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热词
    • 12. 发明公开
    • 입자 제조 장치 및 방법
    • 装置和制造颗粒的方法
    • KR1020150011366A
    • 2015-01-30
    • KR1020147033463
    • 2013-04-26
    • 리액티브 메탈 파티클스 에이에스
    • 루드,아이리크
    • B22F9/12B22F9/28B01J12/00C01B13/18
    • B22F9/12B01J4/002B01J12/02B01J19/123B01J19/26B01J2219/00123B01J2219/00128B01J2219/0013B01J2219/00137B01J2219/00139B01J2219/00141B01J2219/0286B01J2219/029B22F1/0011B22F1/0018B22F9/28B22F9/30B22F2201/02B22F2304/05B22F2304/10B22F2998/10C01B13/20C01B21/06C01G9/03C01P2004/04C22C18/00
    • 본 발명은, 불활성 가스 증발에 기초하여 고체 입자들을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 이 방법은, 재료의 포화 증기를 포함하는 연속 가스 피드 유동을 형성하고, 입구로부터 돌출하는 피드 제트 유동의 형태로 반응기 챔버의 자유 공간 구역 내로 입구를 통해 연속 가스 피드 유동을 분사하는 단계, 및 냉각 유체의 하나 이상의 연속 제트 유동을 형성하고 상기 하나 이상의 연속 제트 유동을 반응기 챔버 내로 분사하는 단계를 포함하며, 상기 피드 제트 유동은 반응기 입구로써 기능하며 높이(A
      feed ) 및 폭(B
      feed )을 갖는 노즐 개구의 직사각형 횡단면 영역을 갖는, 분사 노즐을 통해 반응기 챔버 압력을 초과하는 0.01ㆍ10
      5 내지 20ㆍ10
      5 Pa 범위의 압력으로 피드 유동을 통과함으로써 이루어지며, 여기서, 폭(B
      feed )/높이(A
      feed )의 종횡비는 ≥ 2 : 1� ��며, 높이(A)는 0.1 내지 40 mm 범위이며, 냉각 유체의 하나 이상의 제트 유동의 각각은, 냉각 유체의 제트 유동을 향하는 분사 노즐들을 통해 냉각 유체를 통과시킴으로써 이루어지며, 냉각 유체의 제트 유동은 30°내지 150°의 교차 각도로 피드 제트 유동과 교차하며, 냉각 유체의 하나 이상의 제트 유동의 각각은, 개별적으로 또는 조합하여, 피드 제트 유동의 분사를 위한 노즐 개구로부터 이격된 의도된 거리에서 피드 제트 유동의 가스의 실질적으로 전부의 가스와 혼합한다.
    • 一种基于惰性气体蒸发制造固体颗粒的装置和方法。 该方法包括形成连续的气态进料流,并将连续的气态进料流以进料喷射流的形式注入入口进入反应器室的自由空间区域,并形成至少一个连续的喷射流 将冷却流体的至少一个喷射流注入到反应室中。 通过使来自反应器室压力的压力通过进料流通过注射喷嘴在0.01×10 5至20×105 Pa的范围内来进行。 冷却流体的射流通过使冷却流体通过喷射喷嘴而形成,该喷嘴引导冷却流体的喷射流,使得其与进给射流相交,角度在30°和150°之间。
    • 14. 发明授权
    • 플라즈마 나노 분말 합성 및 코팅 장치 와 그 방법
    • 等离子体纳米粉末合成和涂布装置及其方法
    • KR101301967B1
    • 2013-08-30
    • KR1020110048161
    • 2011-05-20
    • 한국에너지기술연구원
    • 김종휘이형재김용일
    • C23C4/04
    • H05H1/48B22F1/0018B22F2999/00C23C14/22C23C14/228C23C14/325H01J37/32009H05H1/44H05H2245/124B22F9/28B22F9/24B22F3/003
    • 본 발명은 플라즈마 나노분말 합성 및 코팅 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 플라즈마 나노분말 합성 및 코팅 장치는, 밀폐된 공간을 형성하며, 일측에 마련된 반응부와 타측에 마련된 공정부를 구비한 챔버를 포함하며, 상기 챔버에서 유동되는 기체의 상류측에 마련된 상기 반응부에서는 공급되는 전류에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치에 의해 형성된 고온의 플라즈마 영역이 구비되고, 혼합가스를 상기 반응부로 공급하는 혼합가스 공급부와, 상기 반응부로 분말을 공급하는 분말 공급부가 구비되며, 상기 챔버에서 유동되는 기체의 하류측에 마련된 상기 공정부에는, 소재를 지지하는 지지부를 구비하며, 상기 챔버 내부를 진공으로 형성시키는 진공형성부;를 포함하고, 상기 반응부로 공급된 분말은 상기 반응부의 상기 플라즈마 영역에 서 반응되며, 상기 반응된 분말이 상기 반응부, 상기 공정부 및 상기 지지부 표면에서 합성되며, 상기 지지부의 소재 표면에 코팅되어 코팅층을 형성하며, 상기 플라즈마 토치는 상기 반응부의 상부 중심에서 이격되어 복수로 마련되어 등간격으로 상기 반응기 상부에 배치되어 상기 플라즈마 토치는 상기 반응부의 중앙 영역에서 상기 플라즈마 영역을 합성하여 형성하고, 상기 분말 공급부는 분말을 상기 반응부의 중앙 영역에 형성된 상기 플라즈마 영역으로 공급 가능하게 상기 반응부의 중심에 배치된 것을 특징으로 한다.
