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21. 发明公开

KR1020160012091A 반도체 장치 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160012091A
公开(公告)日：2016-02-02
申请号：KR1020150103923
申请日：2015-07-22
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 이케모토요시히코 , 이노우에히로시 , 이시도기미노리 , 마쯔바라히로아키 , 이마이즈미유카리
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/485 , H01L23/28 , H01L23/12
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L25/0657 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06565 , H01L2225/06586 , H01L2224/83
摘要： 낮은높이, 저열저항의반도체장치및 그의제조방법의제공. 지지판(1)과, 지지판(1)의한쪽의주 표면위에접착층을개재하여소자회로면이위로향하게하여탑재된반도체칩(2)과, 상기반도체칩(2) 및그 주변을밀봉하는절연재료층(4)과, 상기절연재료층(4)에서, 상기반도체칩(2)의상기소자회로면에배치된전극위에형성된개구와, 상기반도체칩의상기전극과접속되도록상기개구내에형성된도전부(6)와, 상기절연재료층(4) 위에상기도전부(6)와접속되도록형성되고, 일부가상기반도체칩(2)의주변영역에연장된배선층(5)과, 상기배선층(5) 위에형성된외부전극(7)을구비하고, 상기지지판(1)은반도체장치의제조과정에서이용된복수의평판을적층하여이루어진복합지지판으로부터분리된복합지지판의최상층을구성한평판인것을특징으로하는반도체장치.
摘要翻译：本发明提供一种具有低高低热阻的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：支撑板（1）; 半导体芯片（2），其安装在所述支撑板（1）的一个主表面上，其间具有粘合剂层，使得元件电路表面朝上; 绝缘材料层（4），其密封半导体芯片（2）及其周围; 形成在绝缘材料层（4）上设置在半导体芯片（2）的元件电路表面上的电极上的开口; 导电部分（6），其形成在所述开口中以连接到所述半导体芯片的电极; 形成在绝缘材料层（4）上以连接到导电部分（6）并且其一部分延伸到半导体芯片（2）的周围区域的布线层（5）; 以及形成在所述布线层（5）上的外部电极（7），其中所述支撑板（1）是构成复合支撑板的顶层的平板，所述复合支撑板与通过层叠多个平板用于半导体器件的制造工艺中。

22. 发明公开

KR1020150112861A 반도체 패키지 审中-实审
标题翻译：半导体封装
公开(公告)号：KR1020150112861A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：KR1020150042092
申请日：2015-03-26
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 미야코시,다케시 , 호소야마다,스미카즈 , 쿠마가야,요시카즈 , 치카이,토모시게 , 나카무라,신고 , 마츠바라,히로아키 , 사쿠모토,쇼타로
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/28 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L23/3142 , H01L23/36 , H01L23/3677 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/13013 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29191 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/20751 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/43
摘要： 본발명의일 실시형태에따른적층형반도체패키지는제1 회로기판과, 제1 회로기판에제1 반도체소자가실장된제1 반도체패키지와, 제2 회로기판과, 제2 회로기판에제2 반도체소자가실장되어, 제1의반도체패키지에적층된제2 반도체패키지와제1 반도체를봉지하는봉지수지와, 봉지수지에접하여배치되는도전층과접속하여제1 회로기판상에배치되는서멀비아를구비한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的半导体封装包括：第一电路基板; 第一半导体封装，其具有安装在所述第一电路基板上的第一半导体器件; 第二基板; 层叠在第一半导体封装上的第二半导体封装，其中第二半导体器件安装在第二半导体封装上; 用于密封第一半导体的密封树脂; 以及连接到设置成与密封树脂接触的导电层并且布置在第一电路基板上的热通孔。

