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11. 发明公开

KR1020160043436A 불휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件及其操作方法
公开(公告)号：KR1020160043436A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：KR1020140137818
申请日：2014-10-13
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이동훈
IPC分类号： G11C16/14 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/3445 , G11C16/0483 , G11C16/16
摘要： 본기술은비트라인들과공통소오스라인사이에연결되며다수의메모리셀들이포함된다수의스트링들로구성된메모리블럭의상기메모리셀들을소거하고, 상기메모리셀들중, 소거속도가느린선택된메모리셀들의소거검증동작을수행하고, 상기소거검증동작이패스될때까지상기단계들을반복하는불휘발성메모리장치및 이의동작방법을포함한다.
摘要翻译：本技术包括非易失性存储器件及其操作方法。非易失性存储器件的操作方法包括以下步骤：去除连接在位线和公共源极线之间的存储器块的存储单元，并且由具有多个存储器单元的多个串构成; 在存储单元中执行具有低擦除速度的存储单元的擦除验证操作; 并重复上述步骤直到擦除验证操作通过。

12. 发明公开

KR1020010058605A 발진기 无效
标题翻译：振荡器
公开(公告)号：KR1020010058605A
公开(公告)日：2001-07-06
申请号：KR1019990065956
申请日：1999-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 허도환 , 임일호 , 이동훈
IPC分类号： H03B1/00 , H03L5/00
摘要： PURPOSE: An oscillator is provided to produce a clock having a constant frequency when the power supply is not stable by adjusting the resistance of the oscillator after detecting the level of source voltage. CONSTITUTION: In the oscillator, the output of the first inverter(INV1) is connected to the input of the second inverter(INV2). The output of the second inverter(INV2) is connected to the input of the third inverter(INV3). The output of the third inverter(INV3) is connected to the input of the first inverter(INV1) and to the output unit(10). And the output unit(10) produces an oscillation signal(OSC). Resistance adjusters(21,22,23) come in between the inverters(INV1,INV2,INV3) and the output unit(10) respectively. The resistance adjusters(21,22,23) all have a set of different levels of resisters(R1,R2,R3) in serial. And each of the resisters(R1,R2,R3) is in parallel with an NMOS transistor(N1,N2,N3) respectively. The NMOS transistors(N1,N2,N3) operates to first-to-third voltage detectors(31,32,33) respectively detecting the level of the source voltage(Vcc).
摘要翻译：目的：提供振荡器，通过在检测到源极电压电平后调整振荡器的电阻，在电源不稳定时产生具有恒定频率的时钟。构成：在振荡器中，第一个反相器（INV1）的输出端连接到第二个反相器（INV2）的输入端。第二反相器（INV2）的输出连接到第三反相器（INV3）的输入端。第三反相器（INV3）的输出连接到第一反相器（INV1）的输入端和输出单元（10）。并且输出单元（10）产生振荡信号（OSC）。电阻调节器（21,22,23）分别位于反相器（INV1，INV2，INV3）和输出单元（10）之间。电阻调节器（21,22,23）均具有一组不同级别的电阻（R1，R2，R3）。并且每个电阻（R1，R2，R3）分别与NMOS晶体管（N1，N2，N3）并联。 NMOS晶体管（N1，N2，N3）对分别检测源极电压（Vcc）的电平的第一至第三电压检测器（31,32,33）进行操作。

13. 实用新型

KR2020000001034U 통신시스템 기지단말기용 랙의 배터리케이블 인출장치 无效
标题翻译：通信系统基站终端的机架电池电缆回收装置
公开(公告)号：KR2020000001034U
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR2019980010648
申请日：1998-06-19
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이동훈
IPC分类号： H04Q1/00
摘要： 본 고안은 통신시스템 기지단말기용 랙의 배터리케이블 인출장치에 관한 것으로, 기지단말기(100)의 내측 상부에 각종 전장품이 구비된 엔클로져부(110)가 설치되면서, 내측 하부에 케이블(120)을 통해 인가된 전원을 공급받도록 된 배터리부(130)가 설치된 구조로 이루어진 통신시스템 기지단말기용 랙에 있어서, 배터리부(130)의 함체 후면에는 작업자가 손을 넣어 케이블(120)을 연결 또는 해체시킬 수 있도록 된 관통홈(10)이 형성되면서, 이 관통홈(10)에는 힌지축(21)을 통해 회동됨과 동시에 래치(22)의 회전에 의해 개폐되도록 된 케이블점검용 배터리도어(20)가 장착된 구조로 이루어져, 케이블의 연결 또는 해체작업과정이 단순화되게 한 것이다.

