专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明公开

KR20090021429A CLEANING SOLUTION 审中-公开
标题翻译：清洁解决方案
公开(公告)号：KR20090021429A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR20070085914
申请日：2007-08-27
申请人： DONGWOO FINE CHEM CO LTD
发明人： HONG HYUNG PYO , HONG HUN PYO , JUNG JIN WOO
IPC分类号： C11D3/30 , C11D3/16
CPC分类号： C11D7/3218 , C11D7/10 , C11D7/263 , C11D11/0047
摘要： Cleaning solution is provided to remove organic impurities or particles efficiently without the corrosion of metal, in washing a semiconductor exposed with aluminium or aluminium alloy, or a substrate for manufacturing a flat panel display device. Cleaning solution comprises alkanolamine 0.05~5 weight%, ammonium salt 0.1~10 weight%, glycolether 10~70 weight% and the residual amount of water. The alkanolamine is one or a mixture of two or more selected from a group consisting of monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, methyldiethanolamine, 2-(ethylamino)ethanol, 2-(methylamino)ethanol, dimethylaminoethanol, diethylaminoethanol, 2-(2-aminoethoxy)ethanol, 1- amino-2-propanol, monopropanolamine, monoisopropanolamine and dibutanolamine.
摘要翻译：提供清洁溶液以有效地除去有机杂质或颗粒，而不会有金属腐蚀，洗涤用铝或铝合金暴露的半导体，或用于制造平板显示装置的基板。清洗液含有0.05〜5重量％的链烷醇胺，0.1〜10重量％的铵盐，10〜70重量％的乙二醇醚和水的残留量。链烷醇胺是选自单乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，甲基二乙醇胺，2-（乙基氨基）乙醇，2-（甲基氨基）乙醇，二甲基氨基乙醇，二乙基氨基乙醇，2-（2-氨基乙氧基）乙醇，乙醇，1-氨基-2-丙醇，单丙醇胺，单异丙醇胺和二丁醇胺。

22. 发明公开

KR1020080080280A 포토레지스트 제거용의 다목적 동력학적 조성물 및 이의 사용방법 有权
标题翻译：用于去除光电的动态多用途组合物及其使用方法
公开(公告)号：KR1020080080280A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：KR1020087010205
申请日：2006-10-24
申请人： 다이나로이 엘엘씨
发明人： 페니스마이클티 , 존슨로리레니 , 찬레이몬드 , 쉘레다이안마리 , 폴라드킴벌리도나 , 괴벨진
IPC分类号： G03F7/32
CPC分类号： G03F7/426 , C11D1/004 , C11D3/26 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/3218 , C11D7/5009 , C11D11/0047 , G03F7/425
摘要： Improved dry stripper solutions for removing one, two or more photoresist layers from substrates are provided. The stripper solutions comprise dimethyl sulfoxide, a quaternary ammonium hydroxide, and an alkanolamine, an optional secondary solvent and less than about 3 wt.% water and/or a dryness coefficient of at least about 1. Methods for the preparation and use of the improved dry stripping solutions are additionally provided.
摘要翻译：提供了用于从基底去除一个，两个或更多个光致抗蚀剂层的改进的干燥剥离剂溶液。汽提溶液包括二甲基亚砜，季铵氢氧化物和链烷醇胺，任选的第二溶剂和小于约3重量％的水和/或至少约1的干燥系数。制备和使用改进的方法还提供了干脱皮溶液。

