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11. 发明授权

KR100826587B1 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막의 패터닝 방법 失效
标题翻译：使用原子力显微镜光刻系统的薄膜图案
公开(公告)号：KR100826587B1
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：KR1020060107903
申请日：2006-11-02
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 표얼
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2049 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/427
摘要： A method for patterning a thin film using an atomic force microscope lithography technique is provided to reduce limitation on the thickness of organic resist by using fine force between a sample and a probe. A thin film is deposited on a substrate. Organic resist is deposited on the thin film. A mask material having a thickness of 3-10 nm is deposited on the organic resist. An atomic force microscope lithography process is performed on the mask material so that a part of the mask material is removed to expose a part of the organic resist. The exposed part of the organic resist is removed and patterned by an O2 plasma ashing process. The mask material can be at least one or two kinds of mixtures selected from metal, ceramic and silicon oxide.
摘要翻译：提供使用原子力显微镜光刻技术对薄膜进行图案化的方法，以通过使用样品和探针之间的微小力来减小对有机抗蚀剂厚度的限制。薄膜沉积在基底上。有机抗蚀剂沉积在薄膜上。在有机抗蚀剂上沉积厚度为3-10nm的掩模材料。对掩模材料进行原子力显微镜光刻工艺，以便除去部分掩模材料以暴露部分有机抗蚀剂。通过O2等离子体灰化处理去除有机抗蚀剂的暴露部分并进行图案化。掩模材料可以是选自金属，陶瓷和氧化硅中的至少一种或两种混合物。

12. 发明授权

KR100645308B1 초음파 처리를 이용한 탄소나노튜브의 수직 배열 방법 有权
标题翻译：通过超声处理使碳纳米管垂直排列
公开(公告)号：KR100645308B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020050097889
申请日：2005-10-18
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 김성경
IPC分类号： H01B1/20 , C01B31/02

13. 发明公开

KR1020060072185A 주사 탐침 현미경의 기능성 디스크 및 이것을 이용하여 탐침과 기판 간의 전기적 특성을 측정하는 방법 失效
标题翻译：使用SPM的功能盘和SPM的功能盘来测量提示和样本之间的电压/电流的方法
公开(公告)号：KR1020060072185A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：KR1020040110034
申请日：2004-12-22
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 정정주 , 한철수 , 배석종 , 김무섭
IPC分类号： H01J37/30
摘要： 본 발명은 주사 탐침 현미경을 이용한 리소그래피 과정에서 탐침과 기판 사이에 인가되는 전류와 전압을 용이하게 측정할 수 있는 기능성 디스크와 이것을 이용하는 측정방법에 관한 것이다.
본 발명은 주사 탐침 현미경의 디스크를 각각의 단자를 가지면서 가운데 절연체를 두고 상하 조합되는 도전특성이 있는 디스크 상판과 디스크 하판으로 구성하고, 외부 측정기기를 디스크 상판과 디스크 하판의 단자에 연결하여 바이어스 전압 또는 전류 인가시 탐침과 기판 사이에 흐르는 전압 또는 전류를 측정하는 방법과, 외부 측정장치측에 연결하기 위한 각각의 단자를 가지면서 가운데 절연체를 두고 상하 일체형으로 조합되는 도전특성이 있는 디스크 상판과 디스크 하판으로 구성된 기능성 디스크를 제공한다.
원자간력 현미경, 리소그래피, 탐침-기판 전류, 디스크

