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21. 发明公开

KR1020080043696A 강자성 터널 접합 소자, 그 제조 방법, 및 그것을 이용한자기 헤드, 자기 메모리 有权
标题翻译：隧道磁阻（TMR）装置，其制造工具，磁头和使用TMR器件的磁记忆
公开(公告)号：KR1020080043696A
公开(公告)日：2008-05-19
申请号：KR1020070096414
申请日：2007-09-21
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 사또오마사시게 , 우메하라신지로오 , 이부스끼다까히로
IPC分类号： H01L27/105 , G11C11/15
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114
摘要： A tunneling magnetoresistance device, a method of manufacturing the same, a magnetic head using the same, and a magnetic memory are provided to obtain a large variation of resistances by forming a first free layer with an amorphous or a fine crystalline material. A pinned layer(20,22) is composed of a ferromagnetic material having a fixed magnetization direction. A barrier layer is arranged on the pinned layer. Electrons penetrate the barrier layer by a tunneling effect. A first free layer(30) is arranged on the barrier layer and is composed of an amorphous or a fine crystalline soft magnetic material for changing a magnetization direction under an external magnetic field. A second free layer(32) is arranged on the first free layer. The second free layer is composed of a crystalline soft magnetic material to change a magnetization direction under an external magnetic field and to be exchanged and coupled with the first free layer.
摘要翻译：提供隧道磁阻器件，其制造方法，使用其的磁头和磁存储器，以通过形成具有无定形或细晶体材料的第一自由层来获得大的电阻变化。钉扎层（20,22）由具有固定的磁化方向的铁磁材料构成。阻挡层布置在钉扎层上。电子通过隧道效应穿透阻挡层。第一自由层（30）布置在阻挡层上，并且由用于改变外部磁场下的磁化方向的非晶或细晶体软磁材料构成。第二自由层（32）布置在第一自由层上。第二自由层由结晶软磁材料组成，以在外部磁场下改变磁化方向，并与第一自由层交换和耦合。

22. 发明公开

KR1020080029819A 자기저항 효과 소자 및 이를 이용한 자기 랜덤 액세스메모리 无效
标题翻译：使用磁阻效应器件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：KR1020080029819A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020070095917
申请日：2007-09-20
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 요시까와마사또시 , 가이다다시 , 나가세도시히꼬 , 기따가와에이지 , 기시다쯔야 , 요다히로아끼
IPC分类号： H01L27/10 , G11C11/15
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11C11/16
摘要： A magnetoresistive effect device and a magnetic random access memory using the same are provided to reduce a damping constant of an MR element by localizing free electrons. A magnetization fixing layer(3) has a fixed magnetization direction. A variable magnetization layer(2) has a variable magnetization direction and a BBC structure. The variable magnetization layer is formed with a magnetic alloy expressed by Fe1-x-yCoxNiy(0
摘要翻译：提供一种磁阻效应器件和使用其的磁性随机存取存储器，以通过使自由电子定位来减小MR元件的阻尼常数。磁化固定层（3）具有固定的磁化方向。可变磁化层（2）具有可变的磁化方向和BBC结构。可变磁化层由Fe1-x-yCoxNiy（0≤x+y≤1,0<= x <= 1,0 <= y <= 1）表示的磁性合金形成。可变磁化层包括在0

23. 发明公开

KR1020080029748A 자기 저항 효과 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：磁阻效应元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080029748A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020070052050
申请日：2007-05-29
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 히라노고지 , 오타기리미츠루
IPC分类号： G11B5/39 , G11B5/127 , H01L27/10 , H01L43/08
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/307 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1107
摘要： A magnetic resistance effect element of a magnetic head and a method for manufacturing the same are provided to improve magnetic features of a second magnetization fixing layer such as an MR ratio and to improve reading performance of the magnetic resistance effect element. A method for manufacturing a magnetic resistance effect element comprises the steps of: forming a magnetization fixing layer(18c) on a substrate(12); forming a metal film as a barrier layer on the magnetization fixing layer to make the magnetization fixing layer side amorphous or refined crystalline substance and to make the upper side amorphous; naturally oxidizing the metal film in an oxidizing atmosphere; and forming the free layer on the oxidized metal layer.
摘要翻译：提供一种磁头的磁阻效应元件及其制造方法，以改善诸如MR比率的第二磁化固定层的磁特性，并提高磁阻效应元件的读取性能。制造磁阻效应元件的方法包括以下步骤：在基片（12）上形成磁化固定层（18c）; 在所述磁化固定层上形成作为阻挡层的金属膜，以使所述磁化固定层侧为无定形或精制的结晶物质，并使所述上侧为无定形; 在氧化气氛中自然氧化金属膜; 并在氧化金属层上形成自由层。