14. 发明公开

KR1019990010040A 모스소자 제조방법 无效
标题翻译：莫尔斯器件的制造方法
公开(公告)号：KR1019990010040A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970032661
申请日：1997-07-14
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이동훈 , 이상기
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 모스소자 제조방법에 관한 것으로 특히, 모스소자의 특성 향상에 적당하도록 한 모스소자 제조방법에 관한 것이다. 이와 같은 모스소자 제조방법은 반도체기판상에 제 1 및 제 2 절연막을 형성하는 단계, 활성영역 및 격리영역을 정의하여 격리영역의 제 2 및 제 1 절연막을 선택적으로 제거하는 단계, 상기 격리영역에 격리절연막을 형성하는 단계, 상기 각 활성영역상의 제 1 및 제 2 절연막을 교대로 제거하는 단계, 상기 기판전면에 감광막을 도포한후 선택적으로 패터닝하여 상기 제 2 절연막이 남아있는 활성영역상측 및 그에 인접한 격리절연막상에만 선택적으로 남기는 단계, 상기 노출된 활성영역에 제 1 도전형 웰 이온을 주입하는 단계, 상기 기판 전면에 제 2 도전형 웰 이온을 주입하는 단계, 상기 감광막을 제거한후 전면을 열처리하여 상기 반도체기판내에 제 1 및 제 2 도전형 웰영역을 형성하는 단계, 상기 제 1 도전형 웰 영역이 형성된 상기 반도체기판에 제 1 도전형 문턱전압 조절 이온을 주입하는 단계, 상기 기판 전면에 제 2 도전형 문턱전압 조절 이온을 주입하는 단계, 상기 제 2 및 제 1 절연막을 제거하는 단계를 포함한다.

15. 发明公开

KR1019990009566A 모스펫 제조방법 无效
公开(公告)号：KR1019990009566A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970032002
申请日：1997-07-10
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이동훈 , 윤기석
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 모스펫 제조방법에 관한 것으로 특히, 모스펫의 집적도 및 특성을 향상하기에 적당한 모스펫 제조방법에 관한 것이다. 이와 같은 모스펫 제조방법은 격리영역 및 활성영역으로 정의된 반도체기판의 격리영역에 격리절연막을 형성하는 단계, 상기 반도체기판 전면에 제 1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제 1 절연막을 선택적으로 제거하여 상기 활성영역 및 활성영역에 인접한 격리절연막을 노출시키는 단계, 상기 노출된 반도체기판, 격리절연막 및 제 1 절연막상에 게이트 절연막, 제 1 전도층 및 캡절연막을 차례로 형성하는 단계, 상기 캡절연막, 제 1 전도층 및 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여 상기 활성영역상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 제 2 절연막을 형성한후 에치백하여 상기 게이트 전극의 측면에 측벽 스페이스를 형성하고, 상기 제 1 절연막이 형성되지 않은 격리절연막을 소정깊이로 제거하는 단계, 상기 측벽 스페이 스 측면의 격리절연막중 격리절연막이 소정깊이로 제거된 영역에 제 2 전도층을 형성하는 단계를 포함한다.

