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21. 发明公开

KR1020060132845A 정전류 회로 및 그 정전류 회로를 사용한 시스템 전원 장치 有权
标题翻译：使用本恒流电路的恒定电流和系统电源
公开(公告)号：KR1020060132845A
公开(公告)日：2006-12-22
申请号：KR1020067011187
申请日：2005-09-26
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 노다입페이
IPC分类号： G05F3/24
CPC分类号： G05F3/262 , G05F3/30 , H03F1/30 , H03F1/301 , H03F3/347 , H03F3/45475 , H03F2200/366 , H03F2200/447 , H03F2203/45136
摘要： This invention relates to a constant current circuit which generates stable currents to operational amplification circuits in order to reduce variations caused by manufacturing processes and the temperature. It involves a reference current circuit comprising two PMOS transistors (M1, M2), two PNP transistors (Q1,Q2), an operational amplification circuit (AMP) which controls the drain voltages of the PMOS transistors, and a resistor (R1).
摘要翻译：本发明涉及一种恒定电流电路，其产生稳定的电流到操作放大电路，以便减少由制造工艺和温度引起的变化。它包括一个参考电流电路，包括两个PMOS晶体管（M1，M2），两个PNP晶体管（Q1，Q2），一个控制PMOS晶体管的漏极电压的运算放大电路（AMP）和一个电阻（R1）。

22. 发明授权

KR100538285B1 반도체 집적 회로 失效
标题翻译：半导体集成电路
公开(公告)号：KR100538285B1
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：KR1020000078677
申请日：2000-12-19
申请人： 세미콘덕터 테크놀로지 아카데믹 리서치 센터
发明人： 와다가즈유키 , 다카기시게타카 , 후지이노부오
IPC分类号： H03F3/213
CPC分类号： H03F3/45192 , H03F1/301 , H03F3/45475 , H03F2200/513 , H03F2203/45028 , H03F2203/45138
摘要： 반도체 집적 회로는 전류 출력 증폭기를 포함하는 증폭 회로, 상기 전류 출력 증폭기의 출력단에 연결되는 제1 단을 갖는 부하 저항, 상기 부하 저항의 제1 단에 연결되는 입력단과 상기 부하 저항의 제2 단에 연결되는 출력단을 갖는 전압 제어 회로를 포함한다. 상기 증폭 회로의 입력단은 상기 전류 출력 증폭기의 입력단으로 제공되고, 상기 증폭 회로의 출력단은 상기 전류 출력 증폭기의 출력단으로 제공된다.

23. 发明公开

KR1020050075391A 데시벨 단위의 선형 이득 제어 특성을 갖는 연속적인 가변이득 무선 주파수 구동기 증폭기 无效
标题翻译：连续可变增益无线电频率放大器具有线性增益控制特性
公开(公告)号：KR1020050075391A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：KR1020057008400
申请日：2003-11-12
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 바넷케네스 , 워커브렛씨 , 가드케빈
IPC分类号： H03G3/30 , H03G7/06 , H03F1/30
CPC分类号： H04B5/00 , H03F1/301 , H03G1/04 , H03G3/3036 , H03G3/3042 , H03G7/001
摘要： A radio frequency (RF) driver amplifier system and method that provides linear in decibel gain control is provided. The RF driver amplifier system comprises a linear transconductor receiving an input voltage and providing a controlled current based on input voltage received, temperature compensation circuitry for varying current from the linear transconductor according to absolute temperature, an exponential current controller receiving current varied according to temperature and providing an exponential current in response, and an inductive degeneration compensator receiving exponential current and providing a control current to driver amplifier circuitry, thereby compensating for inductive degeneration due to at least one inductor in the driver amplifier circuitry. Control current passes from the inductive degeneration compensator to the driver amplifier circuitry. Output gain from the driver amplifier circuitry varies linearly in decibels with respect to the input voltage.
摘要翻译：提供了提供线性分贝增益控制的射频（RF）驱动放大器系统和方法。 RF驱动放大器系统包括接收输入电压并基于接收的输入电压提供受控电流的线性跨导器，根据绝对温度改变来自线性跨导器的电流的温度补偿电路，接收根据温度变化的电流的指数电流控制器，以及提供响应的指数电流，以及感应退化补偿器，其接收指数电流并向驱动器放大器电路提供控制电流，由此补偿由于驱动器放大器电路中的至少一个电感器引起的电感退化。控制电流从感应退化补偿器传递到驱动器放大器电路。驱动放大器电路的输出增益相对于输入电压以分贝线性变化。

