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1. 发明授权

KR101718788B1 화학 기계 연마 조성물 및 관련 방법 有权
公开(公告)号：KR101718788B1
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：KR1020100112111
申请日：2010-11-11
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 루젠동 , 구오이 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/31053
摘要： 산화규소물질및 질화규소물질을포함하는기판을화학기계연마하는데 유용한화학기계연마조성물; 및화학기계연마조성물의제조방법및 사용방법이제공된다. 화학기계연마조성물은초기성분으로화학식 1에따른제 1 물질및 화학식 2에따른제 2 물질중적어도하나; 연마제; 및물을포함한다: [화학식 1][화학식 2]

2. 发明公开

KR1020110104443A 폴리실리콘, 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드를 포함하는 기판의 연마 방법 有权
标题翻译：抛光包含多晶硅，氧化硅和氮化硅的基板的方法
公开(公告)号：KR1020110104443A
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020110022824
申请日：2011-03-15
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3105 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/24 , B24D18/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/304 , B24B37/24 , B24D18/00 , H01L21/02068 , H01L21/30625
摘要： 폴리실리콘, 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물; 마모제; 및 4 내지 100 탄소 원자를 갖는 비이온성 비환식 친수성 부분 및 아릴 환에 결합된 알킬 그룹을 갖는 소수성 부분을 갖는 알킬 아릴 폴리에테르 설포네이트; 및 다음의 화학식 I의 화합물을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 연마 표면을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 기판에 대해 연마 표면을 이동시키는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 연마 표면에 분배하는 단계; 및 기판을 연마하기 위하여 기판의 적어도 일부를 마모하는 단계를 포함하고, 여기에서, 폴리실리콘의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 기판에서 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드의 적어도 일부가 제거되는, 화학 기계적인 기판 연마 방법이 제공된다:

상기 화학식에서,
R
1 , R
2 , R
3 , R
4 , R
5 , R
6 및 R
7 각각은 화학식 -(CH
2 )
n -을 갖는 브릿징 그룹이고, n은 1 내지 10으로부터 선택되는 정수이다.
摘要翻译：提供了一种用于基板的化学机械抛光的方法，包括：提供基板，其中所述基板包括多晶硅，氧化硅和氮化硅; 提供化学机械抛光组合物，其包含作为初始组分的水; 研磨剂烷基芳基聚醚磺酸盐化合物，其中烷基芳基聚醚磺酸盐化合物具有与芳环结合的烷基的疏水部分和具有4至100个碳原子的非离子非环状亲水部分; 和根据式I的物质，其中R1，R2，R3，R4，R5，R6和R7中的每一个是具有式 - （CH 2）n - 的桥连基团，其中n是选自1至10的整数; 提供具有抛光表面的化学机械抛光垫; 相对于衬底移动抛光表面; 将化学机械抛光组合物分配到抛光表面上; 并且研磨所述衬底的至少一部分以抛光所述衬底; 其中所述多晶硅中的至少一些从所述衬底移除; 并且其中从所述衬底去除所述氧化硅和氮化硅中的至少一些。

3. 发明授权

KR101672809B1 실리콘 옥사이드 제거 증강에 적절한 연마 조성물을 사용한 기판의 화학 기계적 연마방법 有权
标题翻译：化学机械抛光方法具有适用于加强氧化硅去除的抛光组合物的基材
公开(公告)号：KR101672809B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020110022818
申请日：2011-03-15
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3105 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24D18/00
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 실리콘옥사이드를포함하는기판을제공하는단계; 초기성분으로서, 물; 마모제; 및하기화학식 I에따른물질을포함하는화학기계적연마조성물을제공하는단계; 연마표면을갖는화학기계적연마패드를제공하는단계; 기판에대해연마표면을이동시키는단계; 화학기계적연마조성물을연마표면에분배하는단계; 및기판의적어도일부를마모시켜기판을연마하는단계를포함하고, 화학기계적연마조성물에포함된화학식 I에따른물질이증강된실리콘옥사이드제거속도및 개선된연마결함성능을제공하며, 기판으로부터실리콘옥사이드의적어도일부가제거되는, 기판의화학기계적연마방법이제공된다:(I) (상기화학식 I에서, R, R및 R은서로독립적으로 C알킬그룹으로부터선택된다.)
摘要翻译：提供了一种用于基板的化学机械抛光的方法，包括：提供基板，其中所述基板包括氧化硅; 提供化学机械抛光组合物，其包含作为初始组分的水; 研磨剂和根据式I的物质，其中R 1，R 2和R 3各自独立地选自C 1-4烷基; 提供具有抛光表面的化学机械抛光垫; 相对于衬底移动抛光表面; 将化学机械抛光组合物分配到抛光表面上; 并且研磨所述衬底的至少一部分以抛光所述衬底; 其中包括在化学机械抛光组合物中的根据式I的物质提供增强的氧化硅去除速率和改善的抛光缺陷性能; 并且其中所述氧化硅中的至少一些从所述衬底去除。

