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1. 发明授权

KR101916518B1 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR101916518B1
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：KR1020160116314
申请日：2016-09-09
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 모리카즈히로시 , 프리바서칼하인즈 , 핫토리나오
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/76 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/428 , H01L23/544 , H01L33/0054 , H01L33/0075 , H01S5/0201 , H01S5/0203 , H01S5/021
摘要： 본발명은적어도하나의분할선(22)이형성되어있는제1 표면(2a) 및제1 표면(2a)의반대쪽에있는제2 표면(2b)을가지는기판(2)을처리하는방법에관한것이다. 본방법은기판(2)에복수의홀 영역(23) - 각각의홀 영역(23)은제1 표면(2a)으로부터제2 표면(2b) 쪽으로연장됨 - 을형성하기위해, 펄스형레이저빔(LB)을적어도하나의분할선(22)을따라적어도복수의위치에서제1 표면(2a)측으로부터기판(2)에조사하는단계를포함한다. 각각의홀 영역(23)은개질영역(232) 및제1 표면(2a) 쪽으로개방된개질영역(232)에서의공간(231)으로이루어져있다. 본방법은복수의홀 영역(23)이형성된적어도하나의분할선(22)을따라기판재료를제거하는단계를더 포함한다.

2. 发明公开

KR1020160089519A 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020160089519A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：KR1020167017473
申请日：2013-12-20
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 황푸유뤼
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00 , H01S5/00
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/13 , G02B2006/12123 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02538 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/0273 , H01L21/308 , H01L21/31144 , H01L21/7624 , H01L29/20 , H01L29/78 , H01L31/02325 , H01L31/1035 , H01L33/00 , H01S5/021 , H01S5/0218 , H01S5/02296 , H01S5/026 , H01S5/3013 , H01S5/323 , H01S5/00
摘要： 반도체디바이스및 반도체디바이스제조방법이개시된다. 상기반도체디바이스는제1 실리콘층(110; 210); 상기제1 실리콘층(110; 210) 상에위치하고, 윈도(121; 221)를포함하며, 상기윈도의바닥부수평사이즈는 20mm를초과하지않는, 제1 유전체층(120; 220); 및상기제1 유전체층(120; 220) 상에, 그리고상기제1 유전체층(120; 220)의윈도(121; 221) 내에위치하고, 제1 유전체층(120; 220)의윈도(121; 221) 내의상기제1 실리콘층(110; 210)에연결되는 III-V 반도체층(130; 230)을포함한다. 반도체디바이스의 III-V 반도체층은관통전위(threading dislocation)가없으므로, 성능이비교적높다.
摘要翻译：公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括第一硅层（110; 210）;第二硅层位于所述第一硅层（110; 210）上并包括窗口（121; 221）的第一介电层（120; 220），所述窗口的底部的水平尺寸不超过20mm; 并且第二电介质层设置在第一电介质层的窗口内的第一电介质层和第二电介质层的窗口内，以及连接到第一硅层（110; 210）的III-V半导体层（130; 230）。由于半导体器件的III-V半导体层不具有穿透位错，所以性能相对较高。

3. 发明公开

KR1020160077169A 비대칭적 광 도파관 격자 공진기 및 DBR 레이저 审中-实审
标题翻译：不对称光学波长光栅谐振器和DBR激光器
公开(公告)号：KR1020160077169A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：KR1020167014093
申请日：2013-12-27
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 시사크매슈 , 보빙턴조크
IPC分类号： H01S5/10 , G02B6/122 , G02B6/124
CPC分类号： H01S5/1228 , G02B6/1228 , G02B6/124 , H01S5/021 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/1206 , H01S5/1225 , H01S5/1231 , H01S5/1237 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H04B10/66 , H04B10/801 , H01S5/10
摘要： 비대칭공진격자를포함하는모놀리식비대칭광 도파관격자공진기는도파관에배치된다. 제 1 격자길이는제 1 격자길이를따라제공되고, 제 2 격자강도보다높은제 2 격자강도는제 2 격자길이를따라제공된다. 유리한실시예에서, 제 1 격자길이를따른유효굴절률은도파관의적절한설계및 격자파라미터를통해제 2 격자길이를따른유효굴절률에상당히일치한다. 잘일치된유효굴절률은공진격자가높은비대칭단일종축모드(SLM)에서동작하게할 수있다. 또다른실시예에서, 비대칭모놀리식 DFB 레이저다이오드는높은비대칭동작을위한도파관및 격자파라미터를갖는전면및 이면회절격자섹션을포함한다.
摘要翻译：包括非对称谐振光栅的单片非对称光波导光栅谐振器设置在波导中。沿着第一光栅长度提供第一光栅强度，并且沿着第二光栅长度提供高于第一光栅强度的第二光栅强度。在有利的实施例中，通过波导和光栅参数的适当设计，沿着第一光栅长度的有效折射率基本上与第二光栅长度的有效折射率匹配。良好匹配的有效折射率可以允许谐振光栅以高度不对称的单纵模（SLM）工作。在另外的实施例中，不对称单片DFB激光二极管包括具有用于高度不对称操作的波导和光栅参数的前后光栅部分。