24. 发明公开

KR1020060049223A ＭＴＪ 디바이스의 ｄＲ／Ｒ을 향상시키기 위한 새로운캡핑 구조체 失效
标题翻译：一种用于增强MTJ设备DR / R的新型封装结构
公开(公告)号：KR1020060049223A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050051479
申请日：2005-06-15
申请人： 헤드웨이 테크놀로지스 인코포레이티드 , 어플라이드 스핀트로닉스, 인크.
发明人： 홍쳉티. , 통류잉 , 홍리우보 , 리민
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/10 , H01L43/12 , G11C11/16
摘要： MRAM 어레이 또는 TMR 판독 헤드내의 MTJ는 하부 상호확산 배리어층, 중간 산소 게터링층 및 상부 도전체와 접촉하는 상부 금속층을 포함한다. 합성 캡핑층은 약 17.5 내지 20원자%의 Fe 함량을 갖는 NiFe 같은 중간 스핀 분극 자유층과 함께 사용하기에 특히 유용하다. 캡핑층은 Ru/Ta/Ru 구조를 갖는 것이 바람직하며, 하부 Ru층은 약 10 내지 30Å 두께이고, Ta 층은 약 30Å 두께이다. 결과적으로, 약 40%의 높은 dR/R이 MRAM 어레이의 MTJ의 약 1.0E-6 보다 적은 낮은 자기변형으로 달성된다. 8 내지 10Å 두께 Al 층상에 현장 ROX 프로세스에 의해 형성된 AlOx 터널 배리어층을 사용하여 최상의 결과가 얻어진다.
합성 캡핑층, MTJ, 상호확산 배리어층, 터널 배리어층, 시드층

25. 发明公开

KR1020020072247A 집적된 충전 블리드 저항기를 구비하는 자기 변환기 无效
标题翻译：带集成充电电阻的磁性传感器
公开(公告)号：KR1020020072247A
公开(公告)日：2002-09-14
申请号：KR1020020012698
申请日：2002-03-09
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 타밧,네드 , 쿠핀스키,폴이.
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/4806 , G11B5/3906 , G11B5/40
摘要： PURPOSE: A magnetic transducer having an integrated charge bleed resistor is provided to prevent electrostatic discharge damage against a sensor by reducing the electric charge on the magnetoresistive sensor element of a magnetoresistive head assembly. CONSTITUTION: A magnetoresistive transducer(50) includes a substrate(30); an insulating layer(64); a magnetoresistive assembly having a magnetoresistive element(52) on the insulating layer; and a bleed resistor formed between the magnetoresistive assembly and the substrate. The bleed resistor couples the magnetoresistive assembly to the substrate. The bleed resistor has a relative large electrical resistance and provides a discharge path for accumulated charge. The arrangement effectively prevents electrostatic discharge damage to the sensor.
摘要翻译：目的：提供具有集成电荷泄放电阻器的磁换能器，以通过减小磁阻头组件的磁阻传感器元件上的电荷来防止对传感器的静电放电损坏。构造：磁阻换能器（50）包括衬底（30）; 绝缘层（64）; 在所述绝缘层上具有磁阻元件（52）的磁阻组件; 以及形成在磁阻组件和衬底之间的渗漏电阻器。放电电阻将磁阻组件耦合到衬底。放电电阻具有相对较大的电阻，并提供用于累积电荷的放电路径。该装置有效地防止传感器的静电放电损坏。

26. 发明授权

KR100258165B1 자기저항 효과 소자 및 자기저항 효과 센서 失效
标题翻译：磁感应效应元件和磁感应效应传感器
公开(公告)号：KR100258165B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970058264
申请日：1997-10-31
申请人： 닛본 덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 하야시가즈히꼬 , 나까다마사후미
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3906 , Y10S428/90 , Y10T428/1121
摘要： 본 발명은 프리 자성층, 이 프리 자성층과 접촉하는 비자성층, 상기 비자성층과 접촉하는 핀형 자성층, 및 상기 핀형 자성층과 접촉하는 반강자성층의 적층 구조를 갖고 있는 자기저항 효과 소자를 제공하는데, 여기서 상기 핀형 자성층의 포화 자화와 두께의 곱은 2×10
-9 T·m 보다 크지 않다.

