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11. 发明公开

KR1020110052519A 화학 기계 연마 조성물 및 관련 방법 有权
标题翻译：化学机械抛光组合物及其相关方法
公开(公告)号：KR1020110052519A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020100112111
申请日：2010-11-11
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 루젠동 , 구오이 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/31053 , C09K3/1454 , B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing composition is provided to enable use for the polishing of a substrate including silicon oxide materials and silicon nitride materials. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing composition comprises a first material of chemical formula 1 as a initial ingredient, a second material of chemical formula 2, abrasive and water. In chemical formulas, R^1, R^2, R^3, R^4, R^5, R^6 and R^7 are respectively a -(CH2)n- bridging group, wherein n is an integer of 1-10; R^8, R^9, R^10, R^11 and R^12 are respectively selected from hydrogen and C1-6 alkyl groups, and two or more of R^8, R^9, R^10, R^11 and R^12 are bonded to form a ring structure.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光组合物，以用于抛光包括氧化硅材料和氮化硅材料的基材。构成：化学机械抛光组合物包含化学式1的第一种材料作为初始成分，化学式2的第二种材料，磨料和水。在化学式中，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，R 6和R 7分别为 - （CH 2）n桥连基团，其中n为1的整数 -10; R 8，R 9，R 10，R 11和R 12分别选自氢和C 1-6烷基，R 8，R 9，R 10，R 9中的两个或更多个， 11和R 12连接形成环结构。

12. 发明授权

KR101737334B1 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드 중 하나 이상과 폴리실리콘을 포함하는 기판의 연마 방법 有权
标题翻译：抛光包含氧化硅和氮化硅以及多晶硅中的至少一种的衬底的方法
公开(公告)号：KR101737334B1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：KR1020110022811
申请日：2011-03-15
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3105 , C09G1/02 , H01L21/461 , B24B37/26 , B24D18/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要： 본발명은실리콘옥사이드및 실리콘니트라이드중 하나이상과폴리실리콘을포함하는기판을제공하는단계; 초기성분으로서, 물; 마모제; 및 6 내지 30 탄소원자를갖는비환소수성부분및 10 내지 300 탄소원자를갖는비이온성비환친수성부분을갖는비환유기설폰산화합물을포함하는화학기계적연마조성물을제공하는단계; 연마표면을갖는화학기계적연마패드를제공하는단계; 기판에대해연마표면을이동시키는단계; 화학기계적연마조성물을연마표면에분배하는단계; 및최소한기판일부를마모하여기판을연마하는단계를포함하며, 이때, 기판에서최소한일부폴리실리콘이제거되며; 기판에서실리콘옥사이드및 실리콘니트라이드중 하나이상의최소한일부가제거되는, 기판의화학기계적연마방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括氧化硅和氮化硅中的至少一种以及多晶硅的衬底; 作为初始成分，水; 磨损剂; 以及非环状亚氨基磺酸化合物，其具有碳原子数为6〜30的非疏水性部分和碳原子数为10〜300的非离子性可畅销的亲水性部分。提供具有抛光表面的化学机械抛光垫; 将抛光表面相对于基底移动; 将化学机械抛光组合物分配到抛光表面; 并研磨至少一部分基板以抛光基板，其中至少一些多晶硅从基板上移除; 其中氧化硅和氮化硅中的至少一种的至少一部分从衬底去除。