24. 发明公开

KR1020040028963A 능동 바이어스 회로 有权
标题翻译： 능동바이어스회로
公开(公告)号：KR1020040028963A
公开(公告)日：2004-04-03
申请号：KR1020047001462
申请日：2002-06-26
申请人： 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드
发明人： 쉬,처밍,데이비드
IPC分类号： H04B1/40
CPC分类号： H03F1/301
摘要： 전력 증폭기(PA)에 접속된 능동 바이어스 회로(30)는 넓은 온도 범위에 걸쳐 전력 증폭기의 DC 영입력(quiescent) 전류를 일정한 값으로 유지한다. 능동 바이어스 회로(30)는 제1 및 제2 전류미러 회로들(32, 34)를 포함한다. 전력 증폭기(PA)는 제2 전류미러 회로(34)의 요소이다. 온도 보상 회로(42)는 온도 보상을 제공하기 위해 제1 전류미러 회로(32)에 접속된다. 제1 기준 전압원은 제1 기준전압(Vref)를 제1 전류미러 회로(32)에 제공하기 위해 온도 보상 회로(42)에 의해 제1 전류미러 회로(32)에 접속된다. 전류싱크(36)는 제1 전류미러 회로(32)의 트랜지스터에 접속되고 전압원 조정 회로(38)는 제1 전류미러 회로(32)에 제공되는 전압을 설정하기 위해 제1 전류미러 회로(32)에 접속된다.
摘要翻译：连接到功率放大器PA的有源偏置电路30在宽温度范围内将功率放大器DC静态电流保持在固定值。有源偏置电路30包括第一和第二电流镜像电路32,34。功率放大器PA是第二电流镜像电路34的元件。温度补偿电路42连接到第一电流镜像电路32，用于提供温度补偿。第一参考电压源通过温度补偿电路42连接到第一电流镜像电路32，用于向第一电流镜像电路32提供第一参考电压Vref。电流阱36连接到第一电流镜像电路32和电压源调整电路38连接到第一电流镜像电路32，用于设置提供给第一电流镜像电路32的电压。

25. 发明公开

KR1020030029891A 모놀리식 마이크로파 집적 회로용 보조 회로 有权
标题翻译： 모놀리식마이크로파집적회로용보조회로
公开(公告)号：KR1020030029891A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：KR1020037003027
申请日：2002-06-13
申请人： 레이던 컴퍼니
发明人： 맥파틀린,마이클 , 디팔코,존,에이.
IPC分类号： H03F3/195
CPC分类号： H03F1/302 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H03F1/301 , H03F3/191 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/345 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 두 개의 다른 단결정 반도체 기판을 가지는 증폭기에 관한 것이다. 기판 중 제 1 기판은 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 적어도 하나의 입력 신호 증폭 소자가 위에 형성되어 있다. 제 2 기판은 제 1 기판의 재료와 다른 재료로 이루어져 있다. 전류 미러는 일부분은 상기 제 1 기판 위에 형성된 바이폴라 소자이고 또 다른 부분은 상기 제 2 기판 위에 형성된 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터를 가지는 전기적으로 상호접속된 다수의 능동소자들을 구비한다. 제 1 단결정 기판은 Ⅲ-Ⅳ 물질로 이루어지고 제 2 단결정 반도체 기판은 실리콘으로 이루어져 있다. 바이폴라 소자는 HBT이다. 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터는 MOS 소자이다. 상기 구성은 트랜지스터 동작 전류에 치명적인 온도, 전압 및 프로세스 변화의 효과를 최소화한다.
摘要翻译：具有两个不同单晶半导体衬底的放大器。第一个衬底上形成有至少一个输入信号放大装置，该装置包括双极晶体管。第二个衬底是与第一衬底的材料不同的材料。包括当前的镜子。电流镜包括多个电互连的有源器件，器件的一部分是形成在第一衬底上的双极器件，另一部分有源器件包括形成在第二衬底上的绝缘栅场效应晶体管。第一单晶衬底是III-V族材料，而第二单晶衬底是硅。双极型器件是HBT。绝缘栅场效应晶体管是MOS器件。这种配置可最大限度地降低温度，电压和工艺变化对关键晶体管工作电流的影响。