14. 发明公开

KR1020120130668A 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体碳纳米管的制造方法
公开(公告)号：KR1020120130668A
公开(公告)日：2012-12-03
申请号：KR1020110072994
申请日：2011-07-22
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 서정은 , 여해구
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , C01B31/02 , H01B1/04
CPC分类号： C01B32/172 , B01J19/12 , B82B1/00 , B82B3/0095 , C01B32/17 , C01B2202/02
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of semi-conductive carbon nano-tube 3d networks is provided to selectively remove metallic carbon nano-tube among the carbon nano-tube 3D networks. CONSTITUTION: A manufacturing method of semi-conductive carbon nano-tube 3d networks comprises the following steps: forming silicon pillar on a silicon substrate; dipping the silicon substrate into a metal catalyst solution and absorbing the metal catalyst on the substrate; providing carbon source gas on the substrate in which the catalyst is absorbed and forming carbon nano-tube 3D network between the silicon pillars; and selectively removing the metal carbon nano-tube by gas plasma processing the carbon nano-tube 3D network. The plasma processing is performed at 5-25W and room temperature for 60-90 seconds. The gas used in the plasma processing is hydrogen.
摘要翻译：目的：提供半导体碳纳米管3d网络的制造方法，以选择性地去除碳纳米管3D网络中的金属碳纳米管。构成：半导体碳纳米管3d网络的制造方法包括以下步骤：在硅衬底上形成硅柱; 将硅衬底浸入金属催化剂溶液中并吸收衬底上的金属催化剂; 在催化剂被吸收的基板上提供碳源气体，并在硅柱之间形成碳纳米管3D网络; 并通过碳纳米管3D网络的气体等离子体处理选择性去除金属碳纳米管。等离子体处理在5-25W和室温下进行60-90秒。用于等离子体处理的气体是氢气。

15. 发明公开

KR1020120059349A 고강도 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법 有权
标题翻译：具有改进强度的碳纳米管三维网络的制造方法
公开(公告)号：KR1020120059349A
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020110088430
申请日：2011-09-01
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 서정은
IPC分类号： C01B31/02 , C23C16/26 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C01B32/16 , B82B3/0038 , B82Y40/00 , C23C16/26
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing high intensity three-dimensional network of carbon nanotubes is provided to keep the three-dimensional network of the carbon nanotubes in fluid by coating metal oxide on the three-dimensional network of the carbon nanotubes. CONSTITUTION: A method for manufacturing high intensity three-dimensional network of carbon nanotubes includes the following: silicon pillars are formed on a silicon substrate; the silicon substrate with the silicon pillar is immersed in a metal bicatalyst solution to uniformly absorb the metal bicatalyst on the substrate; carbon source gas is supplied to the substrate with the absorbed catalyst to form three-dimensional network of carbon nanotubes between the silicon pillars; a metal oxide is coated on the three-dimensional network of the carbon nanotubes based on an atomic layer deposition method; the three-dimensional network with coated metal oxide of the carbon nanotubes is re-immersed in the metal bicatalyst solution; and carbon nano-tubes are coated.
摘要翻译：目的：提供一种制造碳纳米管高强度三维网络的方法，通过在碳纳米管的三维网络上涂覆金属氧化物，将碳纳米管的三维网络保持在流体中。构成：用于制造碳纳米管的高强度三维网络的方法包括：在硅衬底上形成硅柱; 将具有硅柱的硅衬底浸入金属双催化剂溶液中以均匀地吸收衬底上的金属双催化剂; 用吸收的催化剂将碳源气体供应到衬底，以在硅柱之间形成碳纳米管的三维网络; 基于原子层沉积方法将金属氧化物涂覆在碳纳米管的三维网络上; 将具有碳纳米管涂覆金属氧化物的三维网络重新浸入金属双催化剂溶液中; 并涂覆碳纳米管。

16. 发明授权

KR101087538B1 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 失效
标题翻译：包含三维碳纳米管网络的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101087538B1
公开(公告)日：2011-11-29
申请号：KR1020090040971
申请日：2009-05-11
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 이태재 , 서정은 , 한성환 , 민선기
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要： 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지가 제공된다.
본 발명에 따르면, 실리콘 나노 로드들 사이 또는 나노 홀의 내부에 병렬적으로 수평성장되어 띄워진 탄소나노튜브를 직접 성장시킴으로써 후공정에 따른 탄소나노튜브의 결함 또는 낮은 전도성 문제를 해결할 수 있으며, 상기 탄소나노튜브의 공간당 밀도가 높을 뿐만 아니라 탄소나노튜브의 말단이 전도성 기판(실리콘 전극) 자체와 직접연결되어 전도성이 향상되며, 상기 실리콘 전극에는 나노 로드 또는 나노 홀들이 형성되어 있으므로 빛 반사율이 감소되기 때문에 전체적으로 광전변환효율을 증가시킬 수 있다.

