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91. 发明授权

KR100254715B1 매우높은 이득의 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터 제조 방법 失效
标题翻译：制造非常高增益的异质结双极晶体管的方法
公开(公告)号：KR100254715B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019970018194
申请日：1997-05-12
申请人： 티알더블유 오토모티브 유.에스. 엘엘씨
发明人： 오키아론케이 , 스트레이트드와이트씨 , 우메모토도날드케이 , 트란라임티
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L29/7371
摘要： 본 발명은 기판층, 컬렉터 접촉층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층을 포함하여 수직방향으로 집적된 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 개시하며, 상기 에미터층은 AlGaAs로 구성되고, 에미터 메사에 인접한 비교적 얇은 패시베이션층을 남겨둔 에미터 메사를 형성하도록 에칭되므로써 보다 넓은 대역갭이 얻어지게 되고, 그에 따라 에미터 베이스 접합부에서 표면 재결합 속도를 최소로 하여 디바이스 전체 이득(β)이 증대된다. p-오옴성 금속을 n-형 패시베이션층상에서 증발시켜 베이스 금속 접촉부를 형성하고, p-오옴성 접촉부가 어닐링되어 패시베이션층을 통해 금속 확산되고 베이스층과 반응하여 오옴성 접촉이 이루어진다.

92. 发明公开

KR1020000014894A 이종접합쌍극자소자의제조방법 失效
标题翻译：制造异相双极晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020000014894A
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019980034520
申请日：1998-08-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박성호 , 박문평 , 이태우 , 박철순
IPC分类号： H01L29/70
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L29/7371
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a heterojunction bipolar transistor is provided to better high speed and high frequency characteristics by improving the junction capacitance between a base and a collector. CONSTITUTION: A method of manufacturing a heterojunction bipolar transistor comprises the steps of: sequentially forming a buffer layer, sub-collector layer, a base layer, an emitter layer and an emitter cap layer on a semiconductor substrate; forming an emitter electrode on a selected region of the emitter cap layer; etching for making a pattern while exposing a selected region of the base layer and forming a polyimide layer on both sidewalls of patterned emitter cap and emitter layer; forming a base electrode on a selected region of the exposed base layer; etching for making a pattern while exposing a part of the collector layer and forming P-SiN layer on both sidewalls of a patterned base and a part of the collector layer; etching a remaining collector layer and a part of the sup-collector layer to be formed of an opposite inclination while exposing a part of the sub-collector layer and forming a collector electrode on a selected region of a remaining sub-collector layer; and making the patterned base layer, the collector layer and the sub-collector layer become a non-device region by thermal treatment.
摘要翻译：目的：通过改善基极和集电极之间的结电容，提供了制造异质结双极晶体管的方法，以获得更好的高速和高频特性。构成：制造异质结双极晶体管的方法包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成缓冲层，副集电极层，基极层，发射极层和发射极盖层; 在所述发射极盖层的选定区域上形成发射极; 蚀刻用于在暴露基底层的选定区域并在图案化发射极帽和发射极层的两个侧壁上形成聚酰亚胺层的同时形成图案; 在所述暴露的基底层的选定区域上形成基极; 蚀刻用于在露出集电极层的一部分并在图案化基底和集电极层的一部分的两个侧壁上形成P-SiN层的同时形成图案; 在剩余的副集电极层的选定区域上暴露一部分副集电极层并形成集电极，蚀刻余下的集电极层和集电极层的一部分，以形成相反的倾斜度; 并且通过热处理使图案化基底层，集电体层和副集电极层成为非器件区域。

