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热词
    • 11. 发明授权
    • 배열 불량 교정 방법
    • 对齐错误校正方法
    • KR100697651B1
    • 2007-03-20
    • KR1020050115326
    • 2005-11-30
    • 삼성전자주식회사
    • 임정택이동춘윤영지박성홍
    • H01L21/66
    • G03F7/70633
    • An alignment error correcting method is provided to reduce the time necessary for inspecting alignment errors and to correct easily the alignment errors in a following process. A conductive pattern structure composed of a first and a second conductive pattern is formed on a first semiconductor substrate. A first conductive contact structure(100a) is formed on the first semiconductor substrate. The first conductive contact structure has a second position against the first semiconductor substrate. The existence of electrical short between the first conductive contact structure and the conductive pattern structure is determined. A second conductive contact structure with the same shape as that of the first conductive contact structure is formed on a second semiconductor substrate. The second conductive contact structure has a third position against the second semiconductor substrate when the electrical short does not exist. The second conductive contact structure has a fourth position against the second semiconductor substrate when the electrical short exists.
    • 提供了一种对准误差校正方法,以减少检查对准误差所需的时间,并在以后的处理中容易地校正校准误差。 在第一半导体衬底上形成由第一和第二导电图案组成的导电图案结构。 第一导电接触结构(100a)形成在第一半导体衬底上。 第一导电接触结构具有抵抗第一半导体衬底的第二位置。 确定第一导电接触结构和导电图案结构之间的电短路的存在。 在第二半导体衬底上形成具有与第一导电接触结构相同形状的第二导电接触结构。 当电短路不存在时,第二导电接触结构具有抵靠第二半导体衬底的第三位置。 当存在电气短路时,第二导电接触结构具有抵靠第二半导体衬底的第四位置。
    • 12. 发明公开
    • 모듈 기판 외부 단자의 오염을 방지하는 메모리 모듈 조립방법
    • 具有防止模块基板外部端子污染的存储模块组装方法
    • KR1020070000743A
    • 2007-01-03
    • KR1020050056319
    • 2005-06-28
    • 삼성전자주식회사
    • 방효재김병만이동춘한성찬유광수신동우
    • H01L23/50H01L23/52H01L21/304
    • H01L2224/10
    • A memory module assembling method for preventing contamination on an external terminal of a module substrate is provided to improve reliability of electrical connection between a memory module and an external system by preventing contamination on the external terminal of the module substrate effectively. An external terminal cleaning process is performed to remove first contaminants from an external terminal of a module substrate. An attachment process is performed to attach a protective tape on the external terminal of the module substrate. A mounting process is performed to mount electronic components on one surface of the module substrate by using a reflow soldering method. A removal process is performed to remove the protective tape from the external terminal.
    • 提供了一种用于防止模块基板的外部端子上的污染的存储模块组装方法,以通过有效地防止模块基板的外部端子上的污染来提高存储器模块和外部系统之间的电连接的可靠性。 执行外部终端清洁处理以从模块基板的外部端子去除第一污染物。 执行附接处理以将保护带附接到模块基板的外部端子上。 通过使用回流焊接方法进行安装工艺以将电子部件安装在模块基板的一个表面上。 执行去除处理以从外部端子去除保护带。
    • 13. 发明授权
    • 수리가 쉬운 반도체 패키지의 기판 실장 구조, 적층 패키지및 반도체 모듈
    • 易折叠半导体封装,堆叠封装和半导体模块的安装结构
    • KR100621437B1
    • 2006-09-08
    • KR1020050061252
    • 2005-07-07
    • 삼성전자주식회사
    • 방효재김병만이동춘
    • H01L21/60
    • H01L2924/3511
    • 본 발명은 반도체 패키지를 실장 기판에 실장한 후 또는 단위 패키지를 적층하여 적층 패키지를 제조한 후 쉽게 분리하여 수리 공정을 진행할 수 있는 수리가 쉬운 반도체 패키지의 기판 실장 구조, 적층 패키지 및 반도체 패키지에 관한 것이다. 반도체 패키지를 실장 기판에 실장 할 때, 단위 패키지를 적층하여 적층 패키지로 구현할 때 그리고 반도체 패키지를 모듈용 기판에 실장하여 반도체 모듈로 구현할 때, 상호간에 전기적으로 연결하기 위해서 솔더 접합 방법을 사용하기 때문에, 열적 스트레스에 따른 문제와 수리 공정이 쉽지 않은 문제가 발생된다. 본 발명은 상호간의 전기적 연결 수단으로 기계적인 접촉에 의해 전기적 연결이 가능한 연결 부재를 개재하고, 그 연결된 상태를 고정 부재로 구속함으로써, 연결 부재를 통한 상호간의 전기적 연결이 가능하기 때문에 종래의 솔더 접합 공정에 수반되는 열적 스트레스에 따른 문제를 해소할 수 있다. 그리고 수리 공정시 고정 부재의 구속된 상태를 해제함으로써, 열적 스트레스를 작용하지 않으면서 실장 기판에서 반도체 패키지를 쉽게 분리할 수 있고, 적층 패키지에서 단위 패키지를 쉽게 분리할 수 있고, 모듈용 기판에서 반도체 패키지를 쉽게 분리할 수 있다.