26. 发明公开

KR1020020081058A 반도체 집적 회로 失效
标题翻译：半导体集成电路
公开(公告)号：KR1020020081058A
公开(公告)日：2002-10-26
申请号：KR1020020015811
申请日：2002-03-23
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 우치키히데키 , 곤도하루후사
IPC分类号： H03K19/0175
CPC分类号： H03F1/301 , H03F3/45704
摘要： PURPOSE: To provide a semiconductor integrated circuit capable of outputting a signal whose level changes in response to an input signal even though the input common level of the input signal fluctuates. CONSTITUTION: This semiconductor integrated circuit is provided with a transistor MP1 for making current flow to a node N1 from a power supply voltage VDD, a transistor MP2 for making current flow to a ground voltage GND from the node N1, an inverter IN1 for driving the node N1 in response to the input signal, and an inverter IN3 for driving a node N2 in response to the voltage of the node N1.
摘要翻译：目的：提供一种半导体集成电路，即使输入信号的输入公共电平波动，也能够输出其电平随输入信号而变化的信号。构成：该半导体集成电路配备有从电源电压VDD向节点N1流动的晶体管MP1，用于从节点N1向地电压GND流动的晶体管MP2，用于驱动响应于输入信号的节点N1，以及用于响应节点N1的电压驱动节点N2的反相器IN3。

27. 发明公开

KR1020020001526A 무선 주파수 증폭기용 능동 바이어스 네트워크 회로 有权
标题翻译：用于无线电频率放大器的主动偏置网络电路
公开(公告)号：KR1020020001526A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1020010032254
申请日：2001-06-09
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 안토그네티,필립 , 그리피스,짐 , 헬름스,데이비드 , 모니즈,제임스 , 문로,스코트 , 파크,조수아 , 스투에빙,칼 , 장,시앙동
IPC分类号： H03F3/68
CPC分类号： G05F1/565 , H03F1/301 , H03F3/345
摘要： PURPOSE: An active bias network circuit is provided to prevent generation of spurious radiation components by significantly reducing baseband signal transmission from a power amplifier to the bias network circuit. CONSTITUTION: A band gap circuit, which provides a stable voltage reference over temperature and battery supply voltage variations, output voltage is applied to a reference resistor(25). A current mirror circuit(30), having two field effect transistors(27) and(26), generates a reference current Iref1 through the reference resistor(25). The common source connections of the current mirror transistors(27) and(26), and one end of the reference resistor(25), are connected to the battery supply voltage. The current mirror produces a current Iref2 which is proportional to the current Iref1 through the reference resistor(25). The Iref2 current in a conventional current mirror circuit is proportional to the size of the transistors(26) and(27). A reference voltage circuit(34) produces a reference voltage from the current Iref2. The reference voltage circuit(34) includes two bipolar transistors(32) and(33). Transistor(32) has a collector connected to the base of transistor(33). A supply voltage of the telephone is applied across the collector of transistor(33) and emitter of transistor(32). Reference voltage circuit(34) produces a voltage which is controlled by Iref2, which is in turn set by the band gap voltage across the reference resistor(25). As the temperature often changes, the voltage produced from the reference voltage circuit(34) changes to complement changes in the base-emitter junction voltage of the transistor(42) of the power amplification stage(12).
摘要翻译：目的：提供有源偏置网络电路，以通过显着降低从功率放大器到偏置网络电路的基带信号传输来防止杂散辐射分量的产生。构成：提供稳定的基准电压基准温度和电池电源电压变化的带隙电路施加到参考电阻（25）上。具有两个场效应晶体管（27）和（26）的电流镜电路（30）通过参考电阻（25）产生参考电流Iref1。电流镜晶体管（27）和（26）以及参考电阻（25）的一端的公共源极连接与电池电源电压相连。电流镜产生电流Iref2，其通过参考电阻器（25）与电流Iref1成比例。常规电流镜电路中的Iref2电流与晶体管（26）和（27）的尺寸成比例。参考电压电路（34）从电流Iref2产生参考电压。参考电压电路（34）包括两个双极晶体管（32）和（33）。晶体管（32）具有连接到晶体管（33）的基极的集电极。电话的电源电压施加在晶体管（33）的集电极和晶体管（32）的发射极两端。参考电压电路（34）产生由Iref2控制的电压，Iref2又由参考电阻（25）两端的带隙电压设定。随着温度经常变化，从参考电压电路（34）产生的电压变化以补充功率放大级（12）的晶体管（42）的基极 - 发射极结电压的变化。