16. 发明公开

KR1019990009248A 트랜지스터 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990009248A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970031581
申请日：1997-07-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 윤기석 , 이동훈
IPC分类号： H01L29/41
摘要： 본 발명은 소자의 고집적화로 게이트 전극의 길이가 감소하여도 게이트 저항을 감소하여 소자의 동작 속도를 향상시키는 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 트랜지스터 및 그 제조 방법은 제 1 도전형 기판상의 소정 영역에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막상의 양측에 절연막을 형성하고, 상기 절연막과 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 양측의 기판 표면내에 제 2 도전형 불순물 영역을 형성하며, 상기 게이트 전극과 제 2 도전형 불순물 영역의 노출된 표면에 셀리사이드층을 형성하는 것을 포함함을 특징으로 한다.

17. 实用新型

KR2019960035622U 웨이퍼 척 无效
公开(公告)号：KR2019960035622U
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR2019950007500
申请日：1995-04-14
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유순포 , 문현명 , 이동훈
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 본고안은공급되는냉각수의흐름을적절하게조절하여온도차이로인하여웨이퍼에발생하는열적응력을제거할수있는웨이퍼척을개시한다. 본고안은척의온도를감지하여그 신호를온도조절기에전달하는온도감지센서가설치되며, 온도조절기에는냉각수배출라인에설치된솔레노이드밸브가접속되어온도조절기로하여금감지된척의온도에따라솔레노이드밸브를단속하여배출되는냉각수의양을조절할수있도록구성하였다.

18. 实用新型

KR2019960025278U 양극산화막이 도포된 플라즈마 반응장치 失效
公开(公告)号：KR2019960025278U
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR2019940035957
申请日：1994-12-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 정구문 , 조종석 , 이동훈 , 황두환 , 유순포 , 문현명
IPC分类号： H01L21/18

19. 发明公开

KR1020160036994A 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020160036994A
公开(公告)日：2016-04-05
申请号：KR1020140129478
申请日：2014-09-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이동훈
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/324
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/20 , H01L21/324 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 반도체장치의제조방법은데이터저장막을공유하는메모리셀들을형성하는단계; 상기메모리셀들중 체커보드패턴으로배열된제1 메모리셀들에대해스트롱프로그램을실시하는단계; 상기스트롱프로그램실시후, 열처리공정을실시하는단계; 상기메모리셀들중 반전체커보드패턴으로배열된제2 메모리셀들에대해스트롱프로그램을실시하고, 상기제1 메모리셀들에대해슬라이트프로그램을실시하는단계; 및상기스트롱프로그램및 상기슬라이트프로그램을실시한후, 열처리공정을실시하는단계를포함한다.
摘要翻译：提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括以下步骤：形成共享数据存储层的存储单元; 在存储单元之间对以棋盘图案布置的第一存储单元执行强程序操作; 在执行强程序操作之后执行热处理过程; 对所述存储单元中的所述反向检验板模式中布置的第二存储单元执行强编程操作，并对所述第一存储单元执行轻微的编程操作; 并且在执行强程序操作和轻微程序操作之后执行热处理过程。因此，该方法提高了保留特性。

20. 实用新型

KR2020000001025U 통신시스템용 기지단말기의 소음방지 커넥터 구조 无效
标题翻译：通信系统基站的防噪声连接器结构
公开(公告)号：KR2020000001025U
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR2019980010639
申请日：1998-06-19
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이동훈
IPC分类号： H01R13/52
摘要： 본 고안은 통신시스템용 기지단말기의 랙에 구비된 전장품유니트와 보드를 연결하기 위한 커넥터에 관한 것으로, 수커넥터(100)와 암커넥터(200)를 상호결합하여 임피던스 저항을 일정하게 유지시킬 수 있도록 된 소음방지용 커넥터에 있어서, 암커넥터(200)의 양측부에 오목하게 형성된 안착홈(10)에 내주면을 따라 오목하게 유선홈(20)이 형성되면서, 수커넥터(100)의 단부에는 유선홈(20)에 밀착되게 삽입되어 유동을 방지하는 장착돌기(30)가 일체로 형성된 구조로 이루어져, 암커넥터의 유선홈에 수커넥터의 장착돌기가 삽입되어 밀착되므로 균일한 임피던스가 유지되면서 저항손실이 최소화될 뿐만 아니라 암수커넥터의 분해가 용이하게 한 것이다.

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