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21. 发明公开

KR1020070086426A 성막 방법 및 기억 매체 失效
标题翻译：成膜方法和记录介质
公开(公告)号：KR1020070086426A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020077013891
申请日：2005-12-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 고미아츠시 , 와카바야시사토시
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32449 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要： Disclosed is a film-forming method using such a film-forming apparatus which comprises a process chamber in which a stage for holding a substrate to be processed is arranged, and a shower head portion for supplying a process gas for film formation into the process chamber to which portion a high-frequency power is applied for exciting a plasma within the process chamber. This film-forming method is characterized by comprising a film-forming step wherein a thin film containing a metal is formed over the substrate to be processed, and a step for forming a protective film wherein a protective film containing another metal is formed over the shower head portion before the film-forming step.
摘要翻译：公开了一种使用这种成膜装置的成膜方法，该成膜装置包括处理室，其中设置有用于保持待处理基材的载物台，以及用于将成膜处理气体供应到处理室的喷淋头部分施加高频功率以激发处理室内的等离子体。该成膜方法的特征在于包括：成膜步骤，其中在待加工的基材上形成含有金属的薄膜，以及形成保护膜的步骤，其中在淋浴后形成含有其它金属的保护膜在成膜步骤之前的头部。

22. 发明授权

KR101888000B1 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101888000B1
公开(公告)日：2018-08-13
申请号：KR1020187008876
申请日：2013-04-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고미아츠시 , 미야시타데츠야 , 후루카와신지 , 마에다고지 , 하라마사미치 , 스즈키나오유키 , 미키히로시 , 히라타도시하루
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01J37/32733 , C23C14/568 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
摘要： 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다

23. 发明授权

KR101434033B1 마그네트론 스퍼터 장치 및 방법 有权
标题翻译：磁控溅射装置和方法
公开(公告)号：KR101434033B1
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020120107787
申请日：2012-09-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미즈노시게루 , 도시마히로유키 , 고미아츠시 , 미야시타데츠야 , 하타노다츠오 , 미즈사와야스시
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/32688 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455
摘要： 본 발명의 과제는 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시키고, 타겟의 사용 효율을 향상시키는 것이다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터 장치는 진공용기(2)내에 탑재된 웨이퍼(10)에 대향하도록 타겟(31)을 배치하고, 이 타겟(31)의 배면측에 마그네트 배열체(5)를 마련한다. 이 마그네트 배열체(5)는 마그네트(61, 62)가 매트릭스형상으로 배열된 내측 마그네트군(54)과, 이 내측 마그네트군(54)의 주위에 마련되고, 전자의 튀어나감을 저지하는 리턴용의 마그네트(53)를 구비하고 있다. 이에 따라 타겟(31)의 바로 아래에 커스프 자계에 의한 전자의 드리프트에 의거하여 고밀도의 플라즈마가 발생하고, 또 이로전의 면내 균일성이 높아진다. 이 때문에 타겟(31)과 웨이퍼(10)를 접근시켜 스퍼터를 실행할 수 있고, 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시킬 수 있는 동시에, 타겟의 사용 효율이 높아진다.

24. 发明公开

KR1020140041745A 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 장치 및 기억 매체 有权
标题翻译：半导体器件制造方法，半导体器件，半导体器件制造设备和存储介质
公开(公告)号：KR1020140041745A
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020147001078
申请日：2012-06-08
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 마츠모토켄지 , 고미아츠시 , 하타노타츠오 , 하마다타츠후미
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76823 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76844 , H01L21/76862 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 매립 전극이 형성되는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 저비용으로 얻기 위하여, 기판 표면에 절연막이 형성되어 있고, 상기 절연막에 형성된 개구부의 내부에 금속 산화물로 이루어지는 제 1 막을 성막하는 제 1 성막 공정과, 상기 제 1 막에 원자 형상 수소를 조사하는 수소 라디칼 처리 공정과, 상기 수소 라디칼 처리 공정 후, 상기 개구부의 내부에 금속으로 이루어지는 제 2 막을 성막하는 제 2 성막 공정과, 상기 제 2 막을 성막한 후, 상기 개구부의 내부에 금속으로 이루어지는 전극을 형성하는 전극 형성 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