4. 发明公开

KR1020120002931A 칼코게나이드 합금 연마방법 无效
标题翻译：抛光氯化铝合金的方法
公开(公告)号：KR1020120002931A
公开(公告)日：2012-01-09
申请号：KR1020110064489
申请日：2011-06-30
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구자호 , 루젠동 , 사환트카베리 , 칸차를라-아룬쿠마르레디
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： PURPOSE: A chalcogenide alloy polishing method is provided to restrict a foreign material which is fortuitously created by containing water which is selected between deionized water and distilled water in a chemical mechanical polishing composition. CONSTITUTION: A substrate which includes chalcogenide phase change alloy is provided. The chalcogenide phase change alloy is germanium-antimony-tellurium alloy. A chemical mechanical polishing composition having PH level less than 2 to 7 is provided. A chemical mechanical polishing pad is provided. The substrate is polished by the chemical mechanical polishing pad and the chemical mechanical polishing composition. The chalcogenide phase change alloy is selectively or non-selectively eliminated.
摘要翻译：目的：提供一种硫族化物合金抛光方法，以在化学机械抛光组合物中限制通过在去离子水和蒸馏水中选择的含有水的偶然产生的异物。构成：提供了包括硫属化物相变合金的基板。硫属元素相变合金是锗 - 锑 - 碲合金。提供PH值小于2至7的化学机械抛光组合物。提供化学机械抛光垫。基材通过化学机械抛光垫和化学机械抛光组合物抛光。硫族化物相变合金是选择性地或非选择性地消除的。

5. 发明公开

KR1020110109859A 실리콘 옥사이드 제거 증강에 적절한 연마 조성물을 사용한 기판의 화학 기계적 연마방법 有权
标题翻译：化学机械抛光方法具有适用于加强氧化硅去除的抛光组合物的基材
公开(公告)号：KR1020110109859A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020110022818
申请日：2011-03-15
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3105 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24D18/00
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/304 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24D18/00 , H01L21/30625
摘要： 실리콘 옥사이드를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물; 마모제; 및 하기 화학식 I에 따른 물질을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 연마 표면을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 기판에 대해 연마 표면을 이동시키는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 연마 표면에 분배하는 단계; 및 기판의 적어도 일부를 마모시켜 기판을 연마하는 단계를 포함하고, 화학 기계적 연마 조성물에 포함된 화학식 I에 따른 물질이 증강된 실리콘 옥사이드 제거 속도 및 개선된 연마 결함 성능을 제공하며, 기판으로부터 실리콘 옥사이드의 적어도 일부가 제거되는, 기판의 화학 기계적 연마방법이 제공된다:
(I)
(상기 화학식 I에서, R
1 , R
2 및 R
3 은 서로 독립적으로 C
1
-4 알킬 그룹으로부터 선택된다.)

6. 发明公开

KR1020110104444A 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드중 적어도 하나와 폴리실리콘을 포함하는 기판의 연마 방법 有权
标题翻译：抛光包含多晶硅和至少一种氧化硅和氮化硅的基板的方法
公开(公告)号：KR1020110104444A
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020110022827
申请日：2011-03-15
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3105 , C09G1/02 , B24B37/24 , B24D18/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/24 , B24D18/00 , H01L21/02068 , H01L21/30625
摘要： 본 발명은 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드 중 하나 이상과 폴리실리콘을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물; 마모제; 및 아릴 환에 결합된 알킬기를 가지는 소수성 부분 및 4 내지 100개의 탄소 원자를 갖는 비이온성 비환식 친수성 부분을 갖는 알킬 아릴 폴리에테르 설포네이트 화합물을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 연마 표면을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 기판에 대해 연마 표면을 이동시키는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 연마 표면에 분배하는 단계; 및 최소한 기판 일부를 마모하여 기판을 연마하는 단계를 포함하며, 이때, 기판에서 최소한 일부 폴리실리콘이 제거되며; 기판에서 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드 중 하나 이상의 최소한 일부가 제거되는, 기판의 화학 기계적 연마 방법에 관한 것이다.