28. 发明公开

KR1020010050332A 고주파 전력증폭기 모듈 및 무선통신장치 有权
标题翻译：高频功率放大器模块和无线电通信设备
公开(公告)号：KR1020010050332A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1020000052139
申请日：2000-09-04
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 , 히타치 토부 세미콘덕터 가부시키가이샤
发明人： 후지오카토루 , 마츠나가요시쿠니 , 요시다이사오 , 모리카와마사토시 , 홋타마사오 , 아다치테츠아키
IPC分类号： H04B1/18
CPC分类号： H03F1/301 , H03G3/3042
摘要： PURPOSE: To provide a high frequency power amplifier module improved in controllability of output. CONSTITUTION: Concerning the radio communication equipment with integrated high frequency power amplifier module in multistage configuration serially connecting plural MOSFET, for a gate voltage corresponding to a control voltage Vapc generated on the basis of a power control signal from the main body of radio communication equipment, a bias means is provided for reducing output power fluctuation in respect to the control voltage Vapc in the area close to a threshold voltage Vth of respective MOSFET for amplification so that the controllability of output power can be improved. For example, a gate bias circuit is provided for setting the change of the gate voltage Vg supplied to a control terminal corresponding to Vapc to be great in the area lower than the threshold voltage Vth of the respective MOSFET, to be small near the Vth and to be a gate voltage, with which desired characteristics can be provided, in the area of the high voltage from the area close to the Vth.
摘要翻译：目的：提供高频功率放大器模块，提高输出的可控性。构成：关于具有多级配置的集成式高频功率放大器模块的无线电通信设备，串联连接多个MOSFET，对于与基于来自无线电通信设备的主体的功率控制信号生成的控制电压Vapc相对应的栅极电压，提供了一种偏置装置，用于在接近用于放大的各个MOSFET的阈值电压Vth的区域中减小关于控制电压Vapc的输出功率波动，从而可以提高输出功率的可控性。例如，提供栅极偏置电路，用于将提供给对应于Vapc的控制端子的栅极电压Vg的变化设定为在相应MOSFET的阈值电压Vth以下的区域中变大，在Vth附近变小，在接近Vth的区域的高电压区域中，成为可以提供期望特性的栅极电压。

29. 发明公开

KR20180013689A 증폭 회로 有权
标题翻译：功率放大电路
公开(公告)号：KR20180013689A
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：KR20170051029
申请日：2017-04-20
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 타베이마코토 , 와타나베다이스케
IPC分类号： H03F1/30 , H03F1/22
CPC分类号： H03G1/0035 , H03F1/223 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/387
摘要： [과제] 증폭회로의게인을온도에따라조정한다. [해결수단] 입력신호를증폭해서증폭신호를출력하는증폭회로로서, 출력단자로부터증폭신호를출력하는증폭소자와, 일단에전원전압이공급되고, 타단이증폭소자의출력단자와접속되는인덕터와, 인덕터와병렬로접속되는가변저항기와, 온도에따라가변저항기의저항값을조정하는저항값조정회로를구비한다.
摘要翻译：提供了放大输入信号并输出放大信号的放大电路。放大电路包括：放大元件，其从其输出端输出放大信号; 电感器，其一端供给电源电压，另一端与所述放大元件的输出端子连接; 与电感器并联连接的可变电阻器; 以及电阻值调整电路，其根据温度来调整可变电阻器的电阻值。

30. 发明公开

KR1020170113200A 전류 재이용형 전계 효과 트랜지스터 증폭기 审中-实审
标题翻译：电流消除场效应晶体管放大器
公开(公告)号：KR1020170113200A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170036705
申请日：2017-03-23
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 츠카하라요시히로
IPC分类号： H03F1/02 , H03F3/193 , H03F3/21
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/0211 , H03F1/301 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/411 , H03F2200/451
摘要： 본발명은디플리션모드의전계효과트랜지스터(FET)를이용한전류재이용형 FET 증폭기에서의바이어스전류제어에관한것이다. 본발명에따른전류재이용형 FET 증폭기는제 1 소스, 제 1 게이트및 제 1 드레인을갖는제 1 FET와, 제 1 소스와접지용단자사이에접속된제 1 저항과, 제 2 소스, 제 1 드레인에접속된제 2 게이트, 및전원용단자에접속된제 2 드레인을갖는제 2 FET와, 제 1 소스와접지용단자사이에마련된제 1 저항과, 제 2 소스와제 2 게이트사이에마련된제 2 저항과, 포화전류모니터용의제 3 FET를구비하며, 제 3 FET의포화전류변화에따른전압이제 1 게이트에인가되는바이어스전류제어기구를구비한다.
摘要翻译：发明背景发明领域本发明涉及使用耗尽型场效应晶体管（FET）的电流可重复使用的FET放大器中的偏置电流控制。根据本发明的电流阻抗FET放大器包括：具有第一源极，第一栅极和第一漏极的第一FET;连接在第一源极和接地端子之间的第一电阻器; 第二FET，具有连接到漏极的第二栅极和连接到电源端子的第二漏极，设置在第一源极和接地端子之间的第一电阻器以及设置在第二源极和第二栅极之间的第二电阻器， 2电阻器和用于饱和电流监视器的第三FET，并且具有根据第三FET的饱和电流变化施加到电压1的栅极的偏置电流控制机制。

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