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11. 发明公开

KR1020100103651A 전자 빔 노출 시스템 有权
公开(公告)号：KR1020100103651A
公开(公告)日：2010-09-27
申请号：KR1020107016869
申请日：2003-10-30
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 윌랜드마르코잰-자코 , 캠퍼비크베르트잰 , 반빈알렉산더핸드릭빈센트 , 크루이트피터
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/304 , H01J37/317
CPC分类号： H01J3/02 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/06 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/06308 , H01J2237/06375 , H01J2237/3045
摘要： The invention relates to an electron beam generator for generating an electron beam, comprising an electron source and an extractor. The combination of electron source and extractor in use forms a negative lens, wherein said extractor has a positive voltage with respect to the source. The extractor and the electron source are positioned such that, in use, a space charge limited region is present between them. In an embodiment, the extractor is a planar extractor. In another embodiment, the source is a thermionic source.. The generator may comprise an illumination system for collimating the electron beam.

12. 发明公开

KR1020060036391A 대전 입자 빔렛 노광 시스템 有权
标题翻译：充电颗粒光束曝光系统
公开(公告)号：KR1020060036391A
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020057022719
申请日：2004-05-27
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 크루이트피터 , 빌란트마르코잔-자코
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3007 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/045 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/045 , H01J2237/0453 , H01J2237/0492 , H01J2237/1501
摘要： The invention relates to a charged-particle-optical system for a charged particle beam exposure apparatus, said system comprising: - a first aperture means comprising at least a first substantially round aperture for partially shielding an emitted charged particle beam for forming a charged particle beamlet; - a lens system comprising at least one lens for focussing a charged particle beamlet from said first aperture within or in the vicinity of an image focal plane of said lens; - a deflector means, substantially located in said image focal plane, comprising at least one beamlet deflector for the deflection of a passing charged particle beamlet upon the reception of a control signal, and - a second aperture means comprising at least one second substantially round aperture positioned in the conjugate plane of the first aperture, and said second aperture being aligned with said first aperture and said beamlet deflector for blocking said charged particle beamlet upon deflection by said beamlet deflector and to transmit it otherwise.
摘要翻译：本发明涉及一种用于带电粒子束曝光装置的带电粒子光学系统，所述系统包括： - 第一孔径装置，其包括至少第一基本上圆形的孔，用于部分屏蔽发射的带电粒子束以形成带电粒子束 ; - 透镜系统，包括至少一个透镜，用于聚焦所述透镜的图像焦平面内或附近的来自所述第一孔的带电粒子束; - 基本上位于所述图像焦平面中的偏转器装置，包括至少一个子束偏转器，用于在接收到控制信号时偏转通过的带电粒子子束;以及 - 第二孔装置，包括至少一个第二基本上圆形的孔定位在第一孔的共轭平面中，并且所述第二孔与所述第一孔和所述小梁偏转器对准，用于在所述子束偏转器偏转时阻挡所述带电粒子子束，否则传递。

13. 发明公开

KR1020030029045A 하전입자선에 의한 검사장치 및 그 검사장치를 사용한장치제조방법 失效
标题翻译：使用带电粒子束的检查装置和使用该检查装置的装置制造方法
公开(公告)号：KR1020030029045A
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：KR1020027014575
申请日：2001-06-27
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 나카스지마모루 , 노지노부하루 , 사타케도루 , 김바도시후미 , 소부카와히로시 , 요시가와쇼지 , 가리마타츠토무 , 오와다신 , 사이토무츠미 , 하마시마무네키 , 다카기도루
IPC分类号： H01J37/29
CPC分类号： G03F7/70616 , G01N23/225 , H01J37/05 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/075 , H01J37/185 , H01J37/20 , H01J37/222 , H01J37/226 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0435 , H01J2237/057 , H01J2237/06316 , H01J2237/082 , H01J2237/202 , H01J2237/20228 , H01J2237/204 , H01J2237/22 , H01J2237/2446 , H01J2237/24485 , H01J2237/24564 , H01J2237/248 , H01J2237/2482 , H01J2237/2806 , H01J2237/2816 , H01J2237/2817
摘要： 본 발명은 검사장치 및 그 검사장치를 사용한 반도체장치의 제조방법이다.
검사장치는 웨이퍼 등의 시료의 결함검사, 선폭측정, 표면전위측정 등을 행하기 위하여 사용된다. 검사장치에 있어서, 1차 광학계로부터 복수의 하전입자가 시료에 입사되고, 시료로부터 방출되는 2차 하전입자가 1차 광학계로부터 분리되어 2차 광학계를 사이에 두고 검출기로 유도된다. 하전입자의 조사는 시료를 이동하면서 행하여진다. 하전입자 조사점은 시료의 이동방향으로 N행, 이것과 직각방향으로 M열로 배치된다. 하전입자 조사점의 각 행이 순차 시료 이동방향과 직각방향으로 일정량씩 어긋나게 된다.