17. 发明授权

KR101031835B1 탐침 표면 검사기의 고속 자동 어프로치 장치 및 방법 失效
标题翻译：探针表面检测系统快速自动接近的装置和方法
公开(公告)号：KR101031835B1
公开(公告)日：2011-05-02
申请号：KR1020090073464
申请日：2009-08-10
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 정정주 , 한철수
IPC分类号： G01Q20/02 , G01Q10/04 , G01N37/00
摘要： 탐침 표면 검사기의 고속 자동 어프로치 장치 및 방법이 개시된다. 광원부는 일단에 팁이 결합된 캔틸레버의 반사면에 빛을 조사한다. 구동부는 팁과 캔틸레버가 결합된 탐침의 하부에 위치하는 시료의 표면을 향해 탐침을 하강시켜 팁을 시료의 표면에 접근시킨다. 조도 측정부는 광원부로부터 조사된 빛이 시료의 표면에 의해 반사된 반사광을 수집하여 조도를 측정한다. 제어부는 탐침이 구동부에 의해 시료의 표면을 향해 하강하는 동안 조도 측정부에 의해 측정된 조도값이 최대값에 도달한 후 감소하는 구간에 설정된 제1지점까지 구동부가 사전에 설정된 제1속도로 탐침을 하강시키도록 제어하고, 탐침이 제1지점에 도달하면 구동부가 사전에 설정된 제2속도로 탐침을 하강시키도록 제어하고, 팁과 시료의 표면 사이에 작용하는 반 데르 발스 힘이 검출되면 구동부가 사전에 설정된 제3속도로 사전에 설정된 제2지점까지 탐침을 하강시키도록 제어한다. 본 발명에 따르면, 팁과 캔틸레버가 결합된 탐침을 하강시키는 구동부의 동작을 기존의 코어스 동작 단계 및 미세 동작 단계의 두 단계로 구분하는 대신 시료 표면으로부터 측정된 조도값 및 탐침의 변위 정보에 따라 네 단계로 구분하여 탐침의 어프로치 동작이 빠르게 수행되도록 한다.
시료 표면 검사, 탐침 어프로치, 조도값

18. 发明公开

KR1020110020321A 탐침 표면 검사기의 고속 자동 어프로치 장치 및 방법 失效
标题翻译：探针表面检测系统（PSIS）快速自动化方法的设备与方法
公开(公告)号：KR1020110020321A
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：KR1020090073464
申请日：2009-08-10
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 정정주 , 한철수
IPC分类号： G01Q20/02 , G01Q10/04 , G01N37/00
CPC分类号： G01Q20/02 , G01Q10/065 , G01Q60/42 , G03F9/7034
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for a fast and automatic approaching operation of PSIS(Probe Surface Inspection System) are provided to enable fast and automatic approaching operation of a probe by classifying the descending operation of a probe coupled to a tip and cantilever into four steps. CONSTITUTION: A light source unit(410) irradiates light on a reflection plane of a cantilever coupled to a tip, and a driving unit(450) allows the probe to move down toward a surface of a sample so that the tip approaches the surface of the sample. An illumination measurement unit(420) collects the light reflected from the surface of the sample to measure illumination. A control unit(440) controls a driving unit to move the probe down to a first target point at a first speed. If the probe reaches the first point, the control unit moves the probe down at a second speed.
摘要翻译：目的：提供一种用于快速和自动接近PSIS（探头表面检测系统）操作的装置和方法，以通过将耦合到尖端和悬臂的探头的下降操作分为四部分来实现探针的快速和自动接近操作脚步。构成：光源单元（410）将光照射在耦合到尖端的悬臂的反射平面上，并且驱动单元（450）允许探针朝向样品的表面向下移动，使得尖端接近例子。照明测量单元（420）收集从样品表面反射的光以测量照明。控制单元（440）控制驱动单元以第一速度将探头向下移动到第一目标点。如果探头到达第一点，则控制单元以第二速度向下移动探头。

