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1. 发明授权

KR101747526B1 성막 장치 및 성막 방법 有权
公开(公告)号：KR101747526B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020150107439
申请日：2015-07-29
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고미아츠시 , 나카무라간토 , 기타다도오루 , 스즈키야스노부 , 후루카와신지
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/081 , C23C14/3464 , C23C14/3492 , C23C14/541 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/3405
摘要： 금속산화막을피처리체상에형성하기위한성막장치가제공된다. 일실시형태의성막장치는금속타겟으로부터의금속을피처리체상에퇴적시키는스퍼터장치이다. 이성막장치는피처리체를보지하기위한보지부에제 1 히터를구비하고있다. 또한, 이성막장치는보지부를향해산소가스를공급하는도입기구를구비하고있다. 또한, 이성막장치는가열기구를구비하고있다. 가열기구는피처리체를가열하기위한제 2 히터, 및이동유닛을갖고있다. 이동유닛은제 2 히터를보지부의상방의제 1 공간내의영역과해당제 1 공간으로부터이격된제 2 공간내의영역과의사이에서이동시키도록구성되어있다.

2. 发明公开

KR1020140021628A Cu 배선의 형성 방법 无效
标题翻译：形成铜线的方法
公开(公告)号：KR1020140021628A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020137028611
申请日：2012-03-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 후쿠시마다카라 , 이시자카다다히로 , 고미아츠시 , 하타노다츠오 , 미즈사와야스시
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76846 , C23C14/046 , H01L21/2855 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 Cu 배선의 형성 방법은, 트렌치를 가지는 웨이퍼의 전체면(全面)에 배리어막을 형성하는 공정과, 배리어막 상에 Ru막을 형성하는 공정과, Ru막 상에 PVD에 의해 순Cu막을 형성해서 트렌치를 매립하는 공정과, 순Cu막 상에 PVD에 의해 Cu 합금막을 형성하는 공정과, CMP에 의해 전체면을 연마해서 Cu 배선을 형성하는 공정과, Cu 배선상에 유전체로 이루어지는 캡층을 형성하는 공정과, Cu 배선과 캡층의 계면에 대응하는 부분을 포함하는 영역에, Cu 합금막에 포함되는 합금성분을 편석시키는 공정을 가진다.

3. 发明授权

KR101287225B1 기판 탑재 기구, 기판 처리 장치, 기판 탑재 기구상으로의 막 퇴적 억제 방법 및 기억 매체 有权
标题翻译：基板放置机构，基板处理装置，用于抑制基板放置机构上的膜沉积的方法和存储介质
公开(公告)号：KR101287225B1
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：KR1020107005339
申请日：2008-09-03
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하라마사미치 , 고미아츠시 , 마에카와신지 , 다가사토시 , 야마모토가오루
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/205 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01L21/67109
摘要： 피처리 기판이 탑재되는 기판 탑재 기구로서, 피처리 기판 탑재면(21a)을 갖고, 피처리 기판 W를, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체(21b)가 매립된 히터 플레이트(21)와, 적어도 히터 플레이트(21)의 피처리 기판 탑재면(21a) 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 성막 온도 미만인 비성막 온도로 되는 온도 조절 재킷(22)을 구비한다.

4. 发明授权

KR101052156B1 가스 공급 방법 및 가스 공급 장치 有权
公开(公告)号：KR101052156B1
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：KR1020097020116
申请日：2008-03-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하라마사미치 , 고미아츠시 , 요코야마오사무 , 다나카도시마사 , 마에카와신지 , 다가사토시
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/52
摘要： 본 발명은, 원료 용기내의 고체 원료를 가열하여 기화시킨 원료 가스를 소비 구역에 공급하는 가스 공급 방법에 있어서, 소비 구역에 연통하는 처리가스 공급로에 캐리어 가스를 통류시키는 동시에, 해당 처리가스 공급로내의 가스 압력을 측정하는 공정(a)과, 상기 원료 용기내의 고체원료를 가열하여, 원료 가스를 발생시키는 공정(b)과, 상기 공정(a)과 동일한 유량의 캐리어 가스를 상기 원료 용기내에 공급하여, 이 캐리어 가스와 함께 상기 원료 가스를 상기 처리가스 공급로에 통류시키면서 해당 처리가스 공급로내의 가스 압력을 측정하는 공정(c)과, 상기 공정(a)에서 취득한 압력 측정값과, 상기 공정(c)에서 취득한 압력 측정값과, 캐리어 가스의 유량에 근거하여, 상기 원료 가스의 유량을 연산하는 공정(d)을 구비한 것을 특징으로 하는 가스 공급 � �법이다.