14. 发明公开

KR1020000062166A 대전 입자빔 리소그라피 시스템 失效
标题翻译：充电粒子束光刻系统
公开(公告)号：KR1020000062166A
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：KR1019990051532
申请日：1999-11-19
申请人： 주식회사 아도반테스토
发明人： 마루야마시게루 , 오오아에요시히사 , 사토타카마사 , 아라이소우이치로 , 하시모토시니치
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/045 , H01J37/3177 , H01J2237/0435
摘要： 향상된신뢰성을제공하고저비용고품질의극미세 LSI 패턴을그릴수 있는블랭킹애퍼처어레이대전입자빔리소그라피시스템이개시된다. 대전입자빔리소그라피시스템은빔 소스, 블랭킹애퍼처어레이, 편향유닛, 수렴유닛, 및노출제어회로를구비한다. 블랭킹애퍼처어레이는다수의애퍼처와전극의각 쌍이각 애퍼처상에서서로마주하는전극들을구비하고있다. 각애퍼처상의편향전극에인가되는온-오프신호를사용하여, 블랭킹애퍼처어레이에있는각 애퍼처를통과하는대전입자빔이시료에조사되는지여부가결정될수 있다. 편향유닛은블랭킹애퍼처어레이를통과하는대전입자빔을편향시킨다. 수렴유닛은블랭킹애퍼처어레이를통과하는대전입자빔을시료상에수렴시킨다. 노출제어회로는노출패턴에따라블랭킹애퍼처어레이에있는애퍼처상의전극에인가되는신호를제어한다. 이블랭킹애퍼처어레이는다수겹의 BAA 기판을구비한다. 각 BAA 기판은내부에다수의관통애퍼처를구비하고일측상에형성된편향전극을구비한다.

15. 发明公开

KR1019960015754A 하전 입자선 전사용 마스크 无效
标题翻译：转印充电器的面罩
公开(公告)号：KR1019960015754A
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：KR1019950036733
申请日：1995-10-24
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 오끼노데루아끼
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： G03F1/20 , H01J2237/0435 , H01J2237/31794
摘要： 하전입자선전사용마스크는하전입자선을통과시키는제1영역, 하전입자선의산란또는흡수정도가제1영역(AR1)보다큰 제2영역및 조사량보정부재를구비한다. 상기조사량보정부재는하전입자선이제1 및제2영역을통하여감응기판에조사될때, 감응기판의조사량분포가조사량보정부재없이얻어지는것과상이하도록제공된다. 상기조사량보정부재는, 하전입자선의산란또는흡수의정도가상기제1영역보다크지만상기제2영역보다작은박막으로구성되며, 상기박막은적어도부분적으로상기제1영역을덮도록하여상기제2영역에인접하여배치된다.
摘要翻译：带电粒子，以促进使用掩模具有第一区域，该带电粒子的散射或吸收线的程度比用于使所述带电粒子束的第二区域和剂量修正构件的第一区域（AR1）更大。照射剂量校正构件被设置为使得当带电粒子束通过第一和第二区域照射在敏感基板上时，感光基板的照射剂量分布不同于没有照射剂量校正构件的照射剂量分布。其中照射量修正元件由尺寸大于第二区域但大于带电粒子束的散射或吸收程度的薄膜构成，并且薄膜至少部分地覆盖第一区域，恩波接触放置。