23. 发明公开

KR1020130014379A 반도체장치, 이 반도체장치를 수직으로 적층한 반도체 모듈 구조 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体器件，通过垂直堆叠半导体器件配置的半导体器件结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130014379A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020120081232
申请日：2012-07-25
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 야마가타오사무 , 가쓰마타아키오 , 이노우에히로시 , 사와치시게노리 , 이타쿠라사토루 , 야마지야스히로
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/12
CPC分类号： H01L24/97 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24226 , H01L2224/2518 , H01L2224/29099 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/078 , H01L2924/0951 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/1579 , H01L2924/15798 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A semiconductor device, a semiconductor module structure vertically laminating the same, and a manufacturing method thereof are provided to vertically laminate an LSI chip without a through electrode. CONSTITUTION: A through via(4) passes through an organic substrate(1). An external electrode(5a) and an internal electrode(5b) are installed on the surface and the rear of the organic substrate. An insulation material layer(6) seals the semiconductor device and the peripheral area of the semiconductor device. A metal thin film wiring layer(7) is formed in the insulation material layer. A metal via(10) is electrically connected to the metal thin film wiring layer. An external electrode(9) is formed on the metal thin film wiring layer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件，其垂直层叠的半导体模块结构及其制造方法，用于将LSI芯片垂直层叠而不具有通孔。构成：通孔（4）穿过有机基底（1）。外部电极（5a）和内部电极（5b）安装在有机基板的表面和后部。绝缘材料层（6）密封半导体器件和半导体器件的外围区域。在绝缘材料层上形成金属薄膜布线层（7）。金属通孔（10）电连接到金属薄膜布线层。在金属薄膜布线层上形成外部电极（9）。

25. 发明公开

KR1020170142913A 반도체 패키지의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体封装的方法
公开(公告)号：KR1020170142913A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020170076415
申请日：2017-06-16
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 미치다,히로카즈 , 키타노,카즈히코
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/142 , H01L21/4803 , H01L21/4846 , H01L21/4871 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L23/552 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/02311 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/03914 , H01L2224/04105 , H01L2224/11013 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2224/83 , H01L2924/0665
摘要： 수율이높은반도체패키지의제조방법을제공한다. 반도체패키지의제조방법은, 적어도 1 종류의금속을포함하고, 제1 면과상기제1 면에대향하는제2 면을가지는기재의상기제1 면및 상기제1 면과상기제2 면의사이에위치하는측면부를에칭하고, 또한, 상기제1 면및 상기측면부에상기금속과는상이한다른금속을부착시키고, 상기기재의상기제2 면에, 외부단자를구비하는반도체장치를상기외부단자가상기제2 면에대향하지않도록배치하고, 상기반도체장치를덮는수지절연층을형성하고, 상기수지절연층상에제1 도전층을형성하고, 상기제1 도전층및 상기수지절연층에상기반도체장치의상기외부단자를노출시키는개구부를형성하고, 상기기재의상기제1 면및 측면부, 상기제1 도전층상, 및상기개구부내에도금층을형성하는것을포함한다.
摘要翻译：提供了一种制造具有高产量的半导体封装的方法。一种制造半导体封装的方法，包括以下步骤：形成包括至少一种金属的第一半导体封装，衬底的第一表面具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且通过使用外部端子虚拟地将在基板的第二表面上具有外部端子的半导体器件附着到基板的第一表面和侧表面并且在树脂绝缘层上形成覆盖半导体器件的树脂绝缘层，使得第一导电层形成在树脂绝缘层上，形成用于暴露外部端子的开口，并且在基板的第一表面和侧表面，第一导电层和开口中形成镀层。

26. 发明公开

KR1020170132093A 반도체 제조 장치 및 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体制造装置和制造方法
公开(公告)号：KR1020170132093A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：KR1020170062001
申请日：2017-05-19
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 카이,미노루
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/681 , H01L21/6838 , H01L23/147 , H01L23/49833 , H01L24/05 , H01L24/75
摘要： 피탑재체의피착면에대한반도체칩 탑재정밀도를유지하면서, 다이어태치에걸리는시간을단축할수 있는반도체제조장치및 반도체장치의제조방법을제공한다. 진공발생기에접속되고, 복수의반도체칩을가지는반도체웨이퍼를흡착하는스테이지와, 상기스테이지와상기진공발생기와의접속부에접속되고, 상기스테이지와상기진공발생기와의접속을제어하는흡착제어부와, 상기복수의반도체칩의각각을픽업하는픽업부와, 상기픽업부의이동및 회전을제어하고, 또한상기흡착제어부를제어하는제어부를구비하고, 상기픽업부는, 상기제어부에의해서상기반도체칩을상기스테이지로부터지지기판상의실장위치로이동시켜접착시키는, 반도체제조장치이다.
摘要翻译：它提供了一个用于生产半导体制造装置和半导体装置，其在保持半导体芯片安装的有效载荷的沉积表面的精度，可以减少它需要附加金刚石的时间。被连接到一个真空发生器，它被连接到多个阶段为具有半导体芯片的阶段和真空发生器之间的连接的半导体晶片的吸力，与吸附剂渔夫用于控制级和所述真空发生器，多个之间的连接支撑基板和用于拾取单独的半导体芯片，控制所述移动和拾取单元的旋转，并且也拾取器和用于从控制阶段在吸附剂渔夫部，由控制器的半导体芯片的控制部分的拾取部到达半导体晶片上的安装位置。