      수리, 열적 스트레스, 도전성 고무판, 압력 전도성 고무, 접촉
    • 14. 发明公开
    • 반도체 모듈 및 그 제조방법
    • 半导体模块及其制造方法
    • KR1020060020808A
    • 2006-03-07
    • KR1020040069491
    • 2004-09-01
    • 삼성전자주식회사
    • 이동춘김병만한성찬유광수신동우이영수
    • H01L23/50
    • H01L23/32H01L23/49811
    • 본 발명은 반도체 모듈에 관한 것으로서, 반도체 소자와, 그 반도체 소자를 탑재하는 기판과, 그 기판상에 마련되어 외부 소켓(socket)의 소켓 핀(socket pin)과 접촉하는 탭(tab) 단자를 구비한 반도체 모듈에 있어서, 그 탭 단자는 그 기판 방향으로 함몰된 함몰부(陷沒部) 또는 그 탭 단자 및 그 기판을 관통하는 관통홀을 포함하는 구성을 특징으로 한다. 또한 본 발명은 반도체 모듈의 제조방법에 관한 것으로서, 양면에 각각 제1 및 제2탭 단자가 마련된 기판과 그 제1 및 제2탭 단자를 관통하는 관통홀이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
      그러므로 본 발명에 따른 반도체 모듈이 외부 소켓(socket)에 장착되는 경우에, 소켓 핀(socket pin)의 V자 절곡부가 전술한 함몰부 또는 관통홀내에 끼워짐에 따라 탭 단자와 소켓 핀과의 접촉영역이 확대되어 탭 단자와 소켓 핀 사이의 통전(通電) 특성이 개선되므로, 반도체 모듈을 사용하는 시스템의 동작 신뢰성이 향상된다.
      반도체, 메모리, 모듈, 소켓, 소켓핀, 접촉, 탭단자
    • 16. 发明公开
    • 반도체 패키지 실장방법
    • 安装半导体封装的方法
    • KR1020040060450A
    • 2004-07-06
    • KR1020020087248
    • 2002-12-30
    • 삼성전자주식회사
    • 이왕재김병만이동춘황선규
    • H01L23/544
    • PURPOSE: A method for mounting a semiconductor package is provided to simplify a mounting process and utilize effectively the bar code information by forming a reflow unit and a labeling unit with one body. CONSTITUTION: A method for mounting a semiconductor package includes a reflow process and a labeling process. The reflow process is performed to load a semiconductor package on a printed circuit board by using a reflow unit. The reflow unit and a labeling unit are formed with one body. The labeling process is performed to adhere a label on one side of the semiconductor package after the reflow process is finished. The labeling process is to print data of a printing film on a labeling film by using a heat transfer printing method.
    • 目的:提供一种用于安装半导体封装的方法,以简化安装过程,并通过形成具有一个主体的回流单元和贴标单元来有效地利用条形码信息。 构成:用于安装半导体封装的方法包括回流工艺和标记工艺。 进行回流处理,以通过使用回流单元将半导体封装装载到印刷电路板上。 回流单元和贴标单元形成一体。 在回流处理完成之后,执行标记处理以在半导体封装的一侧附着标签。 标签处理是通过使用热转印打印方法在标签膜上打印印刷膜的数据。
    • 17. 发明公开
    • 농도 측정방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 불순물 농도측정방법
    • 浓度测量方法和方法,用于测量使用该半导体器件的半导体器件的浓度浓度
    • KR1020040040037A
    • 2004-05-12
    • KR1020020068339
    • 2002-11-06
    • 삼성전자주식회사
    • 김태경최선용전충삼김광수신경수최정현이동춘
    • H01L21/66
    • G01N21/3563G01N21/8422
    • PURPOSE: A concentration measuring method and a method for measuring the impurity concentration of a semiconductor device using the same are provided to be capable of obtaining reliable data in spite of the small quantity of transmitting light. CONSTITUTION: Infrared rays are irradiated onto a semiconductor substrate having a predetermined layer made of the first material and a plurality of impurities, wherein some of the infrared rays are absorbed into the predetermined layer(S210). At this time, the rest of the infrared rays are transmitted through the structure of the semiconductor substrate. The light quantities absorbed into the first material and the plurality of impurities are checked according to optical wave number by comparing the transmitted rays with the irradiated rays(S220,S230). Optical wave numbers corresponding to the light quantities absorbed by the first material and the plurality of impurities are checked, respectively(S240). Each impurity concentration of impurity portions is checked by using the rate between the first optical wave number of the first material and the second optical wave numbers of the impurities(S250).