5. 发明公开

KR1020100126307A 성막 방법, 성막 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 有权
标题翻译：薄膜形成方法，薄膜形成装置和计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020100126307A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020107018300
申请日：2009-01-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하라마사미치 , 미즈사와야스시 , 다가사토시 , 고미아츠시 , 하타노다츠오
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/285 , C23C16/16
CPC分类号： C23C16/45559 , C23C16/16 , H01L21/28562
摘要： 성막 방법은, 금속 카르보닐을 함유하는 처리 가스와 일산화탄소를 함유하는 캐리어 가스를 포함하는 처리 가스 흐름을, 피처리 기판의 표면을 피하여, 피처리 기판의 외주보다 직경 방향 상외측의 영역으로 흘리고, 상기 처리 가스 흐름으로부터 상기 금속 카르보닐을 상기 피처리 기판의 표면으로 확산시켜, 상기 피처리 기판의 표면에 금속막을 성막하는 것을 특징으로 한다.

6. 发明公开

KR1020080044901A 금속유기 전구체로 탄탈 함유층을 형성하는 방법 无效
标题翻译： 금속유기전구체로탄탈함유층을형성하는방법
公开(公告)号：KR1020080044901A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：KR1020087008285
申请日：2006-07-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 고미아츠시
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/06
CPC分类号： C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/34
摘要： A method and precursor for forming and integrating a Ta-containing layer in semiconductor processing. The tantalum precursor has the formula (CpR1)(CpR2)TaH(CO), where Cp is a cyclopentadienyl functional group and R1 and R2 are H or alkyl groups. The method includes providing a substrate in a process chamber of a deposition system, and exposing a process gas comprising the tantalum precursor to the substrate to form the Ta-containing layer. The Ta-containing layer may be treated to remove contaminants and modify the layer. The Ta-containing layer may contain tantalum metal, tantalum carbide, tantalum nitride, or tantalum carbonitride, or a combination thereof, and may be deposited in a TCVD, ALD, or PEALD process. A semiconductor device containing a Ta-containing layer formed on a patterned substrate containing one or more vias or trenches is provided.
摘要翻译：用于在半导体加工中形成和集成含Ta层的方法和前体。钽前体具有式（CpR1）（CpR2）TaH（CO），其中Cp是环戊二烯基官能团，R1和R2是H或烷基。该方法包括在沉积系统的处理室中提供衬底，并且将包含钽前体的处理气体暴露于衬底以形成含钽层。含钽层可被处理以去除污染物并改变层。含Ta层可以含有钽金属，碳化钽，氮化钽或碳氮化钽或其组合，并且可以以TCVD，ALD或PEALD工艺沉积。提供了包含形成在包含一个或多个通孔或沟槽的图案化衬底上的含Ta层的半导体器件。