25. 发明授权

KR101277036B1 기판 상에 증착물을 형성하는 증착 시스템 失效
标题翻译：用于形成沉积在基底上的沉积系统
公开(公告)号：KR101277036B1
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020060113812
申请日：2006-11-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 리이쳉 , 이시자카다다히로 , 야마모토가오루 , 고미아츠시 , 하라마사미치 , 후지사토도시아코 , 파게쟈끄 , 미즈사와야스시
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
摘要： 기판상에서의 기상 증착을 위한 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 시스템은 기상 증착 시스템의 제1 어셈블리를 제1 온도로 유지하고, 기상 증착 시스템의 제2 어셈블리를 상기 제1 온도보다 낮은 감소된 온도로 유지하고, 기판을 제2 어셈블리의 전달 공간으로부터 진공 격리된 제1 어셈블리의 공정 공간 내에 배치하며, 기판상에 재료를 증착한다. 따라서 기상 증착 시스템은 재료 증착을 실행하도록 구성된 공정 공간을 갖는 제1 어셈블리와, 제1 어셈블리에 결합되고 기상 증착 시스템의 내외로 기판을 운반하게 하는 전달 공간을 갖는 제2 어셈블리와, 제2 어셈블리에 접속되어 기판을 지지하도록 구성된 기판 스테이지와, 공정 공간을 전달 공간으로부터 분리하도록 구성된 실링 어셈블리를 포함한다. 제1 어셈블리는 제1 온도로 유지되도록 구성되고, 제2 어셈블리는 제1 온도보다 낮은 감소된 온도로 유지되도록 구성된다.

26. 发明授权

KR101240076B1 원료 회수 방법, 원료 회수를 위한 트랩 기구, 배기계 및 성막 장치 有权
标题翻译：原材料回收方法，回收原料，排气系统和成膜装置的回收机理
公开(公告)号：KR101240076B1
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020107028339
申请日：2009-08-04
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고미아츠시 , 미즈사와야스시 , 하타노다츠오 , 하라마사미치 , 야마모토가오루 , 야스무로치아키
IPC分类号： H01L21/205 , B01D53/14 , B01D53/72 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/4412 , B01D53/002 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , B01D2259/416 , C23C16/16 , Y02C20/30
摘要： 본 발명은, 특정한 냉매에 대하여 분해되지 않고 안정된 특성을 갖는 유기 금속 화합물의 원료를 기화시켜 얻어진 원료 가스를 이용하여 피처리체의 표면에 금속의 박막을 형성하도록 한 처리 용기로부터 배출되는 배기 가스중으로부터, 상기 원료를 회수하는 원료 회수 방법에 있어서, 상기 배기 가스를 상기 냉매와 접촉시켜 냉각함으로써, 미반응의 원료 가스를 응고시키고, 상기 원료를 재석출시키는 응고 공정과, 상기 응고 공정에서 재석출된 상기 원료를, 상기 냉매로부터 분리하여 회수하는 회수 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 원료 회수 방법이다.

27. 发明授权

KR101224668B1 성막 방법, 성막 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 有权
标题翻译：薄膜形成方法，薄膜形成装置和计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101224668B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020107018300
申请日：2009-01-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하라마사미치 , 미즈사와야스시 , 다가사토시 , 고미아츠시 , 하타노다츠오
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/285 , C23C16/16
CPC分类号： C23C16/45559 , C23C16/16 , H01L21/28562
摘要： 성막 방법은, 금속 카르보닐을 함유하는 처리 가스와 일산화탄소를 함유하는 캐리어 가스를 포함하는 처리 가스 흐름을, 피처리 기판의 표면을 피하여, 피처리 기판의 외주보다 직경 방향 상외측의 영역으로 흘리고, 상기 처리 가스 흐름으로부터 상기 금속 카르보닐을 상기 피처리 기판의 표면으로 확산시켜, 상기 피처리 기판의 표면에 금속막을 성막하는 것을 특징으로 한다.