27. 发明授权

KR101757478B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101757478B1
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：KR1020110020878
申请日：2011-03-09
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 이마이즈미,유카리 , 가와즈,고시 , 구도,이사오 , 가츠마타,아키오 , 히루타,요이치
IPC分类号： H01L23/433 , H01L25/065 , H01L23/367
CPC分类号： H01L23/4334 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/05554 , H01L2224/16145 , H01L2224/29036 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/30505 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06589 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 본발명은, 반도체소자동작시의열을효과적으로봉지부재내부에확산시켜, 반도체장치의방열성의향상, 열저항의저감을실현하는반도체장치를제공한다. 반도체장치에서, 기판과, 기판상에배치되는반도체소자와, 반도체소자상에배치되는방열부재와, 기판의상부와, 반도체소자와, 방열부재를피복하는봉지부재를구비하고, 방열부재의반도체소자에배치되는면의표면적은, 반도체소자의방열부재가배치되는면의표면적보다큰 것을특징으로한다. 본발명과관련되는반도체장치에의하면, 봉지부재내부에방열부재를매립하는것에의해, 종래의방열부재보다작은면적의방열부재에의해반도체소자동작시의열을효과적으로봉지부재내부에확산시키고, 반도체장치의방열성을향상시키며, 열저항의저감을도모하는것이가능해진다.

28. 发明公开

KR1020170044587A 접착 헤드 및 이를 이용한 반도체 제조 장치 审中-实审
标题翻译：胶粘头和使用其的半导体制造设备
公开(公告)号：KR1020170044587A
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020160129190
申请日：2016-10-06
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 카이,미노루
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L21/18 , H01L21/67 , H01L21/66
CPC分类号： H01L24/75 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/681 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/75312 , H01L2224/75316 , H01L2224/7532 , H01L2224/75702 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75822 , H01L2224/75824 , H01L2224/8313 , H01L2224/83132 , H01L2224/8317 , H01L2224/8318 , H01L2224/83191 , H01L2924/00014 , H01L2924/0715 , H01L2924/0635 , H01L2924/06 , H01L2924/013 , H01L2924/00012
摘要： 피탑재체의피착면에대한반도체디바이스의탑재정도를향상시키고, 또한, 피탑재체의피착면과반도체디바이스와의접착성을향상시킬수 있는반도체제조장치및 해당반도체제조장치에이용되는접착헤드를제공한다. 반도체디바이스와접촉하는부분에탄성부재를포함하고, 상기반도체디바이스의피접촉면에광학적으로독취가능하게마련된마커를검출가능하도록하는얼라이먼트마크인식영역을갖는접착헤드및 해당접착헤드가적용된반도체제조장치가제공된다.
摘要翻译：改进了与用于有效载荷，并且还的沉积表面的半导体装置的程度，提供了一种用于血液的有效载荷粘物表面，并且可以提高半导体装置和半导体制造装置之间的粘合的半导体制造装置的接合头。一种半导体制造装置是弹性部件，以在与所述半导体器件中，焊头和具有对准标记识别区域结合头接触的部分被检测到光学读取可能被施加设置有半导体装置的皮肤接触表面上的标记物，它提供。