4. 发明授权

KR101634189B1 열 분류기를 포함하는 실리콘-온-절연체 소자, 광 인터커넥트 및 열 전달 방법 有权
标题翻译：热电偶
公开(公告)号：KR101634189B1
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020147007735
申请日：2011-08-31
申请人： 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피
发明人： 량디
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/324 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/477 , H01L27/1203 , H01L29/02 , H01S5/021 , H01S5/02461 , H01S5/02469 , H01S5/1032 , H01S5/1071 , H01S5/222 , H01S5/34306 , H01S2301/176
摘要： 열분류기는소자의측벽으로부터의열을실리콘기판으로전달한다. 소자는매립산화물층을포함하는실리콘-온-절연체(SOI)에연관된다. 열분류기는매립산화물층을통해실리콘기판까지연장한다.

5. 发明授权

KR101594467B1 하이브리드 레이저 有权
标题翻译：混合激光
公开(公告)号：KR101594467B1
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020137031304
申请日：2012-05-16
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 시사크매튜엔 , 존스리차드 , 유제니바유제니아디
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/1032 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/3412 , H01S2301/166
摘要： 본발명의실시예는실리콘기반 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 장치로및 이와함께통합될수 있는, 전기적으로펌핑된하이브리드반도체레이저를제공한다. 하이브리드레이저의능동영역은퀀텀웰 또는퀀텀도트로구성된다. 본발명의실시예에따른장치는장거리데이터송신과마찬가지로퍼스널컴퓨터, 서버및 데이터센터에서및 그주위에서데이터를전송하는데 사용될수 있다.

6. 发明授权

KR101474813B1 마이크로 공진기 시스템 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：微波炉系统及其制造方法
公开(公告)号：KR101474813B1
公开(公告)日：2014-12-19
申请号：KR1020107002202
申请日：2008-07-30
申请人： 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.
发明人： 탠,마이클 , 왕,시-유안 , 스튜어트,던칸 , 패탈,데이비드
IPC分类号： H01P7/00 , H01S3/08 , H01S3/109
CPC分类号： H01S5/1075 , B82Y20/00 , G02B6/12007 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/026 , H01S5/0422 , H01S5/1032 , H01S5/1042 , H01S5/2063 , H01S5/222 , H01S5/3211 , H01S5/34306
摘要： 본발명의다양한실시예들은레이저, 변조기, 및광검출기로서이용될수 있는마이크로공진기시스템들및 상기마이크로공진기시스템들을제조하는방법들에관한것이다. 하나의실시예에서, 마이크로공진기시스템(100)은상부표면층(104)을갖는기판(106), 상기기판(106) 내에임베드된적어도하나의도파로(114, 116), 및상부층(118), 중간층(122), 하부층(120), 전류절연영역(128) 및주변환상영역(124, 126)을갖는마이크로디스크를포함한다. 상기마이크로디스크(102)의상기하부층(120)은상기기판(106)의상기상부표면층(104)과전기통신하고상기주변환상영역(124, 126)의적어도일부분이상기적어도하나의도파로(114, 116) 위에배치되도록위치된다. 상기전류절연층(128)은상기마이크로디스크의중앙영역의적어도일부분을점유하도록구성되고상기주변환상영역보다비교적더 낮은굴절률및 비교적더 큰밴드갭을갖는다.

7. 发明公开

KR1020130102528A 손실 변조 실리콘 소멸파 레이저 审中-实审
标题翻译：损失调制硅的变化激光
公开(公告)号：KR1020130102528A
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020137002315
申请日：2011-06-30
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 바우어스,존이. , 다이,다오신
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/1071 , H01S5/021 , H01S5/0265 , H01S5/06226 , H01S5/1032 , H01S5/14
摘要： 손실 변조 실리콘 소멸파 레이저가 개시된다. 본 발명의 하나 또는 그 이상의 실시예에 따른 손실 변조 반도체 레이저 소자는 제1 기판 상에 존재하되 내부의 반도체 층에 도파관을 포함하는 SOI(semiconductor-on-insulator)구조 및 상기 SOI 구조의 상기 반도체 층에 결합되는 반도체 구조를 포함하되, 상기 SOI 구조의 상기 반도체 층 내의 적어도 하나의 영역은 반도체 레이저 소자 내의 광자 수명을 제어한다.