28. 发明授权

KR101210210B1 배치대 구조, 성막 장치 및 성막 방법 有权
标题翻译：配置表结构，形成膜的装置和形成膜的方法
公开(公告)号：KR101210210B1
公开(公告)日：2012-12-07
申请号：KR1020107027538
申请日：2009-08-04
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고미아츠시 , 미즈사와야스시 , 하타노타츠오 , 하라마사미치 , 야마모토가오루 , 다가사토시
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/16 , C23C16/45514 , C23C16/45521 , C23C16/45597 , C23C16/4585 , H01L21/67017 , H01L21/68785
摘要： 본발명은, 가역성을갖는열분해반응을발생시키는원료가스를이용하여처리용기내에서피처리체에대하여박막을형성하기위해, 상기처리용기내에설치되어상기피처리체를배치하는배치대구조에있어서, 그상면인배치면에상기피처리체를배치하기위한배치대와, 상기배치대내에설치된, 상기원료가스의열분해를억제하는분해억제가스를상기배치대의배치면에배치되는상기피처리체의주변부를향해공급하기위한분해억제가스공급수단을포함한것을특징으로하는배치대구조이다.

29. 发明公开

KR1020110038130A 금속 회수방법, 금속 회수장치, 배기계 및 이것을 이용한 성막장치 有权
标题翻译：金属回收方法，金属回收装置，排气系统和使用其的成膜装置
公开(公告)号：KR1020110038130A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020117002995
申请日：2009-08-04
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하라마사미치 , 고미아츠시 , 하타노다츠오
IPC分类号： B01D53/62 , B01D53/64 , C23C16/44 , H01L21/28
CPC分类号： F27D17/004 , B01D53/005 , B01D53/04 , B01D53/75 , B01D53/864 , B01D53/8668 , B01D53/869 , B01D2251/102 , B01D2255/20 , B01D2255/2045 , B01D2255/2047 , B01D2255/2073 , B01D2257/502 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/4412 , F27B17/0025 , H01L21/28556 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： 금속 회수장치(66)는 유기 금속 화합물의 원료로 이루어지는 원료가스를 이용해서 피처리체의 표면에 박막을 형성하는 처리용기(10)로부터 배출되는 배기가스 중에서, 금속성분을 회수하여 배기가스를 제해한다. 금속 회수장치는 상기 배기가스를 가열해서 배기가스 중에 포함되는 미반응의 원료가스를 열분해시켜 원료가스 중에 포함되어 있는 금속성분을 부착시키는 포집부재를 갖는 포집유닛(80)과, 포집유닛을 통과한 배기가스 중에 포함되는 유기한 가스 성분을 산화시켜 제거하는 촉매(100)를 갖는 제해유닛(82)을 구비한다.

30. 发明公开

KR1020100072180A 기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板放置机构和基板处理装置
公开(公告)号：KR1020100072180A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：KR1020107005343
申请日：2008-09-03
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하라마사미치 , 고미아츠시 , 마에카와신지 , 다가사토시
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/4401 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/68742
摘要： Provided is a substrate placing mechanism whereupon a substrate to be processed is to be placed. The substrate placing mechanism is provided with a heater plate (21), which has a surface whereupon the substrate to be processed is to be placed, an embedded heating body for heating a substrate (W) to be processed to a film forming temperature at which the film can be deposited, and a first lift inserting hole having a large diameter section and a small diameter section; a temperature adjusting jacket, which is formed to cover at least a surface other than the surface, is at a non film forming temperature below a film forming temperature, with a second lift pin inserting hole having a large diameter section and a small diameter section; a first lift pin (24b-1) having a cover section, which can be inserted into the large diameter section, and a shaft section which can be inserted into both the large diameter section and the small diameter section; a second lift pin (24b-2) having a cover section , which can be inserted into the large diameter section, and a shaft section, which can be inserted into both the large diameter section and the small diameter section .
摘要翻译：提供了要放置待处理的基板的基板放置机构。基板放置机构设置有加热板（21），其具有要被放置的待加工基板的表面，用于将要加工的基板（W）加热到成膜温度的嵌入式加热体，可以沉积膜，以及具有大直径部分和小直径部分的第一提升插入孔; 形成为至少覆盖表面以外的表面的温度调节护套处于低于成膜温度的非成膜温度，具有大直径部分和小直径部分的第二提升销插入孔; 具有可插入到大直径部分中的盖部的第一升降销（24b-1）和可插入大直径部分和小直径部分的轴部; 具有可插入大直径部分中的盖部分的第二提升销（24b-2）和可插入大直径部分和小直径部分中的轴部分。

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