23. 发明授权

KR100805014B1 땜납 플럭스 제거용 세정제 및 땜납 플럭스의 세정방법 有权
标题翻译：去除助焊剂的清洗剂和清洗焊剂的方法
公开(公告)号：KR100805014B1
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：KR1020077001884
申请日：2004-08-10
申请人： 가켄 테크 가부시키가이샤
发明人： 호리시게오 , 다카하시히사카즈 , 후루이히로히코 , 나카쯔카사히로키
IPC分类号： C11D7/26 , C11D7/32 , C11D11/00 , H05K3/26
CPC分类号： C11D7/3218 , C11D7/261 , C11D11/0047 , H05K3/26
摘要： 무연 땜납용 플럭스나 고융점 땜납용 플럭스 등을 세정할 때에도, 우수한 세정성을 나타내는 동시에, 물 및 계면활성제를 실질적으로 포함하지 않고, 다음 공정에 있어서의 알코올계 용제를 사용한 린스에 있어서도 우수한 린스 특성을 나타낼 수 있는 땜납 플럭스 제거용 세정제 및 땜납 플럭스의 세정방법을 제공한다.
그 때문에, 전체량에 대해서, 화학식 1로 표시되는 글리콜화합물의 함유량, 벤질알코올의 함유량, 아미노알코올의 함유량의 총중량(100 중량%)을 기준으로 했을 때, 글리콜화합물의 함유량을 1~40 중량%의 범위로 하는 동시에, 벤질알코올의 함유량을 15~99 중량%의 범위로 하고, 또한 아미노알코올의 함유량을 0.1~30 중량%의 범위로 한 땜납 플럭스 제거용 세정제를 구성하여, 그것을 무연 땜납용 플럭스나 고융점 땜납용 플럭스 등의 세정에 사용한다.
무연 땜납용 플럭스, 고융점 땜납용 플럭스, 세정제, 린스 특성

24. 发明公开

KR1020070114036A 몰드 세정 조성물 无效
标题翻译：模具清洁组合物
公开(公告)号：KR1020070114036A
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：KR1020070050840
申请日：2007-05-25
申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤
发明人： 타카시마코이치
IPC分类号： C11D17/06 , C11D7/26 , C11D7/32
CPC分类号： C11D17/06 , C11D7/263 , C11D7/3218
摘要： A mold cleaning composition is provided to ensure an excellent mold filling property and to be effective in removing pollutants within a mold. A mold cleaning composition includes an unvulcanized rubber, a cleaning agent, and a vulcanizing agent, and has a weight average molecular weight(Mw) ranging from 200,000 to 460,000 as determined by a gel permeation chromatography. The cleaning agent is contained in an amount of 10-60 parts by weight based on 100 parts by weight of the unvulcanized rubber. The cleaning agent is at least one element selected from glycolether, imidazole, imidazoline, and aminoalcohol.
摘要翻译：提供了一种模具清洁组合物以确保优异的模具填充性能并且有效地去除模具内的污染物。模具清洁组合物包含未硫化橡胶，清洁剂和硫化剂，并且通过凝胶渗透色谱法测定的重均分子量（Mw）为200,000至460,000。基于100重量份的未硫化橡胶，清洗剂的含量为10-60重量份。清洁剂是选自乙二醇醚，咪唑，咪唑啉和氨基醇中的至少一种元素。

