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21. 发明公开

KR1020160024429A 고출력 반도체 소자 패키지 有权
标题翻译：高功率半导体器件封装
公开(公告)号：KR1020160024429A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：KR1020140111075
申请日：2014-08-25
申请人： 알에프에이치아이씨 주식회사
发明人： 서용주 , 조삼열
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L2924/00014
摘要： 반도체소자를위한패키지로서, 게이트, 드레인및 소스를구비한고전력트랜지스터; 입력리드프레임; 출력리드프레임; 상기입력리드프레임과상기트랜지스터사이에연결되는제 1 집적수동소자; 및상기트랜지스터와상기출력리드프레임사이에연결되는제 2 집적수동소자;를포함하고, 상기제 1 집적수동소자및 상기제 2 집적수동소자는, 인덕터, 커패시터, 특정유전율을가지는전송선로또는특정대역특성을가지는필터중 어느하나이고, 상기고전력트랜지스터는, 입력은상기제 1 집적수동소자와제 1 와이어인덕터를통해연결되고, 출력은상기제 2 집적수동소자와제 2 와이어인덕터를통해연결되는것을특징으로하는고출력반도체소자패키지.
摘要翻译： 1。一种用于半导体器件的封装，包括：具有栅极，漏极和源极的高功率晶体管; 输入引线框架; 输出引线框架; 耦合在输入引线框架和晶体管之间的第一集成无源元件; 以及耦合在所述晶体管与所述输出引线框之间的第二集成无源元件，其中所述第一集成无源元件和所述第二集成无源元件包括电感器，电容器，具有特定介电常数的传输线，其特征在于高功率晶体管具有通过第一线电感器连接到第一集成无源元件的输入和通过第二线电感器连接到第二集成无源元件的输出高功率半导体器件封装。

22. 发明公开

KR1020150129348A 재배선층을 이용한 적층형 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：包装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150129348A
公开(公告)日：2015-11-20
申请号：KR1020140056110
申请日：2014-05-12
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 소광섭 , 김병진 , 최호 , 방원배
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/12 , H01L25/00
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L23/48 , H01L23/12 , H01L25/00
摘要： 본발명은재배선층을이용한적층형반도체패키지및 이의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는인터포저를매개로상부반도체패키지및 하부반도체패키지를상하로적층하되, 인터포저를재배선층을갖는구조로적용하여두께감소및 볼패드의파인피치를실현할수 있도록한 재배선층을이용한적층형반도체패키지및 이의제조방법에관한것이다. 즉, 본발명은상부및 하부반도체패키지를도전가능하게연결하는인터포저를패시베이션층및 재배선층으로구성된것으로채택하고, 하부반도체패키지의적층용접속수단을금속포스트로적용함으로써, 금속포스트간의파인피치를실현할수 있고, 인터포저의볼패드갯수증가및 볼패드간의파인피치를실현할수 있도록하고, 또한인터포저의접속용볼을하부반도체패키지위에도전가능하게부착할때, 비전도성페이스트(NCP, Non-Conductive Paste)를매개로압착하는방식으로부착함으로써, 비전도성페이스트에의하여인터포저와하부반도체패키지간의접착고정이이루어져워피지현상을방지하는동시에넌-웨트와같은현상을방지할수 있도록한 재배선층을이용한적층형반도체패키지및 이의제조방법을제공하고자한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及使用重新布线层的叠层型半导体封装及其制造方法，更具体地说，涉及使用重新布线层的叠层型半导体封装，其中上半导体封装和下半导体封装垂直层叠有插入物之间的插入体，通过施加具有重新布线层的结构的插入件来实现球垫的厚度减小和细间距的减小及其制造方法。换句话说，将上下半导体封装连接成导电的插入件用作钝化层和重新布线层的构造，并且将下半导体封装的层叠用连接装置作为金属柱施加，由此实现金属柱之间的微细间距，并实现插入件的球垫数量的增加和球垫之间的细间距。此外，插入器的连接球以通过非导电膏（NCP）的压制的方式附着到下半导体封装上以导电，并且通过非导电膏（NCP）在插入件与下半导体封装之间实现粘合剂固定导电糊，从而防止翘曲现象，并且同时防止诸如非湿的现象。

