专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100679549B1 고주파 전력증폭기 모듈 및 무선통신장치 有权
标题翻译：高频功率放大模块和无线通信设备
公开(公告)号：KR100679549B1
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020000052139
申请日：2000-09-04
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 , 히타치 토부 세미콘덕터 가부시키가이샤
发明人： 후지오카토루 , 마츠나가요시쿠니 , 요시다이사오 , 모리카와마사토시 , 홋타마사오 , 아다치테츠아키
IPC分类号： H04B1/18
CPC分类号： H03F1/301 , H03G3/3042
摘要： 출력의 제어성에 우수한 고주파 전력증폭 모듈의 제공하며,
복수의 MOSFET를 종속 접속한 다단 구성의 고주파 전력증폭 모듈을 삽입한 무선통신장치에 있어서, 무선통신장치 본체의 파워 컨트롤신호에 기초하여 생성되는 컨트롤전압(Vapc)에 따른 게이트전압이 증폭용 각단 MOSFET의 문턱치전압(Vth) 부근의 영역에서, 컨트롤전압(Vapc)에 대한 출력파워 변동이 작게 되는 바이어스 패턴을 가지는 바이어스회로를 구비한다. 그것에 의해 출력파워의 제어성(컨트롤성)을 향상한다.
보다 구체적으로는 전력증폭 모듈은 Vapc에 대한 제어단자에 공급되는 게이트전압(Vg)의 변화를 게이트전압(Vg)이 각 MOSFET의 문턱치전압(Vth)보다 낮은 영역에서는 크고, Vth 근방에서는 작으며, 또한 Vth 근방에서 Vapc 전압이 높은 영역에서는 소망의 특성이 얻어지는 게이트전압 패턴을 생성하는 게이트 바이어스회로를 포함한다.

고주파 전력증폭 모듈, 무선통신장치. MOSFET,
摘要翻译：提供了一种用于提高输出可控性的高频功率放大器模块。无线通信装置将包括多个级联MOSFET的多级配置的高频功率放大器模块结合在一起。功率放大器模块包括用于响应于基于无线通信设备的功率控制信号产生的功率控制电压（vapc）产生栅极电压的偏置电路。栅极电压具有偏置图案，其响应于在各个放大级中的MOSFET的阈值电压（Vth）附近的区域中的控制电压（Vapc），输出功率的波动较小。以这种方式，提高了输出功率的可控性。更具体地，功率放大器模块具有用于产生跟随栅极电压图案的栅极电压（Vg）的栅极偏置电路。响应于控制电压（Vapc）而提供给控制端的栅极电压（Vg）在栅极电压（Vg）低于各个MOSFET的阈值电压（Vth）的区域内大大变化，并且稍微改变阈值电压（Vth）。此外，栅极电压（Vg）从阈值电压（Vth）附近到高Vapc电压区域呈现期望的特性。

2. 发明公开

KR1020010050332A 고주파 전력증폭기 모듈 및 무선통신장치 有权
标题翻译：高频功率放大器模块和无线电通信设备
公开(公告)号：KR1020010050332A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1020000052139
申请日：2000-09-04
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 , 히타치 토부 세미콘덕터 가부시키가이샤
发明人： 후지오카토루 , 마츠나가요시쿠니 , 요시다이사오 , 모리카와마사토시 , 홋타마사오 , 아다치테츠아키
IPC分类号： H04B1/18
CPC分类号： H03F1/301 , H03G3/3042
摘要： PURPOSE: To provide a high frequency power amplifier module improved in controllability of output. CONSTITUTION: Concerning the radio communication equipment with integrated high frequency power amplifier module in multistage configuration serially connecting plural MOSFET, for a gate voltage corresponding to a control voltage Vapc generated on the basis of a power control signal from the main body of radio communication equipment, a bias means is provided for reducing output power fluctuation in respect to the control voltage Vapc in the area close to a threshold voltage Vth of respective MOSFET for amplification so that the controllability of output power can be improved. For example, a gate bias circuit is provided for setting the change of the gate voltage Vg supplied to a control terminal corresponding to Vapc to be great in the area lower than the threshold voltage Vth of the respective MOSFET, to be small near the Vth and to be a gate voltage, with which desired characteristics can be provided, in the area of the high voltage from the area close to the Vth.
摘要翻译：目的：提供高频功率放大器模块，提高输出的可控性。构成：关于具有多级配置的集成式高频功率放大器模块的无线电通信设备，串联连接多个MOSFET，对于与基于来自无线电通信设备的主体的功率控制信号生成的控制电压Vapc相对应的栅极电压，提供了一种偏置装置，用于在接近用于放大的各个MOSFET的阈值电压Vth的区域中减小关于控制电压Vapc的输出功率波动，从而可以提高输出功率的可控性。例如，提供栅极偏置电路，用于将提供给对应于Vapc的控制端子的栅极电压Vg的变化设定为在相应MOSFET的阈值电压Vth以下的区域中变大，在Vth附近变小，在接近Vth的区域的高电压区域中，成为可以提供期望特性的栅极电压。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式