8. 发明公开

KR1020130069116A 반도체 레이저 및 그의 제조방법 审中-实审
标题翻译： SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：KR1020130069116A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136674
申请日：2011-12-16
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김인규 , 김경옥 , 김상훈 , 주지호 , 장기석
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/021 , H01S3/0637 , H01S5/0205 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/2272 , H01S5/3027
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser and a manufacturing method thereof are provided to grow a laser gain medium on a semiconductor substrate by a selective epitaxy method, thereby manufacturing the semiconductor laser without cutting or polishing both sides of a Fabry-Perot cavity. CONSTITUTION: A germanium monocrystal Fabry-Perot cavity is grown on a substrate by a selective epitaxy method. A spacer(31) is separated from one side of the Fabry-Perot cavity. An optical coupler(33) is separated from the other end of the Fabry-Perot cavity. The height of the top surface of the Fabry-Perot cavity is different from the height of the spacer or the optical coupler.
摘要翻译：目的：提供一种半导体激光器及其制造方法，以通过选择性外延法在半导体衬底上生长激光增益介质，从而制造半导体激光器而不切割或抛光法布里 - 珀罗腔的两侧。构成：通过选择性外延法在基底上生长锗单晶法布里 - 珀罗腔。间隔物（31）从法布里 - 珀罗腔的一侧分离。光耦合器（33）与法布里 - 珀罗腔的另一端分离。法布里 - 珀罗腔的上表面的高度不同于间隔物或光耦合器的高度。

9. 发明公开

KR1020120105037A 산화아연 나노로드를 이용한 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用氧化锌纳米粒子的激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120105037A
公开(公告)日：2012-09-24
申请号：KR1020127019245
申请日：2010-09-10
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이상욱 , 강태원 , 파닌겐나디 , 조학동
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/327 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0425 , H01S5/341
摘要： PURPOSE: A laser diode using zinc oxide nanorods and a manufacturing method thereof are provided to perform UV laser oscillation in room temperature by improving the doping of a P-type semiconductor of a zinc oxide. CONSTITUTION: A substrate(10) is made of either metal, silicon, glass, or graphite. An electrode layer(20) is formed on the substrate. A nanorods layer(30) includes a plurality of zinc oxide nanorodses which is grown up on the electrode layer. A plurality of zinc oxide nanorodses is doped to an n-type. The zinc oxide nanorodses can be aligned perpendicular to the substrate. A single crystal semiconductor layer(40) can be either a single-crystal silicon substrate doped to a p-type, a GaAs substrate, or a GaN substrate. The single crystal semiconductor layer contacts the top of a nanorods layer in an interface(50).
摘要翻译：目的：提供使用氧化锌纳米棒的激光二极管及其制造方法，通过改善氧化锌的P型半导体的掺杂，在室温下进行紫外激光振荡。构成：衬底（10）由金属，硅，玻璃或石墨制成。在基板上形成电极层（20）。纳米棒层（30）包括在电极层上生长的多个氧化锌纳米棒。多个氧化锌纳米棒被掺杂成n型。氧化锌纳米棒可以垂直于衬底取向。单晶半导体层（40）可以是掺杂到p型，GaAs衬底或GaN衬底的单晶硅衬底。单晶半导体层在界面（50）中接触纳米棒层的顶部。

10. 发明公开

KR1020120089569A 층 수송을 위한 금속성 운반체를 포함하는 반도체 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：用于层传送的金属载体及其形成方法
公开(公告)号：KR1020120089569A
公开(公告)日：2012-08-13
申请号：KR1020120001601
申请日：2012-01-05
申请人： 소이텍
发明人： 워코벤크리스티안제이 , 아레나샨탈
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L33/0079 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/0218 , H01S5/183 , H01S5/32341
摘要： PURPOSE: A metallic carrier for layer transfer and a manufacturing method thereof are provided to have enough rigidity by forming a metallic layer on an attachment surface. CONSTITUTION: A donor structure(210) with a weakened zone(220) is formed at a predetermined depth. A transfer layer(230) is formed between an attachment surface(240) and the weakened zone. A residual donor structure is formed between the weakened zone and an opposite surface from the attachment surface. A metallic layer is formed on the attachment surface.
摘要翻译：目的：用于层转移的金属载体及其制造方法通过在附着表面上形成金属层而具有足够的刚性。构成：在预定深度处形成具有弱化区（220）的施主结构（210）。在附着表面（240）和弱化区之间形成转印层（230）。在弱化区域和与附着表面相反的表面之间形成残留施主结构。金属层形成在附着表面上。

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