    • 目的:提供一种浓度测定方法和使用其的半导体装置的杂质浓度的测定方法,其能够获得尽可能少的透射光的可靠数据。 构成:将红外线照射到具有由第一材料制成的预定层的半导体衬底和多个杂质上,其中一些红外线被吸收到预定层中(S210)。 此时,其余的红外线透过半导体衬底的结构。 通过将透射光与照射光线进行比较,根据光波数来检查吸收到第一材料和多个杂质中的光量(S220,S230)。 检查与由第一材料和多个杂质吸收的光量对应的光波数(S240)。 通过使用第一材料的第一光波数和杂质的第二光波数之间的比率来检查杂质部分的杂质浓度的各个杂质浓度(S250)。
    • 18. 发明公开
    • 반도체 소자의 불량 검출방법
    • 半导体器件缺陷检测方法
    • KR1020040033525A
    • 2004-04-28
    • KR1020020062651
    • 2002-10-15
    • 삼성전자주식회사
    • 김정수최선용김광수이동춘박동진류성곤김주우
    • H01L21/66
    • PURPOSE: A defect inspection method of a semiconductor device is provided to be capable of improving the inspection efficiency of failure for a predetermined region except a cell region. CONSTITUTION: The image of the first position is stored as the first image(S100). At this time, the first position is located on the X-axis. The first image is compared with a predetermined image located on the X-axis(S110). Whether the first image is located at the cross point of the X-axis and Y-axis, or not, is decided(S120). When the first image is located at the X-axis alone, the first position is checked from a map(S150). Then, whether the first position is an end point, or not, is decided(S160). When the first image is located at the cross point, an image near the first image to the Y-axis is stored as the second image(S130). The second image is compared with a predetermined image located on the Y-axis(S140).
    • 目的:提供半导体器件的缺陷检查方法,以能够提高除了单元区域之外的预定区域的故障检查效率。 构成:将第一位置的图像作为第一图像存储(S100)。 此时,第一个位置位于X轴上。 将第一图像与位于X轴上的预定图像进行比较(S110)。 决定第一图像是否位于X轴和Y轴的交叉点上(S120)。 当第一图像单独位于X轴时,从地图检查第一位置(S150)。 然后,判定第一位置是否为终点(S160)。 当第一图像位于交叉点时,存储第一图像到Y轴附近的图像作为第二图像(S130)。 将第二图像与位于Y轴上的预定图像进行比较(S140)。
    • 19. 发明授权
    • 명도 보정 및 선택적 결함 검출 방법 및 이를 기록한 기록매체
    • 空值
    • KR100425447B1
    • 2004-03-30
    • KR1020010025578
    • 2001-05-10
    • 삼성전자주식회사
    • 전충삼전상문김형진이동춘최상봉류성곤
    • H01L21/66
    • G06T5/008G06T7/90G06T2207/20021G06T2207/30148
    • 웨이퍼 표면의 명도를 보정하는 방법 및 서로 다른 패턴에 대한 선택적 결함 검출 방법, 그리고 이러한 방법들을 기록한 기록 매체에 관해 개시한다. 웨이퍼를 분할하는 각 픽셀들의 평균과 표준 편차를 이용함으로써, 명도차가 있는 이미지들의 명도를 보정할 수 있다. 또한, 금속 배선 패턴과 스페이스를 구별하여, 각 패턴에 대해 서로 다른 임계값을 적용함으로써, 선택적으로 결함을 검출할 수 있다. 즉, 그레인은 검출하지 않고, 반도체 소자에 치명적인 영향을 주는 브리지만 검출할 수 있다. 따라서, 결함 검출의 선별력이 향상되므로, 결함 검출 공정을 더 효율적으로 관리할 수 있다.
    • 提供了一种用于校正晶片表面上的颜色变化的方法,用于从不同图案中选择性地检测缺陷的方法,以及用于其的计算机可读记录介质。 可以使用形成晶片的每个不同部分的像素的灰度级的平均值和标准偏差校正晶片的不同部分的图像的颜色变化。 此外,不同的阈值被施加到晶片的金属互连图案和空间,从而可以从不同的图案中选择性地检测缺陷。 因此,可以检测到称为半导体器件的致命或杀伤缺陷的桥,而不会将晶粒错误地检测为致命缺陷。 由于方法的缺陷筛选能力增加,可以进一步有效地管理缺陷检测方法。