27. 发明授权

KR100167816B1 자기저항 헤드와 자기저항 헤드 제조방법과 직접 액세스 저장 장치 失效
标题翻译：直接访问存储设备和磁头及其制造方法
公开(公告)号：KR100167816B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950013854
申请日：1995-05-30
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 이얼알버트쿠닝함
IPC分类号： G11B5/67
CPC分类号： G11B5/3903 , G11B5/012 , G11B5/09 , G11B5/3906 , G11B5/3967 , G11B5/4886
摘要： 본 발명의 MR 헤드는 두께 및 저항중 적어도 하나에 대해 비대칭적인 두도선층에 전기적으로 접속되는 MR 막을 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, MR 헤드는 얇은 도선층상으로 확장하여 MR 막상에서 종결되지만, 두꺼운 도선층상으로는 확장하지 않는 기록 극층을 포함한다. 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 있어서, 얇은 도선층은 단종단 전치 증폭 회로와 접속되고, 두꺼운 도선층은 접지 또는 기준 전압과 접속된다.

28. 发明授权

KR100125263B1 최종 피착된 연속 자기 저항성층을 갖는 자기 저항성 판독 트랜스듀서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：具有最后沉积连续MR层的磁传感读数传感器
公开(公告)号：KR100125263B1
公开(公告)日：1997-11-28
申请号：KR1019940002528
申请日：1994-02-14
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 모하마드토픽크로운비 , 케니스팅-웬쿵 , 칭화창
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/399 , G11B5/3906 , G11B5/40
摘要： 본 발명은 패시브 종단 영역이 중앙 액티브 영역에 의해 분리되어 있는 자기 저항성(MR) 판독 트랜스듀서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 제 1 바이어싱 물질 및 비자성 분리 스페이서 물질층이 기판상에 피착된 후, 중앙 영역에만 있는 마스크에 의해 덮여진다. 에칭 또는 이온 밀링함으로서, 상기 마스크에 의해 덮여있지 않은 층의 부분은 중앙 영역의 횡방향 바이어싱 수단과 패시브 종단 영역을 한정하기 위해 제거된다. 동일한 마스크가 정위치에 위치하면, 제 2 바이어싱 물질을 포함하는 도전 물질과 교환층이 모든 영역상에 피착된다. 상기 마스크가 제거되어 도체 리드와 종단 영역만의 종방향 바이어싱 수단을 한정하여 제공한다. 그후, 횡방향 바이어싱 수단을 포함하는 중앙 영역과 직접 접촉하며 종방향 바이어싱 수단을 포함하는 종단 영역과 직접 접촉하는 연속하는 박막으로 MR 물질이 피착된다. 이와 같은 제조 기술은 특정한 접합부 또는 그 근처에서 중단하여야 하는 까다로운 단계를 필요로 하지 않으며, MR막은 전류 통로의 인접된 접합부없이 전류를 전달하기 위한 연속하는 플랫폼을 제공한다.

29. 发明公开

KR20180050609A 자기장들에 대한 향상된 반응을 갖는 스핀 밸브 자기저항 요소 审中-公开
公开(公告)号：KR20180050609A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR20177037579
申请日：2016-05-26
IPC分类号： H01L43/02 , G01R33/00 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/32 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , G01R33/0052 , G01R33/09 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3263 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 스핀밸브자기저항요소는연관된핀 층들에대해반이반강자성결합을가지고, 나머지반이강자성결합을가지는짝수개의자유층 구조들을가진다. 상기상이한결합들은각각의다른두께들을갖는짝수개의다른스페이서층들의결과가된다.

30. 发明公开

KR1020140070399A 테이퍼진 사이드 쉴드 측벽들을 갖는 데이터 라이터 无效
标题翻译：数据写入带有侧面屏蔽边界
公开(公告)号：KR1020140070399A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020130143035
申请日：2013-11-22
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 인투리,벤카테스와라라오 , 티엔,웨이 , 문데너,조셉
IPC分类号： G11B5/187
CPC分类号： G11C11/14 , B82Y25/00 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/647 , G11B5/653 , G11B5/84 , H01F41/22
摘要： A data writer comprises a writing pole having a pole sidewall and a continuous first tapered angle which connects leading and trailing edges. The writing pole is positioned around a side shield comprising first and second shield sidewalls tapered to a shield tip. The shield tip is a nearest point between the writing pole and the side shield.
摘要翻译：数据写入器包括具有极侧壁的书写杆和连接前缘和后缘的连续的第一锥形角。书写杆位于围绕侧屏蔽的位置，该侧屏蔽包括渐缩到屏蔽尖端的第一和第二屏蔽侧壁。屏蔽尖是写柱和侧屏之间的最近点。

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