25. 发明公开

KR1020070020144A 땜납 플럭스 제거용 세정제 및 땜납 플럭스의 세정방법 有权
标题翻译：用于清除焊剂漏斗的清洁剂和清洁焊剂漏斗的方法
公开(公告)号：KR1020070020144A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：KR1020077001884
申请日：2004-08-10
申请人： 가켄 테크 가부시키가이샤
发明人： 호리시게오 , 다카하시히사카즈 , 후루이히로히코 , 나카쯔카사히로키
IPC分类号： C11D7/26 , C11D7/32 , C11D11/00 , H05K3/26
CPC分类号： C11D7/3218 , C11D7/261 , C11D11/0047 , H05K3/26
摘要： Disclosed is a cleaning agent exhibiting excellent cleaning performance even in cleaning of a flux for lead-free solders or a flux for high-melting-point solders and further exhibiting excellent rinsing characteristics in the following rinsing step wherein an alcohol solvent is used. Also disclosed is a method for cleaning a solder flux. A cleaning agent for removing a solder flux is constituted such that the content of a benzyl alcohol is within 70-99.9 weight% and the content of an amino alcohol is within 0.1-30 weight% in case when the content of a glycol compound is less than 1 weight% relative to the total amount, while the content of the benzyl alcohol is within 15-99 weight% and the content of the amino alcohol is within 0.1-30 weight% in case when the content of the glycol compound is 1-40 weight%. Such a cleaning agent is used for cleaning a flux for lead-free solders or a flux for high-melting-point solders. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：公开了一种清洁剂，即使在清洁无铅焊料助熔剂或高熔点焊料助熔剂方面也表现出优异的清洗性能，并且在使用醇溶剂的后续漂洗步骤中还表现出优异的漂洗特性。还公开了一种清洗焊剂的方法。在二醇化合物的含量少的情况下，构成除去助焊剂的清洗剂，使得苄醇的含量在70-99.9重量％以内，氨基醇的含量在0.1-30重量％的范围内相对于总量为1重量％以下，而乙醇化合物的含量为1-30重量％时，苄醇的含量为15〜99重量％，氨基醇的含量为0.1-30重量％ 40重量％。这种清洁剂用于清洁无铅焊剂的焊剂或用于高熔点焊料的焊剂。 ®KIPO＆WIPO 2007

26. 发明授权

KR100581279B1 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 범프 형성방법 失效
标题翻译：用于去除光电元件的组合物和使用其形成半导体器件的保护的方法
公开(公告)号：KR100581279B1
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：KR1020030035404
申请日：2003-06-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박동진 , 전상문 , 도인회 , 전필권
IPC分类号： G03F7/32
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , G03F7/425 , H01L21/31133 , H01L24/11 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014
摘要： 간단한 공정으로 효과적으로 포토레지스트를 제거할 수 있는 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 범프 형성방법이 개시되어 있다. 금속 배선 패턴이 형성된 기판 상에 상기 금속 패턴의 상부를 부분적으로 노출시키는 개구부를 갖는 보호막 패턴을 형성한다. 상기 보호막 패턴상에 범프 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴하고, 상기 범프 개구부에 금속을 성장시켜 범프를 형성한다. 다음에, 상기 포토레지스트 패턴을 모노에탄올아민 및 디메틸아세트아미드를 주성분으로 함유하는 포토레지스트 스트립퍼용액으로 제거한다. 효율적으로 완벽하게 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있다.

27. 发明授权

KR100498528B1 친유성 유체의 처리방법 失效
标题翻译：用于处理亲脂性流体的方法
公开(公告)号：KR100498528B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020027016601
申请日：2001-06-05
申请人： 더 프록터 앤드 갬블 캄파니
发明人： 딕존크리스토퍼 , 프랜스폴애마트레이몬드 , 갠슬크리스티나마리로 , 노예스안나바디모브나 , 라도마이셀스키아세니브이. , 세번스존코트 , 토엔크리스티안아써 , 베베르스예안
IPC分类号： C02F1/26
CPC分类号： B01J20/28033 , B01D17/0202 , B01D17/04 , B01J20/26 , B01J20/28014 , C10G33/02 , C11D3/162 , C11D3/3905 , C11D3/3932 , C11D3/3942 , C11D3/3945 , C11D3/395 , C11D3/40 , C11D3/43 , C11D7/24 , C11D7/263 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5009 , C11D11/0017 , C11D11/0094 , D06F58/28 , D06F2058/2854 , D06L1/10 , D06L1/12 , D06M13/005 , D06M23/06 , F26B21/14
摘要： The present invention relates to a process for treating a lipophilic fluid contained in an emulsion of water and lipophilic fluid. The process includes the steps of pretreating the emulsion, removing lipophilic fluid from the emulsion, and purifying the lipophilic fluid to remove at least a portion of the impurities collected during the use of the emulsion. Method options are provided for each of the aforementioned steps.