16. 发明授权

KR101922624B1 멀티 하전 입자빔 노광 방법 및 멀티 하전 입자빔 노광 장치 有权
公开(公告)号：KR101922624B1
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：KR1020170007988
申请日：2017-01-17
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 마츠모토히로시
IPC分类号： G03F1/78 , G03F7/20 , G03F1/20
CPC分类号： H01J37/3023 , H01J37/20 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/30472
摘要： 본발명의일 태양의멀티하전입자빔노광방법은, 멀티빔을이용하여빔마다동일한조사위치에연속으로복수회의빔의샷이행해지는다중노광중 적어도 1 회의노광처리에대해멀티빔의각 빔의조사시간을제어하는클록주기가다른노광처리와는상이하도록적어도 1 개의상이한클록주기를포함하는복수의클록주기를설정하고, 노광처리마다적어도 1 개의상이한클록주기를포함하는복수의클록주기중 설정된클록주기를이용해해당노광처리에서의조사시간을제어하여, 멀티빔을이용해시료상의각각대응되는조사위치를노광하는것을특징으로한다.

17. 发明公开

KR1020170093062A 노광장치 审中-实审
标题翻译：曝光装置
公开(公告)号：KR1020170093062A
公开(公告)日：2017-08-14
申请号：KR1020170004128
申请日：2017-01-11
申请人： 주식회사 아도반테스토
发明人： 하마구치신이치 , 타나카히토시 , 토쿠노아츠시 , 코지마신이치 , 야마다아키오
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/78 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/065 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/06308 , H01J2237/0835 , H01J2237/31754
摘要： 노광장치에있어서, 애퍼처어레이위의가늘고긴 피조명영역을, 강한강도로조명하는전자빔을형성하는수단을제공한다. 시료상에서조사위치가서로다른복수의하전입자빔을형성하는형성부 122를포함하는노광장치 100에있어서, 형성부 122는, 장방향과그에직교하는단방향에서서로다른폭을갖는방출영역 21로부터하전입자빔을방출하는입자원 20과, 장방향과그에직교하는단방향에서서로다른폭을갖는피조명영역 61에복수의개구 62가배치된애퍼처어레이소자 60과, 입자원 20과애퍼처어레이소자 60 사이에마련된조명렌즈 30, 50과, 입자원 20과애퍼처어레이소자 60 사이에마련되어자기장또는전기장의작용에의해하전입자빔의단면형상을비등방성형상으로변형시키는빔 단면변형소자 40을포함하는노광장치 100에의함.
摘要翻译：在曝光设备中，提供了用于形成电子束的装置，该装置以强烈的强度照射孔径阵列上的细长照明区域。在对照射位置的曝光装置100的样品包括用于形成多个带电粒子的形成部分122的光束彼此不同，形成单元122具有，从发射区21在纵向方向和单向与其垂直，并具有不同的宽度和用于发射的带电粒子束，在照明区域61中的纵向和随后正交多个开口62的具有从单向到部署孔径阵列装置60和粒子源20个gwaae孔径阵列元件60具有不同的宽度的颗粒源20 半曝光之间设有照明透镜，其中包括50与梁的横截面变形元件40由在非晶形60中的磁场或电场的工作之间的粒子源20 gwaae孔径阵列元件变形带电粒子束的横截面形状 Lt。