13. 发明授权

KR101718814B1 가변형 유전체 연마 선택성을 갖는 슬러리 조성물 및 기판의 연마방법 有权
标题翻译：具有可变电介质抛光选择性的浆料组合物和基材的抛光方法
公开(公告)号：KR101718814B1
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020110095266
申请日：2011-09-21
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 루젠동 , 구오이 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/3105 , C09G1/02 , C09G1/04
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要： 본발명은, 초기성분으로서, 물; 연마제; 하기화학식 (I)의할로겐화 4급암모늄화합물; 및임의로, 하기화학식 (II)의디-4급(diquaternary) 물질을포함하는화학기계적연마슬러리조성물을제공한다. 또한, 본발명은화학기계적연마슬러리조성물의제조방법및 화학기계적연마조성물을사용하여기판을연마하는방법을제공한다.상기식에서, R은 C알킬그룹및 C하이드록시알킬그룹으로부터선택되고; X은클로라이드, 브로마이드, 요오다이드및 플루오라이드로부터선택되는할라이드이며; R, R및 R은각각독립적으로포화또는불포화 C알킬그룹, C할로알킬그룹, C아릴그룹, C할로아릴그룹, C아릴알킬그룹및 C할로아릴알킬로부터선택되고; 화학식 (I)의음이온은화학식 (I)의양이온상의 + 전하와균형을이루는임의의음이온일수 있으며; 각 A는독립적으로 N 및 P로부터선택되고; R은포화또는불포화 C-C알킬그룹, C-C아릴그룹및 C-C아르알킬그룹으로부터선택되며; R, R, R, R, R및 R은각각독립적으로수소, 포화또는불포화 C-C알킬그룹, C-C아릴그룹, C-C아르알킬그룹및 C-C알크아릴그룹으로부터선택되고; 화학식 (II)의음이온은화학식 (II)의양이온상의 2+ 전하와균형을이루는임의의음이온또는음이온들의조합일수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种生产水溶性聚合物的方法，该水溶性聚合物包含作为初始组分的，磨具; 式（I）的季铵卤化物化合物; 和任选的式（II）的二季盐物质：其中：此外，本发明提供了使用一种制造化学机械抛光浆料组合物和化学机械抛光组合物，其中的方法抛光的基材的方法，R选自C 1-4烷基和C羟烷基中选择; X是选自氯化物，溴化物，碘化物和氟化物的卤化物; R，R和R各自独立地为饱和或不饱和C 1-4烷基，一个C卤代基，C的芳基，C卤代芳基，C被从芳烷基中选择，和卤代C芳基; 式（I）的阴离子可以是与式（I）的阳离子上的+电荷平衡的任何阴离子; 每个A独立地选自N和P; R选自饱和或不饱和C 1 -C 6烷基，C 1 -C 6芳基和C 1 -C 4芳烷基; R，R，R，R，R和R 3各自独立地选自氢，饱和或不饱和C-C烷基，C-C的芳基，C-C芳烷基，和C-C烷芳基; 式（II）的阴离子可以是平衡式（II）的阳离子上的2+电荷的阴离子或阴离子的任何组合。

14. 发明授权

KR101672816B1 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드중 적어도 하나와 폴리실리콘을 포함하는 기판의 연마 방법 有权
标题翻译：抛光包括多晶硅和至少一种氧化硅和氮化硅的衬底的方法
公开(公告)号：KR101672816B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020110022827
申请日：2011-03-15
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3105 , C09G1/02 , B24B37/24 , B24D18/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要： 본발명은실리콘옥사이드및 실리콘니트라이드중 하나이상과폴리실리콘을포함하는기판을제공하는단계; 초기성분으로서, 물; 마모제; 및아릴환에결합된알킬기를가지는소수성부분및 4 내지 100개의탄소원자를갖는비이온성비환식친수성부분을갖는알킬아릴폴리에테르설포네이트화합물을포함하는화학기계적연마조성물을제공하는단계; 연마표면을갖는화학기계적연마패드를제공하는단계; 기판에대해연마표면을이동시키는단계; 화학기계적연마조성물을연마표면에분배하는단계; 및최소한기판일부를마모하여기판을연마하는단계를포함하며, 이때, 기판에서최소한일부폴리실리콘이제거되며; 기판에서실리콘옥사이드및 실리콘니트라이드중 하나이상의최소한일부가제거되는, 기판의화학기계적연마방법에관한것이다.
摘要翻译：提供了一种用于基板的化学机械抛光的方法，包括：提供基板，其中所述基板包括多晶硅和氧化硅和氮化硅中的至少一种; 提供化学机械抛光组合物，其包含作为初始组分的水; 研磨剂烷基芳基聚醚磺酸酯化合物，其中烷基芳基聚醚磺酸酯化合物具有与芳环结合的烷基的疏水部分和具有4至100个碳原子的非离子非环状亲水部分; 提供具有抛光表面的化学机械抛光垫; 相对于衬底移动抛光表面; 将化学机械抛光组合物分配到抛光表面上; 并且研磨所述衬底的至少一部分以抛光所述衬底; 其中所述多晶硅中的至少一些从所述衬底移除; 并且其中所述至少一种氧化硅和氮化硅中的至少一种从所述衬底去除。

