基本信息:
- 专利标题： 1,3-디카르보닐 화합물을 포함하는 반도체 스트리핑 조성물
- 专利标题（英）：Semiconductor stripping composition containing 1,3-dicarbonyl compounds
- 专利标题（中）：包含1,3-二羰基化合物的半导体剥离组合物
- 申请号：KR1020037007701 申请日：2001-12-04
- 公开(公告)号：KR1020040007422A 公开(公告)日：2004-01-24
- 发明人： 워츠작윌리엄에이. , 세이조파티마마 , 번하드데이빗 , 뉴옌롱
- 申请人： 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드
- 申请人地址： 미국 코네티컷 ***** 댄버리 코머스 드라이브 *
- 专利权人： 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： 미국 코네티컷 ***** 댄버리 코머스 드라이브 *
- 代理人： 강승옥; 김성기
- 优先权： US09/732,370 2000-12-08
- 国际申请： PCT/US2001/047289 2001-12-04
- 国际公布： WO2002057513 2002-07-25
- 主分类号： C11D1/00
- IPC分类号： C11D1/00
摘要：
본 발명은 2∼98 중량%의 유기 아민, 0∼50 중량%의 물, 0.1∼60 중량%의 1,3-디카르보닐 화합물 킬레이트화제, 0∼25 중량%의 추가의 상이한 킬레이트화제(들), 0.5∼40 중량%의 질소 함유 카르복실산 또는 이민 및 2∼98 중량%의 극성 유기 용제를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 배합물에 관한 것이다. 이러한 배합물은 레지스트 플라즈마 애슁 단계 후 웨이퍼로부터 잔류물, 예컨대 정교한 구리 상호접속 구조체를 포함하는 반도체 웨이퍼로부터 무기 잔류물을 제거하는데 유용하다.
摘要（英）：
The present invention is 2-98% by weight of an organic amine, of 0 to 50% by weight of water, 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent 0.1~60% by weight, different chelating agents of the addition of 0-25% by weight ( ), to a semiconductor wafer cleaning formulation comprising the nitrogen-containing carboxylic acid or imine, polar organic solvent and of 2-98% by weight of 0.5~40% by weight. Such formulations are useful in removing inorganic residues from the semiconductor wafer containing the residue, for example, fine copper interconnect structure from the resist plasma ashing step wafer.
公开/授权文献:
- KR100890418B1 1,3-디카르보닐 화합물을 포함하는 반도체 스트리핑 조성물 公开/授权日：2009-03-26