93. 发明授权

KR100182061B1 바이폴라 트랜지스터 회로소자 失效
标题翻译：双极晶体管电路元件
公开(公告)号：KR100182061B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950034375
申请日：1995-10-06
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 미쯔이시게루 , 소노다타쿠지 , 시무라테루유끼 , 타까미야사부로우
IPC分类号： H01L29/72
CPC分类号： H01L29/0817 , H01L27/0658 , H01L29/7304 , H01L29/7371
摘要： 바이폴라 트랜지스터 회로소자는 반도체 기판과; 그 기판 위에 연속적으로 설치된, 베이스층, 에미터층 및 콜렉터층과; 상기 콜렉터층, 베이스층, 에미터층의 부분으로 형성되고 상기 베이스층에 전기적으로 접속된 베이스 전극 및 상기 베이스층에 외부적으로 접속시키기 위한 베이스 전극 패드를 포함하는 바이폴라 트랜지스터와; 상기 바이폴라 트랜지스터로 부터 격리된 그 베이스층의 일부로 부터 형성되어 상기 베이스 전극을 상기 베이스 전극 패드에 전기적으로 접속하는베이스 안정 저항; 및 상기 베이스 안정 저항에 병렬로 접속된 베이스 병렬 커패시터를 구비하고 상기 베이스 병렬 커패시터는 상기 베이스 입력 부분과, 상기 베이스 전극 패드의 부분위에 형성된 유전체 막과, 상기 베이스 전극 패드에 댜향하여 상기 유전체 층위에 형성되고 상기 바이폴라 트랜지서터의 상기에미터 전극에 전기적으로 접속된 제2전극을 포함한다.
베이스 안정 저항은 좋은 균일성과 수율로 대량 생산이 가능하게 하도록 에미터 안정 리액터에 관련하여 큰 저항값을 갖는다.

94. 发明授权

KR100173337B1 고속실행을위한바이폴라트랜지스터및그의제조방법 失效
标题翻译：用于高速性能的双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR100173337B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950008336
申请日：1995-04-11
申请人： 티알더블유 오토모티브 유.에스. 엘엘씨
发明人： 리엠탄트란 , 드와이트크리스토퍼스트레이트 , 아론켄지오키
IPC分类号： H01L29/70
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L29/7371
摘要： This invention discloses a heterojunction bipolar transistor (HBT) which includes a relatively thin intrinsic collector region and a relatively thick extrinsic collector region such that collector-base capacitance is reduced and electron transit time is maintained. The fabrication of the HBT includes loading a semi-insulating substrate into an molecular beam epitaxy machine, and growing a sub-collector contact layer, a bottom collector layer and a top collector layer on the substrate. Next, the substrate is removed from the molecular beam epitaxy machine and the top collector layer is etched by a photolithographic process to produce separate intrinsic and extrinsic collector regions. Then, the substrate is again loaded into the molecular beam epitaxy machine so that the base and emitter layers can be grown. And finally, the emitter layer is etched to form an emitter mesa only over the intrinsic semiconductor region.

95. 发明公开

KR1019970004082A 4기 컬렉터 InAlAs-InGaAlAs 헤테로접합 이극 트랜지스터 반도체 장치 失效
标题翻译： InAlAs-InGaAlAs异质结双极晶体管半导体器件
公开(公告)号：KR1019970004082A
公开(公告)日：1997-01-29
申请号：KR1019960016896
申请日：1996-05-20
申请人： 티알더블유 오토모티브 유.에스. 엘엘씨
发明人： 드와이트시.스트레잇 , 아론케이.오우키 , 리엠티.트란
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/0821 , H01L29/7371
摘要： 일정한 4개의 InGaAlAs 컬렉터층을포함하는 InAlAs/InGaAlAs 이질접합이극트랜지스터에관한것이다. 경사진 InGaAlAs 컬렉터층들이상기 4개의컬렉터층의각 측면에제공되어서상기일정한컬렉터층을지나는전이를최소화한다. 상기 InAlAs/InGaAlAs HBT는또한하나이상의경사진 InGaAlAs 에미터-베이스전이영역, 경사진도핑 InGaAs 베이스층, 및경사진합성물 InGaAlAs 베이스층을포함한다.
摘要翻译：包含恒定的四个InGaAlAs集电极层的InAlAs / InGaAlAs异质结双极晶体管。倾斜的InGaAlAs集电极层设置在四个集电极层的每一侧上，以最小化恒定集电极层上的过渡。所述的InAlAs / InGaAlAs HBT也是一种或多种光uigyeong InGaAlAs发射极 - 基过渡区域包括倾斜的掺杂InGaAs基极层，所述复合图像mitgyeong InGaAlAs基层。