15. 发明授权

KR101672811B1 폴리실리콘, 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드를 포함하는 기판의 연마 방법 有权
标题翻译：抛光包含多硅氧化硅和氮化硅的基板的方法
公开(公告)号：KR101672811B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020110022824
申请日：2011-03-15
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3105 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/24 , B24D18/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 폴리실리콘, 실리콘옥사이드및 실리콘니트라이드를포함하는기판을제공하는단계; 초기성분으로서, 물; 마모제; 및 4 내지 100 탄소원자를갖는비이온성비환식친수성부분및 아릴환에결합된알킬그룹을갖는소수성부분을갖는알킬아릴폴리에테르설포네이트; 및다음의화학식 I의화합물을포함하는화학기계적연마조성물을제공하는단계; 연마표면을갖는화학기계적연마패드를제공하는단계; 기판에대해연마표면을이동시키는단계; 화학기계적연마조성물을연마표면에분배하는단계; 및기판을연마하기위하여기판의적어도일부를마모하는단계를포함하고, 여기에서, 폴리실리콘의적어도일부가기판으로부터제거되고; 기판에서실리콘옥사이드및 실리콘니트라이드의적어도일부가제거되는, 화학기계적인기판연마방법이제공된다:상기화학식에서, R, R, R, R, R, R및 R각각은화학식 -(CH)-을갖는브릿징그룹이고, n은 1 내지 10으로부터선택되는정수이다.
摘要翻译：提供了一种用于基板的化学机械抛光的方法，包括：提供基板，其中所述基板包括多晶硅，氧化硅和氮化硅; 提供化学机械抛光组合物，其包含作为初始组分的水; 研磨剂烷基芳基聚醚磺酸盐化合物，其中烷基芳基聚醚磺酸盐化合物具有与芳环结合的烷基的疏水部分和具有4至100个碳原子的非离子非环状亲水部分; 和根据式I的物质，其中R1，R2，R3，R4，R5，R6和R7中的每一个是具有式 - （CH 2）n - 的桥连基团，其中n是选自1至10的整数; 提供具有抛光表面的化学机械抛光垫; 相对于衬底移动抛光表面; 将化学机械抛光组合物分配到抛光表面上; 并且研磨所述衬底的至少一部分以抛光所述衬底; 其中所述多晶硅中的至少一些从所述衬底移除; 并且其中从所述衬底去除所述氧化硅和氮化硅中的至少一些。