29. 发明公开

KR1020160084344A 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160084344A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020160082375
申请日：2016-06-30
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 마루타니,히사카즈 , 이와미,야스나리 , 치카이,도모시게 , 다카하시,도모코 , 야마가타,오사무 , 미츠기,신고 , 친,소코
IPC分类号： H01L23/16 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/00 , H01L25/065 , H01L25/00
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L23/16 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/21 , H01L2224/2101 , H01L2224/215 , H01L2224/22 , H01L2224/221 , H01L2224/24011 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82101 , H01L2224/82102 , H01L2224/92244 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： 본발명은, 반도체소자상에형성되는배선의접속성의제품수율을향상하고, 지지판에반도체소자를마운트할 때에고정밀도가요구되지않는반도체장치및 그제조방법을제공한다. 반도체장치에대해, 지지판과지지판상에재치되고, 복수의제1 전극이형성된회로소자면을갖는반도체소자와반도체소자의회로소자면을피복하고, 복수의제1 전극을노출하는복수의제1 개구를갖는제1 절연층과, 지지판의상부와제1 절연층이형성된반도체소자의측부를피복하는제2 절연층과, 제1 절연층및 제2 절연층의상부에접하여형성되고, 복수의제1 전극과전기적으로접속되는배선층을구비하는것을특징으로한다. 본발명과관련되는반도체장치의제조방법에의하면, 열적스트레스에의한지지판의휘어짐을경감하여배선의접속성의제품수율을향상시키고, 개구형성시에요구되는고도의반도체소자의마운트정밀도가불필요해지는반도체장치를제조할수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件提高半导体元件上形成的布线的连接性，并且不需要高精度地将半导体元件安装在支撑板上。一种半导体器件，包括支撑板，安装在支撑板上并包括具有多个第一电极的电路元件表面的半导体元件，覆盖半导体元件的电路元件表面的第一绝缘层，并且包括多个第一孔暴露多个第一电极，覆盖支撑板的上部和半导体元件的侧部的第二绝缘层以及形成在第一绝缘层的上部和第二绝缘层的上部上的布线，并电连接到相应的第一电极。根据本发明的半导体装置的制造方法，其中由热应力引起的支撑板的弯曲减小的半导体装置，导致布线的连接性提高，超高半导体元件的安装精度，形成孔径所需要的，不再需要。

30. 发明公开

KR1020160012913A 반도체 패키지 审中-实审
标题翻译：半导体封装
公开(公告)号：KR1020160012913A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020150099569
申请日：2015-07-14
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 와타나베,신지 , 호소야마다,스미카즈 , 나카무라,신고 , 데마치,히로시 , 미야코시,타케시 , 치카이,토모시게 , 이시도,키미노리 , 마츠바라,히로아키 , 나카무라,다카시 , 혼다,히로카즈 , 쿠마가야,요시카즈 , 사쿠모토,쇼타로 , 이와사키,토시히로 , 타마가와,미치아키
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H05K1/181 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/3733 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L25/105 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H05K1/0204 , H05K1/0206 , H05K1/0209 , H05K1/141 , H05K2201/0275 , H05K2201/066 , H05K2201/10515 , H05K2203/1311 , H05K2203/1322 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 적층형반도체패키지에있어서, 하측칩에서상측칩으로의전열을경감하는반도체패키지를제공하는것을목적으로한다. 제1 회로기판과제1 회로기판에실장된제1 반도체소자를포함한제1 반도체패키지와, 제2 회로기판과제2 회로기판에실장된제2 반도체소자를포함하고제1 반도체패키지에적층된제2 반도체패키지와, 제1 반도체소자상 및제1 반도체소자주변의제1 회로기판상에배치되는열전도재료를갖는적층형반도체패키지가제공된다.
摘要翻译：在叠层半导体封装中，本发明提供一种用于将电热从下芯片降低到上芯片的半导体封装。堆叠的半导体封装包括：第一半导体封装，包括第一电路板和安装在第一电路板上的第一半导体器件; 第二半导体封装，其包括第二电路板和安装在第二电路板上的第二半导体器件，并且层叠在第一半导体封装上; 以及布置在第一半导体器件和第一电路板周围的第一半导体器件的传热材料。

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