23. 发明公开

KR1020150108747A 반도체 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150108747A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020150029620
申请日：2015-03-03
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 니시우치히데오 , 도가사키다카시 , 다지마다카유키
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/48 , H01L29/739 , H01L29/66 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L21/4803 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L23/3121 , H01L23/49517 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/48247 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/53228 , H01L29/6609 , H01L29/7393 , H01L2924/00
摘要： 하나의 실시 형태에 따르면, 제1 반도체 소자는, 제1 전극이 제1 도전체에 접속되고, 제2 전극이 제2 도전체에 접속되고, 제어 전극이 제1 신호 단자에 접속된다. 제2 반도체 소자는, 제1 전극이 제1 도전체에 접속되고, 제2 전극이 제2 도전체에 접속된다. 제3 반도체 소자는, 제1 전극이 제3 도전체에 접속되고, 제2 전극이 제4 도전체에 접속되고, 제어 전극이 제2 신호 단자에 접속된다. 제4 반도체 소자는, 제1 전극이 제3 도전체에 접속되고, 제2 전극이 제4 도전체에 접속된다.
摘要翻译：本发明的一个实施例的目的是提供一种能够促进小型化和可靠性提高的半导体装置。根据实施例，对于第一半导体元件，第一电极连接到第一导电体，第二电极连接到第二导电体，并且控制电极连接到第一信号端子。在第二半导体元件中，第一电极连接到第一导电体，第二电极连接到第二导电体。在第三半导体元件中，第一电极连接到第三导电体，第二电极连接到第四导电体，并且控制电极连接到第二信号端子。在第四半导体元件中，第一电极连接到第三导电体，第二电极连接到第四导电体。

24. 发明公开

KR1020150108686A 전력모듈 패키지 有权
标题翻译：功率半导体模块
公开(公告)号：KR1020150108686A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020140031810
申请日：2014-03-18
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 곽영훈 , 홍창섭 , 채준석 , 엄기주
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/552 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L23/34 , H01L23/48 , H01L2924/00014
摘要： 본 발명은 전력모듈 패키지에 관한 것이다. 패턴이 형성된 베이스기판; 상기 베이스기판의 상면에 적층 되어 형성된 히트스프레더; 및 상기 히트스프레더 상면에 실장된 적어도 1개 이상의 제1 반도체소자를 포함하며, 상기 히트스프레더의 외주면에 코일이 형성된 전력모듈 패키지를 제공한다.
摘要翻译：功率模块封装技术领域本发明涉及功率模块封装。功率模块封装包括：形成图案的基底基板; 形成为堆叠在所述基底基板的上侧的散热器; 以及安装在散热器上侧的一个或多个第一半导体器件。并且在散热器的外周形成线圈。

25. 发明授权

KR101550540B1 적층형 반도체 패키지 제조방법 有权
标题翻译：堆叠半导体封装的制造方法
公开(公告)号：KR101550540B1
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020140047391
申请日：2014-04-21
申请人： 주식회사 에스에프에이반도체
发明人： 문주형 , 유재복 , 오승훈
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/00 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L23/48 , H01L23/28 , H01L25/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 적층형 반도체 패키지 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 3D 프링팅 방식으로 메탈 로드를 형성하기 때문에 기존의 레이저 드릴링 방식에 비해 공정이 간소화되며, 0.3mm 미만의 미세피치 가공이 가능한 적층형 반도체 패키지 제조방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及层叠半导体封装的制造方法，更具体地说，涉及使用三维印刷法形成金属棒的层叠型半导体封装的制造方法，因此与可以使用已经建立的激光钻孔方法和小于0.3mm的微距加工。

26. 发明公开

KR1020150097922A 반도체 패키지 및 이를 위한 클립 구조체, 이의 제조 방법 有权
标题翻译：具有夹子结构和制造方法的半导体封装
公开(公告)号：KR1020150097922A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：KR1020140018794
申请日：2014-02-19
申请人： 제엠제코(주)
发明人： 최윤화 , 이인섭
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L23/48 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 기판 상에 실장된 반도체 칩과, 반도체 칩 상에 위치하는 클립(clip) 몸체부, 클립 몸체부로부터 연장되고 일정 각도 구부러져 기판 부분에 단부가 커플링(coupling)된 다운셋(downset) 부분, 및 클립 몸체부의 표면에 접합홀을 제공하도록 돌출된 벽체부를 포함하는 클립 구조체; 및 접합홀에 의해 한정되도록 위치하여 반도체 칩 및 클립 몸체부를 접착시키는 접합층을 포함하는 반도체 패키지 및 이에 사용된 클립 구조체, 이의 제조 방법을 제시한다.
摘要翻译：提供了用于其的半导体封装和夹子结构及其制造方法。半导体封装包括：安装在基板上的半导体芯片; 夹子结构，其包括位于半导体芯片上的夹子主体部分，从夹子主体部分延伸并弯曲一定角度以将其端部连接到基板部分的凹陷部分，以及突出到在夹子主体部分的表面上提供粘结孔; 以及接合层，其被定位为由接合孔限定，并且接合半导体芯片和夹子主体部分。