19. 发明授权

KR100851394B1 원자간력 현미경용 조명장치 및 그 제어방법 有权
标题翻译：原子力显微镜照明系统及其控制过程
公开(公告)号：KR100851394B1
公开(公告)日：2008-08-08
申请号：KR1020060136370
申请日：2006-12-28
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 정정주 , 한철수
IPC分类号： G01N13/16 , G01N13/00
摘要： 본 발명은 탐침과 샘플에서 근접한 위치에 소형 고휘도 발광 소자를 설치하고 제어하게 하여 원자간력 현미경(AFM : Atomic Force Microscope)에서 나노급 측정을 위한 탐침의 거동을 감지하는 레이저 빔이 캔틸레버의 반사면 위에 정렬하도록 하는 캔틸레버의 몸체와 샘플의 표면 정보를 영상 정보로 변환하여 주는 영상 정보 획득 장치에서 필요로 하는 광원을 용이하게 조사시킬 수 있는 원자간력 현미경용 조명장치 및 그 제어방법을 제공하는데 그 특징이 있다.
또한, 본 발명은 캔틸레버에 근접한 위치에 소형 고휘도 발광 소자를 설치하여 필요로 하는 광원을 용이하게 조사시킬 수 있어 전체적인 구조를 간단하게 구성시킬 수 있고, 이에 따른 소형화 및 경량화가 가능하게 하는 원자간력 현미경용 조명장치 및 그 제어방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명은 간단한 구조로 인해 경제성을 향상시키는 등의 그 효율성을 향상시켜 이를 사용하는 사용자로 하여금 사용상의 신뢰도 및 만족도를 극대화하는 원자간력 현미경용 조명장치 및 그 제어방법을 제공하는데 있다.
원자간력 현미경, AFM, 조명장치, 소형 고휘도 발광 소자

20. 发明公开

KR1020080061530A 원자간력 현미경용 조명장치 및 그 제어방법 有权
标题翻译：原子力显微镜照明系统及其控制过程
公开(公告)号：KR1020080061530A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020060136370
申请日：2006-12-28
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이해원 , 정정주 , 한철수
IPC分类号： G01N13/16 , G01N13/00
CPC分类号： G01Q60/24 , G01Q10/04 , G01Q20/02
摘要： An illumination system for an atomic force microscope and a method for controlling the same are provided to simplify an overall structure by installing a compact high density light emission device at a position adjacent to a cantilever in order to thereby easily illuminate a light source. An illumination system for an atomic force microscope includes an image information acquisition unit(10), an objective lens(20), a prism(30), a control unit(400), a signal processing unit(300), a driving unit(200), and a cantilever(50). The illumination system easily aligns a laser beam by identifying a position of the cantilever at the atomic force microscope. The illumination system further includes an illumination unit(100) positioned between a reflective mirror(40) and the cantilever so as to illuminate a light source required for the image information acquisition unit to identify a surface state of a sample.
摘要翻译：提供了一种用于原子力显微镜的照明系统及其控制方法，以通过将紧凑型高密度发光器件安装在与悬臂相邻的位置处以简化整体结构，从而易于照亮光源。原子力显微镜照明系统包括图像信息获取单元（10），物镜（20），棱镜（30），控制单元（400），信号处理单元（300），驱动单元 200）和悬臂（50）。照明系统通过在原子力显微镜下识别悬臂的位置来容易地对齐激光束。照明系统还包括位于反射镜（40）和悬臂之间的照明单元（100），以照亮图像信息获取单元所需的光源来识别样品的表面状态。

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