18. 发明公开

KR1020170087034A 멀티 하전 입자빔 노광 방법 및 멀티 하전 입자빔 노광 장치 审中-实审
标题翻译：多电荷粒子束曝光方法和多电荷粒子束曝光设备
公开(公告)号：KR1020170087034A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020170007988
申请日：2017-01-17
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 마츠모토히로시
IPC分类号： G03F1/78 , G03F7/20 , G03F1/20
CPC分类号： H01J37/3023 , H01J37/20 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/30472
摘要： 본발명의일 태양의멀티하전입자빔노광방법은, 멀티빔을이용하여빔마다동일한조사위치에연속으로복수회의빔의샷이행해지는다중노광중 적어도 1 회의노광처리에대해멀티빔의각 빔의조사시간을제어하는클록주기가다른노광처리와는상이하도록적어도 1 개의상이한클록주기를포함하는복수의클록주기를설정하고, 노광처리마다적어도 1 개의상이한클록주기를포함하는복수의클록주기중 설정된클록주기를이용해해당노광처리에서의조사시간을제어하여, 멀티빔을이용해시료상의각각대응되는조사위치를노광하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明的一个方面，成为连续的在用于多光束多的每个波束相同的照射位置处的光束的多次拍摄的性能的多光束的各个光束的曝光照射期间相对于用于曝光工艺中的至少一个时间的多带电粒子束曝光方法时钟周期被设定在多个时钟周期中的一种用于控制在多个时钟周期包括至少一个不同的时钟周期的时间，并且包括各自具有至少一个不同的时钟周期是从时钟周期不同曝光处理不同的，并且在曝光过程并且控制曝光过程中的曝光时间以使用多光束曝光样品上的相应照射位置。

19. 发明公开

KR1020170061069A 애퍼쳐의 얼라인먼트 방법 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 审中-实审
标题翻译：光圈和多带电粒子束绘制设备的对准方法
公开(公告)号：KR1020170061069A
公开(公告)日：2017-06-02
申请号：KR1020160154114
申请日：2016-11-18
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 나나오츠바사
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/20 , G03F1/42 , G03F9/00
CPC分类号： G03F7/2059 , H01J37/304 , H01J37/3045 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0458 , H01J2237/1501
摘要： 본발명의일 실시형태에의한얼라인먼트방법은, 빔입사방향을변화시키면서, 하전입자빔을성형애퍼쳐에조사하는공정과, 검출기를사용하여, 상기하전입자빔의입사방향마다, 블랭킹애퍼쳐를통과한빔의전류량을검출하는공정과, 상기입사방향과상기전류량에기초하여전류량분포맵을작성하는공정과, 상기전류량분포맵에기초하여성형애퍼쳐또는블랭킹애퍼쳐를이동시켜, 성형애퍼쳐와블랭킹애퍼쳐와의위치정렬을행하는공정을구비한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的对准方法包括以下步骤：在改变光束入射方向的同时用带电粒子束照射成形孔径的步骤;以及使用检测器在带电粒子束的每个入射方向上形成消隐孔径的步骤基于入射方向和电流量形成电流量分布图的步骤;基于电流量分布图移动成形孔径或消隐孔径的步骤; 并将消隐光圈与消隐光圈对齐。

20. 发明公开

KR1020170017881A 즉각적인 e 빔 정렬 审中-实审
标题翻译： e飞行中的EBEAM对齐
公开(公告)号：KR1020170017881A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020167031350
申请日：2014-12-22
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 보로도브스키,얀에이. , 넬슨,도날드더블유. , 필립스,마크씨.
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , H01J37/317 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/682 , H01J37/045 , H01J37/3026 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/24578 , H01J2237/30438 , H01J2237/31762 , H01J2237/31764 , H01L21/0277 , H01L21/31144 , G03F7/2059 , G03F7/70716 , H01J37/3174
摘要： 상보적 e 빔리소그래피(CEBL)에적합한리소그래피장치들및 이러한리소그래피를수반하는방법론들이설명되어있다. 예에서, e 빔툴의스테이지상에놓인웨이퍼의실시간정렬방법은상기스테이지의스캔동안상기 e 빔툴의 e 빔컬럼이라이팅하는동안에상기웨이퍼의하부패터닝된피처로부터후방산란된전자들을수집하는단계를수반한다. 상기수집하는단계는상기 e 빔컬럼하부에배치된전자검출기에의해수행된다. 상기방법은또한상기수집하는단계에기초하여상기 e 빔컬럼에대한상기스테이지의정렬의선형보정들을수행하는단계를수반한다.
摘要翻译：描述适用于涉及补充电子束光刻（CEBL）的光刻设备和方法。在一个示例中，位于电子束工具的台上的晶片的实时对准的方法涉及从电子束工具的电子束列的电子束列中收集来自晶片的底层图案化特征的反向散射电子，扫描舞台。收集由放置在电子束柱底部的电子检测器进行。该方法还涉及基于收集来执行阶段相对于电子束列的对准的线性校正。

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