27. 发明授权

KR101544086B1 반도체 패키지의 클립 부착 방법, 및 이에 사용되는 다중 클립 부착 장비 有权
标题翻译：用于半导体封装和多片夹安装系统的多片夹安装方法
公开(公告)号：KR101544086B1
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020140014232
申请日：2014-02-07
申请人： 제엠제코(주)
发明人： 최윤화 , 이인섭
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/48
摘要： 반도체 칩들이 제1배열을 이루며 탑재된 리드 프레임(lead frame)을 준비하고, 제1배열의 피치(pitch)보다 작은 피치를 가지며 다수의 클립(clip)들이 제2배열을 이루도록 연결된 클립 프레임(clip frame)을 준비한 후, 클립 프레임으로부터 클립들이 상호 분리되도록 클립들 사이 연결 부분을 절단하고, 패드 블록(pad block)들 각각에 연결된 리니어 모터(linear motor) 구동부들을 포함하는 피치 확장 스테이지(pitch extension stage)의 패드 블록들의 상면 패드부들 각각에 분리된 클립들을 올려놓고, 클립들의 제2배열이 반도체 칩들의 제1배열과 동일한 피치를 이루도록 조정되도록 패드 블록들 사이 간격을 바꾸고, 클립들을 반도체 칩들 각각 상에 동시에 부착하는 반도체 패키지의 클립 부착 방법 및 이에 이용되는 장비를 제시한다.
摘要翻译：提供一种用于附接半导体封装的夹子和其中使用的多夹子附接装置的方法。该方法包括以下步骤：制备半导体芯片以第一布置安装的引线框架; 准备具有小于第一布置的间距的间距的夹子框架，并且其中多个夹子以第二布置连接; 切割夹子之间的连接部分以将夹子与夹子框架分离; 将分离的夹子放置在包括连接到垫块的线性马达驱动单元的间距延伸级的垫块的上表面垫部分上; 调整垫块之间的距离，使得夹子的第二布置具有与半导体芯片的第一布置相同的间距; 并且分别将夹子连接到半导体芯片上。

28. 发明授权

KR101543788B1 기판 및 가압 장치를 구비하는 전력 반도체 모듈 有权
标题翻译：具有基板和压力装置的功率半导体模块
公开(公告)号：KR101543788B1
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：KR1020080113480
申请日：2008-11-14
申请人： 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
发明人： 라이너폽프 , 마르쿠스그루버
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/34 , H01L21/00
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/04 , H01L23/48 , H01L23/49811 , H01L2924/0002 , H01L2924/16195 , H05K1/0263 , H01L2924/00
摘要： 본발명은기판, 하우징및 가압장치를구비한전력반도체모듈에관한것으로, 상기기판은절연체및 여기에배치되고부하포텐셜및 보조포텐셜을구비하는구조화된도체트랙을구비하며, 상기기판은구조화된도체트랙의영역에서전력반도체구성요소에의하여커버되지않은적어도두 영역에리세스를구비한다. 또한, 가압장치는기판을향한가압장치의면에적어도두 위치에서리세스를향해있고그 안에형상적으로맞게배치되는래칭러그(latching lug)를구비한다.

29. 发明授权

KR101542161B1 솔더 범프 구조체 및 그 제조방법 有权
标题翻译：焊膏结构及其制造方法
公开(公告)号：KR101542161B1
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140026768
申请日：2014-03-06
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 이정중 , 최한주 , 권순호
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60 , H01L23/12
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/48 , H01L23/12 , H01L2021/60
摘要： 본발명은도전성패드가형성된소자를준비하는단계; 상기도전성패드및 상기소자의적어도일부상에절연층을형성하는단계; 상기절연층을식각하여상기도전성패드를노출시키는캐비티를구비하는절연층패턴을형성하는단계; 상기도전성패드및 상기절연층패턴상의전면에솔더층을형성하는단계; 상기솔더층에플라즈마에의한디웨팅(dewetting) 처리를하여상기절연층패턴에둘러싸인상기도전성패드와직접접촉하는솔더범프를형성하는단계; 및상기절연층패턴을제거하는단계;를포함하는, 솔더범프구조체의제조방법및 상기제조방법에의해구현되는, 솔더범프구조체를제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造焊料凸块的方法及其焊料凸块结构。该方法包括以下步骤：制备形成有导电垫的器件; 在所述上导电焊盘和所述装置的至少一部分上形成绝缘层; 形成包括通过蚀刻所述绝缘层而暴露所述导电焊盘的空腔的绝缘层图案; 在所述导电焊盘的前表面上形成焊料层和绝缘层图案; 在所述焊料层中形成焊料凸块，其中所述焊料凸块通过使用等离子体的去湿处理直接接触被所述绝缘层图案包围的所述导电焊盘; 并去除绝缘层图案。

30. 发明公开

KR1020150088805A 더블 패턴 리소그래피를 위한 금속 밀도 분포 审中-实审
标题翻译：金属密度分布的双模式图
公开(公告)号：KR1020150088805A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020157014043
申请日：2013-11-25
申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
发明人： 슐츠리차드 , 로화니오미드 , 텅찰스
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/033 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/48 , G03F7/0035 , G03F7/70466 , H01L21/31144 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
摘要： 방법, 컴퓨터판독형매체, 및장치가제공된다. 방법이전체패턴을파워레일베이스패턴을포함하는제 1 마스크패턴과제 2 마스크패턴으로분해하는단계, 및제 2 마스크패턴상에제 1 마스크패턴의파워레일베이스패턴과적어도부분적으로정렬되는파워레일인서트패턴을생성하는단계를포함하고컴퓨터판독형매체가이들단계를수행하도록구성된다. 상기장치는방법에의해생성되는포토리소그래피마스크를이용해포토리소그래피에의해생성된다.

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