96. 发明授权

KR1019950014277B1 헤테로 접합형 바이폴러트랜지스터 失效
标题翻译：异质结双极晶体管
公开(公告)号：KR1019950014277B1
公开(公告)日：1995-11-24
申请号：KR1019870010563
申请日：1987-09-24
申请人： 소니 주식회사
发明人： 가와이히로지 , 다이라겐이치
IPC分类号： H01L29/72
CPC分类号： H01L29/7371
摘要： 내용 없음.

97. 实用新型

KR2019940002019Y1 바이폴라 핫전자 트랜지스터 失效
标题翻译：双极热电晶体管
公开(公告)号：KR2019940002019Y1
公开(公告)日：1994-04-01
申请号：KR2019930015194
申请日：1993-08-09
申请人： 에이티 앤드 티 코포레이션
发明人： 앤쏘니프레드릭죤레비
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L29/365 , H01L29/7373
摘要： 내용 없음.

98. 发明授权

KR1019890004972B1 이질접합 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 失效
标题翻译： HETERO JUNCTION BIPOLAR TR制造方法
公开(公告)号：KR1019890004972B1
公开(公告)日：1989-12-02
申请号：KR1019860001376
申请日：1986-02-27
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 오시마도시오
IPC分类号： H01L29/70
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L29/42304
摘要： The Bipolar transistor with confined emitter-base junction to avoid recombination current has three semiconductor layers, the first and third layers being of first conductivity type and the second layer being of second conductivity type. Only part of the second layer is overlaid by the third layer which forms a heterojunction with and has a wider bandgap than the second layer. A second conductivity region of the third layer is provided along the entire boundary of the third layer and the non-overlaid portion of the second layer so that the periphery of the junction is not exposed outside the layer.
摘要翻译：具有约束的发射极 - 基极结以避免复合电流的双极晶体管具有三个半导体层，第一和第三层是第一导电类型，第二层是第二导电类型。仅第二层的一部分被第三层覆盖，第三层与第二层形成具有更宽带隙的异质结。沿着第三层的整个边界和第二层的非重叠部分设置第三层的第二导电区域，使得接合部的周边不暴露在层外。

99. 发明授权

KR101689672B1 격자 부정합된 헤테로-에피텍셜 막 有权
标题翻译： - 狭义的异位外延膜
公开(公告)号：KR101689672B1
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：KR1020157011744
申请日：2013-06-27
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 추-컹,벤자민 , 레,반에이치. , 차우,로버트에스. , 다스굽타,산삽탁 , 듀이,길버트 , 고엘,니티 , 카발리에로스,잭티. , 메츠,매튜브이. , 무케르지,닐로이 , 필라리세티,라비 , 라치마디,윌리 , 라도사블예비치,마르코 , 텐,한우이 , 젤릭,낸시엠.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7391 , H01L29/0676 , H01L29/66242 , H01L29/6625 , H01L29/66356 , H01L29/66393 , H01L29/732 , H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/7436 , H01L29/785
摘要： 한실시형태는기판상에 EPI 막을형성하는것에관한것이고여기서 EPI 막은기판과다른격자상수를갖는다. EPI 막및 기판은예를들어, Si 및 SiGe 기판및 Ⅲ-Ⅴ또는Ⅳ 막을갖는헤테로-에피텍셜장치를총체적으로형성하기위해각기다른재료들을포함할수 있다. EPI 막은다중 EPI 층들또는막들중 하나일수 있고막들은서로다른재료들을포함할수 있고서로직접접촉할수 있다. 또한, 다중 EPI 층들은도핑농도및/또는도핑농도에있어서서로다르게도핑될수 있다. 한실시형태는수평으로배향된헤테로-에피텍셜구조를생성하는것을포함한다. 다른실시형태는수직으로배향된헤테로-에피텍셜구조를생성하는것을포함한다. 이헤테로-에피텍셜구조들은특히예를들어, 바이폴라접합트랜지스터, 헤테로접합바이폴라트랜지스터, 사이리스터, 및터널링전계효과트랜지스터를포함할수 있다. 다른실시형태가여기에설명된다.
摘要翻译：一个实施例涉及在衬底上形成EPI膜，其中EPI膜具有与衬底不同的晶格常数。 EPI膜和衬底可以包括不同的材料以共同形成具有例如Si和/或SiGe衬底和III-V或IV膜的异质外延装置。 EPI膜可以是多个EPI层或膜中的一个，并且膜可以包括彼此不同的材料并且可以直接彼此接触。此外，在掺杂浓度和/或掺杂极性方面，多个EPI层可以与另一个不同地被掺杂。一个实施例包括产生水平取向的异质外延结构。另一实施例包括垂直取向的异质外延结构。异质外延结构可以包括例如双极结型晶体管，异质结双极晶体管，晶闸管和隧道场效应晶体管等。本文描述了其它实施例。