      이에, 이종 분말을 반응, 합성 및 코팅을 동시에 할 수 있으며, 다양한 반응 조건을 간단하고 편리하게 조절할 수 있다.
    • 15. 发明公开
    • 스폰지 형태의 금속 제조방법 및 이에 사용되는 제조장치
    • 制备海绵金属的方法和制备海绵金属的装置
    • KR1020130076270A
    • 2013-07-08
    • KR1020110144792
    • 2011-12-28
    • 재단법인 포항산업과학연구원
    • 정재영
    • B22F9/28
    • B22F9/28B22F1/0007
    • PURPOSE: A method for manufacturing a sponge metal and a device thereof are provided to prevent a block generated in an end to discharge a metal chloride by pressurizing a metal chloride and injecting into an injection nozzle. CONSTITUTION: A device for manufacturing a sponge metal comprises a reactor (11), an injection nozzle (12), a reduction furnace (10), and a metal chloride pressurization unit (14). The reactor comprises a reducing agent, and manufactures a sponge metal by a reaction of a reducing agent and a metal chloride supplied. The injection nozzle is extended from a top of the reactor to a bottom, and supplies the metal chloride within the reactor. The reduction furnace piles the reactor in a circle. The metal chloride pressurization unit is positioned in an end of the injection nozzle extended to an outside of a top of the reactor.
    • 目的:提供一种海绵状金属的制造方法及其装置,以防止通过对金属氯化物进行加压并注入喷嘴而在最终产生的块体排出金属氯化物。 构成:用于制造海绵金属的装置包括反应器(11),注射喷嘴(12),还原炉(10)和金属氯化物加压单元(14)。 反应器包括还原剂,并通过还原剂和供应的金属氯化物的反应制造海绵金属。 注射喷嘴从反应器的顶部延伸到底部,并且在反应器内供应金属氯化物。 还原炉将反应器堆成一圈。 金属氯化物加压单元位于喷嘴延伸到反应器顶部外部的一端。
    • 18. 发明公开
    • 복합금속 나노입자의 제조방법 및 제조장치
    • 制备金属复合纳米粒子的方法和装置
    • KR1020100049250A
    • 2010-05-12
    • KR1020080108343
    • 2008-11-03
    • 전자부품연구원
    • 김영석홍성제권순형
    • B82B3/00B82Y40/00
    • B22F9/28B22F1/0088B22F2301/10B22F2304/054B82Y30/00B82Y40/00
    • PURPOSE: A method and apparatus for manufacturing metal composite nanoparticles are provided to prevent metal surface oxidation and agglomeration between particles. CONSTITUTION: A method for manufacturing metal composite nanoparticles comprises: a step of preparing a metal nanoparticle by dry process; a step of contacting self-assembly monomolecular(SAM) layer to obtain metal composite nanoparticles; and a step of collecting the metal composite nanoparticles. An apparatus for manufacturing the metal composite nanoparticles comprises: a metal nanoparticle manufacturing unit(10) which is able to manufacture the metal composite nanopaticles by dry method; and a particle surface processing unit(11) which forms the metal composite nanoparticles by surface treatment with the SAM layer.
    • 目的:提供一种用于制造金属复合纳米颗粒的方法和设备,以防止金属表面氧化和颗粒之间的团聚。 构成:制造金属复合纳米颗粒的方法包括:通过干法制备金属纳米颗粒的步骤; 接触自组装单分子(SAM)层以获得金属复合纳米颗粒的步骤; 以及收集金属复合纳米颗粒的步骤。 一种金属复合纳米颗粒的制造装置,其特征在于,具有能够通过干式制造金属复合纳米颗粒的金属纳米粒子制造单元(10) 和通过SAM层的表面处理形成金属复合纳米粒子的粒子表面处理单元(11)。
    • 20. 发明公开
    • 게르마늄 나노결정립의 제조방법
    • 纳米晶体的制备方法
    • KR1020100013119A
    • 2010-02-09
    • KR1020080074644
    • 2008-07-30
    • 포항공과대학교 산학협력단
    • 정민철신현준박용섭이영미
    • B82B3/00B82Y40/00
    • B22F1/0018B22F9/28B82Y40/00
    • PURPOSE: A manufacturing method of a germanium nano crystalline is provided to secure the structural stability by forming a germanium nitride barrier in nano units around the germanium nano crystalline. CONSTITUTION: A manufacturing method of a germanium nano crystalline(500) comprises the steps of: forming a germanium nitride thin film by a ionized nitrogen gas on a germanium board(100); and forming the germanium nano crystalline surrounded by the germanium nitride film through post-heating the germanium nitride thin film. The ionized nitrogen gas is obtained by direct current ion gun in the form of a hot filament. The ionized nitrogen gas is usually in the N2+ status. The step of forming germanium nitride thin film operates in the room temperature. The step forming germanium nitride thin film operates in the pressure of 0.5×10-6-10×10-6 torr.
    • 目的:提供锗纳米晶体的制造方法,以通过在纳米晶体周围形成纳米单元的氮化锗屏障来确保结构稳定性。 构成:锗纳米晶体(500)的制造方法包括以下步骤:在锗板(100)上通过电离氮气形成氮化锗薄膜; 以及通过对所述氮化锗薄膜进行后加热来形成由所述氮化锗膜包围的锗纳米晶体。 电离氮气是以热丝形式的直流离子枪获得的。 电离氮气通常处于N2 +状态。 形成氮化锗薄膜的步骤在室温下工作。 台阶形成氮化锗薄膜的工作压力为0.5×10-6-10×10-6乇。