination magnetization, and a free magnetic layer formed via a nonmagnetic electrically conductive layer and to sort a magnetization in a cross direction with the magnetization direction of the pinned magnetic layer. An electrical resistor is detected according to connection with a pinned magnetization of the pinned magnetic layer and a fluctuations magnetization of the free magnetic layer.
摘要翻译：目的：提供一种自旋阀型薄膜元件和使用其的薄膜磁头来改善反铁磁层的材料。构成：自旋阀型薄膜元件包括反铁磁层，与反铁磁层连接的钉扎磁性层，并通过交换组合磁化固定磁化方向，以及通过非磁性导电形成的自由磁性层并且在与被钉扎的磁性层的磁化方向的交叉方向上分类磁化。根据与钉扎磁性层的钉扎磁化和自由磁性层的磁化强度的关系，检测电阻。

8. 发明授权

KR100376744B1 저응력 및 저저항인 로듐(Ｒｈ)리드 제조방법 失效
标题翻译： Rh응력저저항인로듐（Rh）리드제조방법
公开(公告)号：KR100376744B1
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：KR1020000067198
申请日：2000-11-13
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 피나르바시무스타파
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/3103 , G11B5/3109 , G11B5/3163 , G11B5/3173 , G11B5/3903 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49067
摘要： A method of making rhodium (Rh) lead layers for a read sensor comprises a first step of obliquely ion beam sputtering the rhodium (Rh) lead layer followed by a second step of annealing. This method results in rhodium (Rh) lead layers which have reduced stress and less resistance, making them highly desirable for lead layers of a sensor in a read head.
摘要翻译：一种制造用于读取传感器的铑（Rh）引线层的方法包括斜向离子束溅射铑（Rh）引线层然后进行第二步退火的第一步骤。该方法产生铑（Rh）铅层，其具有降低的应力和较小的电阻，使得它们非常适用于读取头中的传感器的铅层。

9. 发明授权

KR100126289B1 자기 헤드 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：磁头及其制造方法
公开(公告)号：KR100126289B1
公开(公告)日：1997-12-26
申请号：KR1019890001417
申请日：1989-02-08
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 이노가즈오 , 시미즈요시아끼 , 오꾸다히로유끼 , 이시하라고소 , 오구라다까시
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/127 , G11B5/1871 , Y10T29/49046 , Y10T29/49057 , Y10T29/49067
摘要： 없음

10. 发明授权

KR1019940007574B1 자기헤드용 코아 및 제조방법 无效
标题翻译：磁头芯和制造方法
公开(公告)号：KR1019940007574B1
公开(公告)日：1994-08-20
申请号：KR1019840008379
申请日：1984-12-26
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 마쓰자와소이찌로오
IPC分类号： G11B5/17 , H01F10/08
CPC分类号： G11B5/133 , G11B5/193 , G11B5/232 , Y10T29/49034 , Y10T29/49048 , Y10T29/49055 , Y10T29/49067
摘要： 내용 없음.

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