100. 发明授权

KR101680511B1 계조를 갖는 쌍극성 트랜지스터 및 관련된 시스템, 장치, 및 방법을 포함하는 전력 증폭기 모듈 有权
标题翻译：功率放大器模块，包括具有分级和相关系统的双极晶体管器件和方法
公开(公告)号：KR101680511B1
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020157037045
申请日：2013-06-13
申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
发明人： 첸,하워드,이. , 구오,이판 , 호앙,딘푸옥,부 , 자나니,메흐란 , 코,틴,민트 , 레톨라,필립,존 , 로비안코,안토니,제임스 , 모디,하르딕,부펜드라 , 응우옌,호앙,몽 , 오잘라스,매튜,토마스 , 페티-위크스,산드라,루이스 , 리드,매튜,션 , 리지,젠스,알브레히트 , 리플리,데이비드,스티븐 , 샤오,홍시아오 , 센,홍 , 선,웨이민 , 선,흐시앙-치흐 , 웰치,패트릭,로렌스 , 잠파디,피터,제이.,주니어 , 장,구오하오
IPC分类号： H03F1/02 , H03F3/19 , H03F3/21
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 본기재의일 특징은, 전력증폭기와수동컴포넌트를포함하는제1 다이 - 전력증폭기는콜렉터, 콜렉터에인접한베이스, 및에미터를갖는쌍극성트랜지스터를포함하고, 콜렉터는베이스와의인터페이스에서적어도약 3x10cm의도핑농도를가지며, 콜렉터는또한, 베이스로부터멀어질수록도핑농도가증가하는계조를가짐 - ; 및제1 다이의수동컴포넌트의전기적속성의표시(indication)에적어도부분적으로기초하여바이어스신호를생성하고바이어스신호를전력증폭기에제공하도록구성된바이어스회로를포함하는제2 다이를포함하는전력증폭기모듈이다. 모듈의다른실시예들이그의관련된방법들및 컴포넌트들과함께제공된다.
摘要翻译：功率放大器模块包括功率放大器，其包括具有集电极的GaAs双极晶体管，邻接集电极的基极和发射极，该集电极在与基极的连接处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度，所述收集器还具有至少第一分级，其中掺杂浓度从所述基底增加; 以及由功率放大器驱动的RF传输线，RF传输线包括在导电层上的导电层和精整电镀，精加工镀层包括金层，接近金层的钯层和靠近金层的扩散阻挡层钯层，扩散阻挡层包括镍，并且其厚度小于0.9GHz处的镍的趋肤深度。模块的其他实施例与其相关方法和组件一起提供。

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