7. 发明授权

KR101718813B1 안정화된 농축성 화학 기계적 연마 조성물 및 기판의 연마 방법 有权
公开(公告)号：KR101718813B1
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：KR1020110094507
申请日：2011-09-20
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 루젠동 , 구오이 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/321 , C09G1/04
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要： 본발명은초기성분으로서, 물; 연마제; 하기화학식 (I)의디-4급(diquaternary) 물질; 하기화학식 (II)의구아니딘유도체; 및임의로, 4급암모늄염을포함하는화학기계적연마조성물을제공한다:상기화학식에서, 각 X는독립적으로 N 및 P로부터선택되고; R은포화또는불포화 C-C알킬그룹, C-C아릴그룹및 C-C아르알킬그룹으로부터선택되며; R, R, R, R, R및 R은각각독립적으로수소, 포화또는불포화 C-C알킬그룹, C-C아릴그룹, C-C아르알킬그룹및 C-C알크아릴그룹으로부터선택되고; 화학식 (I)의음이온은화학식 (I)의양이온상의 2+ 전하와균형을이루는임의의음이온또는음이온들의조합일수 있으며, R은수소, 포화또는불포화 CC알킬그룹, CC아릴그룹, CC아르알킬그룹및 CC알크아릴그룹으로부터선택되고; R, R, R및 R는각각독립적으로수소, 포화또는불포화 CC알킬그룹, CC아릴그룹, CC아르알킬그룹및 CC알크아릴그룹으로부터선택된다. 또한, 본발명은실리콘디옥사이드를포함하는기판을제공하는단계; 본발명의화학기계적연마조성물을제공하는단계; 화학기계적연마패드를제공하는단계; 0.69 내지 34.5 kPa의다운포스(down force)로화학기계적연마패드와기판사이의인터페이스에동적접촉을발생시키는단계; 및화학기계적연마패드와기판사이의인터페이스또는그 부근의화학기계적연마패드상에화학기계적연마조성물을분배하는단계를포함하고; 상기화학기계적연마조성물의 pH가 2 내지 6인, 기판의화학기계적연마방법을제공한다.

8. 发明授权

KR101718798B1 안정화된 화학 기계적 연마 조성물 및 기판의 연마 방법 有权
公开(公告)号：KR101718798B1
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：KR1020110057354
申请日：2011-06-14
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/3105 , C09G1/02 , C09G1/04 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 초기성분으로서, 물; 평균입자크기 5 내지 150 nm인연마제 0.1 내지 40 wt%; 화학식 (II)의아다만틸물질 0.001 내지 1 wt%; 화학식 (I)의디-사급(diquaternary) 물질 0 내지 1 wt%; 및사급(quaternary) 암모늄화합물 0 내지 1 wt%를포함하는화학기계적연마조성물이제공된다. 상기화학기계적연마조성물을사용한화학기계적연마방법이또한제공된다.

9. 发明公开

KR1020140014332A 안정화된 농축성 화학 기계적 연마 조성물 및 기판의 연마 방법 有权
标题翻译：稳定的浓缩化学机械抛光组合物和抛光底物的方法
公开(公告)号：KR1020140014332A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020110094507
申请日：2011-09-20
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 루젠동 , 구오이 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/321 , C09G1/04
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C09G1/04 , H01L21/3212
摘要： The present invention generally relates to a chemical mechanical polishing field. Especially, the present invention relates to a stabilized chemical mechanical polishing composition, a chemical mechanical polishing method of semiconductor materials, and more specifically, for example, to a chemical mechanical polishing method of dielectric isolation from a semiconductor structure while processing ILD and shallow trench isolation (STI).
摘要翻译：本发明一般涉及化学机械抛光领域。特别地，本发明涉及稳定的化学机械抛光组合物，半导体材料的化学机械抛光方法，更具体地说，涉及在处理ILD和浅沟槽隔离的同时从半导体结构进行介电隔离的化学机械抛光方法（STI）。

10. 发明公开

KR1020110136742A 안정화된 화학 기계적 연마 조성물 및 기판의 연마 방법 有权
标题翻译：稳定化学机械抛光组合物和抛光底物的方法
公开(公告)号：KR1020110136742A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：KR1020110057354
申请日：2011-06-14
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
发明人： 구오이 , 루젠동 , 칸차를라-아룬쿠마르레디 , 장광윤
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/3105 , C09G1/02 , C09G1/04 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C09G1/04 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A chemical-mechanical polishing composition with increased polishing speed, and a polishing method of a substrate using thereof are provided to reduce the concentration of a polishing agent in a shallow trench isolation process. CONSTITUTION: A chemical-mechanical polishing composition contains water as an initial ingredient, 01-40wt% of polishing agent having the average particle size of 5-150nm, 0.001-1wt% of adamanty material, 0-1wt% of diquaternary material; and 0-1wt% of quaternary ammonium compound. A polishing method of a substrate using the composition comprises the following steps: preparing the substrate and the chemical-mechanical polishing composition; preparing a polishing pad; generating the dynamic contact on the interface of the polishing pad and the substrate; and distributing the composition on the interface of the polishing pad and the substrate, or on the polishing pad around the substrate.
摘要翻译：目的：提供抛光速度提高的化学机械抛光组合物和使用其的基材的抛光方法，以在浅沟槽隔离工艺中降低抛光剂的浓度。构成：化学机械抛光组合物含有水作为初始成分，平均粒度为5-150nm的抛光剂为01-40重量％，金属物质为0.001-1重量％，二重季共和物质为0-1重量％; 和0-1重量％的季铵化合物。使用该组合物的基板的抛光方法包括以下步骤：准备基板和化学机械抛光组合物; 准备抛光垫; 在抛光垫和基板的界面上产生动态接触; 并将组合物分布在抛光垫和基板的界面上，或者在基板周围的抛光垫上。

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