28. 发明授权

KR100438015B1 구리용 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译： 구리용레지스트제거용조성
公开(公告)号：KR100438015B1
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：KR1020010062527
申请日：2001-10-10
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 채기성 , 황용섭 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 김병욱 , 이상대 , 유종순
IPC分类号： C23F1/10
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/263 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/5013 , G03F7/425 , Y10S134/902
摘要： A composition for removing a copper-compatible resist includes about 10% to about 30% by weight of an amine compound, about 10% to about 80% by weight of a glycolether compound, and about 10% to about 80% by weight of a polar solvent.
摘要翻译：用于除去铜相容性抗蚀剂的组合物包含约10重量％至约30重量％的胺化合物，约10重量％至约80重量％的乙二醇醚化合物和约10重量％至约80重量％的极性溶剂。

29. 发明公开

KR1020040018438A 기판과의 양립성이 향상된 무암모니아 알칼리마이크로일렉트로닉 세정 조성물 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR1020040018438A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：KR1020047000268
申请日：2002-07-08
申请人： 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크.
发明人： 허수치엔-핀셔만
IPC分类号： C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/28 , C11D3/33 , C11D3/43 , C11D11/00 , C11D3/00 , C11D3/04 , C11D3/20 , G03F7/42
CPC分类号： C11D7/261 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/2068 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/43 , C11D7/08 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02052
摘要： Ammonia-free cleaning compositions for cleaning microelectronic substrates, and particularly to such cleaning compositions useful with and having improved compatibility with microelectronic substrates characterized by sensitive porous dielectrics, low-k or high-k dielectrics and copper metallization. Cleaning compositions for stripping photoresists, cleaning residues from plasma generated organic, organometallic and inorganic compounds, and cleaning residues from planarization processes. The cleaning composition contain one or more non- ammonium producing strong base containing non-nucleophilic, positively charged counter ions and one or more corrosion inhibiting solvent compounds, said corrosion inhibiting solvent compound having at least two sites capable of complexing with metals.
摘要翻译：用于清洁微电子衬底的无氨清洁组合物，特别是用于具有改善的与微电子衬底的兼容性的清洁组合物，其特征在于敏感多孔电介质，低k或高k电介质和铜金属化。用于剥离光致抗蚀剂的清洁组合物，清除等离子体产生的有机，有机金属和无机化合物的残留物以及从平坦化过程中清除残留物。所述清洁组合物含有一种或多种非铵生产强碱，其含有非亲核带正电荷的抗衡离子和一种或多种腐蚀抑制溶剂化合物，所述腐蚀抑制溶剂化合物具有至少两个能与金属络合的位点。

30. 发明公开

KR1020040007422A 1,3-디카르보닐 화합물을 포함하는 반도체 스트리핑 조성물 失效
标题翻译：包含1,3-二羰基化合物的半导体剥离组合物
公开(公告)号：KR1020040007422A
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1020037007701
申请日：2001-12-04
申请人： 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드
发明人： 워츠작윌리엄에이. , 세이조파티마마 , 번하드데이빗 , 뉴옌롱
IPC分类号： C11D1/00
CPC分类号： H01L21/02071 , C11D3/2072 , C11D7/02 , C11D7/261 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/266 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , C11D7/3272 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , C23G5/02 , G03F7/425 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/31133 , H01L21/31138
摘要： 본 발명은 2∼98 중량%의 유기 아민, 0∼50 중량%의 물, 0.1∼60 중량%의 1,3-디카르보닐 화합물 킬레이트화제, 0∼25 중량%의 추가의 상이한 킬레이트화제(들), 0.5∼40 중량%의 질소 함유 카르복실산 또는 이민 및 2∼98 중량%의 극성 유기 용제를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 배합물에 관한 것이다. 이러한 배합물은 레지스트 플라즈마 애슁 단계 후 웨이퍼로부터 잔류물, 예컨대 정교한 구리 상호접속 구조체를 포함하는 반도체 웨이퍼로부터 무기 잔류물을 제거하는데 유용하다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式