16. 发明公开

KR1020120031148A 가변형 유전체 연마 선택성을 갖는 슬러리 조성물 및 기판의 연마방법 有权
标题翻译：具有导电抛光选择性的浆液组合物和抛光底物的方法
公开(公告)号：KR1020120031148A
公开(公告)日：2012-03-30
申请号：KR1020110095266
申请日：2011-09-21
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 루젠동 , 구오이 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/3105 , C09G1/02 , C09G1/04
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C09G1/04
摘要： PURPOSE: A slurry composition for chemical and physical polishing is provided to have tailorable removing rate and removing rate selectivity to dielectric films like silicon oxide and Si3N4. CONSTITUTION: A slurry composition for chemical and physical polishing comprises water, abrasive, and halogenated quaternary ammonium compound in chemical formula (I), and additionally diquaternary materials in chemical formula (II) as initial ingredients. In chemical formulas, R^8 is selected from a C1-10 alkyl group and a C1-10 hydroxyalkyl group, X^1 is halide selected from chloride, bromide, iodide and fluoride, R^9, R^10 and R&11 is respectively and independently selected from saturate or unsaturated a C1-10 alkyl group, a C1-10 haloalkyl group, a C6-15 aryl group, a C6-15 hyaloaryl group, a C6-15 arylalkyl group and a C6-15 haloarylalkyl group.
摘要翻译：目的：提供用于化学和物理抛光的浆料组合物，以对诸如氧化硅和Si 3 N 4之类的介电膜具有可定制的除去速率和去除速率选择性。构成：用于化学和物理抛光的浆料组合物包括化学式（I）中的水，研磨剂和卤化季铵化合物，以及作为初始成分的化学式（II）中的二季物质。在化学式中，R 8选自C 1-10烷基和C 1-10羟基烷基，X 1是选自氯，溴，碘和氟的卤化物，R 9，R 10和R 11分别是独立地选自饱和或不饱和的C 1-10烷基，C 1-10卤代烷基，C 6-15芳基，C 6-15芳族化合物，C 6-15芳基烷基和C 6-15卤代芳基烷基。

17. 发明公开

KR1020120002932A 칼코게나이드 합금용 연마 슬러리 无效
标题翻译：用于氯化铝合金的抛光浆
公开(公告)号：KR1020120002932A
公开(公告)日：2012-01-09
申请号：KR1020110064503
申请日：2011-06-30
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구자호 , 루젠동 , 사환트카베리 , 칸차를라-아룬쿠마르레디
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： PURPOSE: Polishing slurry for chalcogenide alloy is provided to harmoniously or non-selectively remove chalcogenide phase-transition alloy. CONSTITUTION: Polishing slurry for chalcogenide alloy comprises water, colloidal silica abrasive and polishing agent. The PH of the slurry is 2-7. The amount of the colloidal silica abrasive is 0.1-30wt% on the basis of the total composition. The polishing agent is at least one compound selected from the group consisting of 0.05-5wt% halogen compound, 0.05-5wt% phthalic acid, 0.05-5wt% phthalic anhydride, and the salt, the derivative and the mixture thereof.
摘要翻译：目的：为了和谐或非选择性地除去硫族化物相转变合金提供硫属化合物的抛光浆料。构成：硫属化合物的抛光浆料包括水，胶态二氧化硅磨料和抛光剂。浆料的PH为2-7。基于总组合物，胶体二氧化硅研磨剂的量为0.1-30重量％。抛光剂是选自0.05-5wt％卤素化合物，0.05-5wt％邻苯二甲酸，0.05-5wt％邻苯二甲酸酐及其盐，衍生物及其混合物中的至少一种化合物。

18. 发明公开

KR1020110104442A 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드 중 하나 이상과 폴리실리콘을 포함하는 기판의 연마 방법 有权
标题翻译：抛光包含氧化硅和氮化硅以及多晶硅中的至少一种的衬底的方法
公开(公告)号：KR1020110104442A
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020110022811
申请日：2011-03-15
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3105 , C09G1/02 , H01L21/461 , B24B37/26 , B24D18/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/26 , B24D18/00 , H01L21/02068 , H01L21/30625 , H01L21/461
摘要： 본 발명은 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드 중 하나 이상과 폴리실리콘을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물; 마모제; 및 6 내지 30 탄소 원자를 갖는 비환 소수성 부분 및 10 내지 300 탄소 원자를 갖는 비이온성 비환 친수성 부분을 갖는 비환 유기설폰산 화합물을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 연마 표면을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 기판에 대해 연마 표면을 이동시키는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 연마 표면에 분배하는 단계; 및 최소한 기판 일부를 마모하여 기판을 연마하는 단계를 포함하며, 이때, 기판에서 최소한 일부 폴리실리콘이 제거되며; 기판에서 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드 중 하나 이상의 최소한 일부가 제거되는, 기판의 화학 기계적 연마 방법에 관한 것이다.

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