7. 发明公开

KR1020050108395A 처리장치 및 처리방법 失效
标题翻译：加工设备和加工方法
公开(公告)号：KR1020050108395A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：KR1020057017183
申请日：2004-03-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 요시이나오키 , 가와무라고헤이 , 후쿠다유키오 , 시게오카다카시 , 고지마야스히코 , 오시마야스히로 , 아라미주니치 , 고미아츠시
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45561 , Y10T137/86558 , Y10T137/86566 , Y10T137/86638 , Y10T137/86726 , Y10T137/86743 , Y10T137/86751 , Y10T137/86871
摘要： A processing apparatus is disclosed which is capable of switching supplies of a raw material gas and a reducing gas alternately, while continuously forming a plasma of the reducing gas. An excitation device (12) excites a reducing gas supplied thereinto, and the excited reducing gas is supplied into a process chamber (2). A switching mechanism (20) is arranged between the excitation device (12) and the process chamber (2), and a bypass line (22) is connected to the switching mechanism (20). The switching mechanism (20) switches the flow of the excited reducing gas from the excitation device (12) between the process chamber (2) and the bypass line (22).
摘要翻译：公开了能够在连续地形成还原气体的等离子体的同时交替地切换原料气体和还原气体的供给的处理装置。励磁装置（12）激发供给到其中的还原气体，并将被激发的还原气体供给到处理室（2）。在励磁装置（12）和处理室（2）之间设置有切换机构（20），旁通管路（22）与切换机构（20）连接。切换机构（20）切换来自处理室（2）和旁通管线（22）之间的激发装置（12）的被激发的还原气体的流动。

8. 发明公开

KR20180037621A 기판 처리 장치 有权
标题翻译：衬底处理设备
公开(公告)号：KR20180037621A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：KR20187008876
申请日：2013-04-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고미아츠시 , 미야시타데츠야 , 후루카와신지 , 마에다고지 , 하라마사미치 , 스즈키나오유키 , 미키히로시 , 히라타도시하루
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
摘要： 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다
摘要翻译：一种设备包括：一排衬底传送装置3，其可以在传送室内传送晶片W; 以及沿着该行布置在该行基板传送装置的左右侧的处理模块PM，该处理模块PM被配置为对晶片W执行处理。处理模块PM的行被布置为使得每个处理可以由至少两个处理模块PM执行。因此，当不能使用单个处理模块PM时，可以将晶片W快速地转移到另一处理模块PM，该另一个处理模块PM可以执行与在相应处理模块中执行的处理相同的处理。因此，即使在不能使用一个处理模块PM的情况下，也能够在不停止装置的动作的情况下继续对晶圆W进行处理，能够减少浪费的晶圆W的数量。

9. 发明授权

KR101499305B1 성막 장치 有权
标题翻译：沉积装置
公开(公告)号：KR101499305B1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020127024088
申请日：2011-03-08
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하라마사미치 , 야마모토가오루 , 고미아츠시 , 다가사토시
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/16 , C23C16/4412 , C23C16/45591 , C23C16/45593 , H01L21/28556
摘要： 유기 금속 화합물로 이루어지는 원료 가스를 이용하여 박막을 형성하는 성막 장치는, 내부를 진공 배기할 수 있는 처리 용기(22)와, 피처리체(W)를 배치하며 피처리체(W)를 가열하는 가열 히터(34)가 설치된 배치대(28)와, 배치대(28)의 상방에 배치대(28)에 대향하도록 설치되고, 배치대(28) 상의 피처리체(W)의 외주단보다 외측의 영역을 향하여 원료 가스를 도입하는 가스 도입 기구(80)와, 배치대(28)의 상방의 처리 공간(S)을 둘러싸, 그 내외를 구획하며, 그 하단부가 배치대(28)에 접근하도록 설치되고, 하단부와 배치대(28)의 주연부 사이에서 가스 출구(92)를 형성하는 내부 구획벽(90)과, 내부 구획벽(90)의 하단부에 배치대(28)의 반경 방향의 내방을 향하여 연장되도록 설치되며, 배치대(28)의 주연부와의 사이에서 가스 출구(92)에 연통하는 오리피스부(98)를 형성하는 오리피스 형성 부재(96)를 구비한다.

10. 发明授权

KR101481924B1 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：薄膜成型方法和薄膜成型装置
公开(公告)号：KR101481924B1
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020137010785
申请日：2011-09-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 사쿠마다카시 , 하타노다츠오 , 요코야마오사무 , 고미아츠시 , 야스무로치아키 , 후쿠시마도시히코 , 도시마히로유키 , 가와마타마사야 , 미즈사와야스시 , 가토다카라
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/768 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/541 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882
摘要： 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

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