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1. 发明授权

KR101347529B1 전자 비임 총 有权
标题翻译：电子束枪
公开(公告)号：KR101347529B1
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：KR1020070019180
申请日：2007-02-26
申请人： 페로텍 (유에스에이) 코포레이션
发明人： 크론버거크리스케이스 , 창핑
IPC分类号： H01J31/02 , H01J29/48
CPC分类号： H01J37/065 , H01J3/027 , H01J37/07 , H01J2237/06308 , H01J2237/3132
摘要： 전자 비임 총은 비임 형성기로부터 열을 전도하는 큰 질량의 캐소드 블록의 일체형 부분으로서 아치형 형상의 비임 형성기와, 개선된 정렬을 위해 캐소드 블록에 장착되는 필라멘트를 구비한다.

2. 发明公开

KR1020100084655A 광학박막 증착장치 및 광학박막의 제조방법 有权
标题翻译：光薄膜沉积装置和光薄膜制造方法
公开(公告)号：KR1020100084655A
公开(公告)日：2010-07-27
申请号：KR1020107010439
申请日：2009-08-17
申请人： 신크론 컴퍼니 리미티드
发明人： 나가에에키슈 , 지앙유송 , 시오노이치로 , 시미즈다다유키 , 하야시다츠야 , 후루카와마코토 , 무라타다카노리
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/46
CPC分类号： C23C14/22 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/221 , C23C14/225 , H01J2237/0041 , H01J2237/3132
摘要： Disclosed is an optical thin film deposition device that can produce an optical thin film with excellent optical properties, and a method for fabricating optical thin films at low cost and with excellent optical properties. Disclosed is an optical thin film deposition device that deposits a deposition substance onto a substrate (14) inside a vacuum chamber (10), and that is equipped with a domed substrate holding means (12) which is disposed inside the vacuum chamber (10) and holds the substrate (14), a rotation means which rotates the substrate holding means (12), a deposition means (34) which is disposed facing the substrate (14), an ion source (38) which irradiates ions toward the substrate (14), and a neutralizer (40) which irradiates electrons toward the substrate (14). The ion source (38) is disposed in a position in which the axis on which ions from the ion source (38) are irradiated is in the range not less than 8° and not greater than 40° relative to a line perpendicular to the surface of the substrate (14), and in which the ratio of the distance in the plumb direction between the center of the rotational axis of the substrate holding means and the center of the ion source (38) is in the range not less than 0.5 and not greater than 1.2.
摘要翻译：公开了一种光学薄膜沉积装置，其可以制造具有优异光学性质的光学薄膜，以及一种以低成本制造光学薄膜并具有优异的光学性能的方法。公开了一种光学薄膜沉积装置，其将沉积物质沉积在真空室（10）内的基板（14）上，并且配备有设置在真空室（10）内部的圆顶形基板保持装置（12）并且保持基板（14），旋转基板保持装置（12）的旋转装置，与基板（14）相对设置的沉积装置（34），向基板照射离子的离子源（38） 14）和向基板（14）照射电子的中和器（40）。离子源（38）设置在离离子源（38）的离子的轴线相对于与该表面垂直的线不小于8°且不大于40°的位置，并且其中基板保持装置的旋转轴的中心与离子源（38）的中心之间的铅垂方向之间的距离的比率在不小于0.5的范围内，以及不大于1.2。

3. 发明授权

KR101371940B1 진공 처리 장치 有权
标题翻译：真空加工装置
公开(公告)号：KR101371940B1
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020127021285
申请日：2011-02-16
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 이이지마,에이치 , 이케다,히로토 , 이소,요시키
IPC分类号： C23C14/30 , H01J37/06 , H01J37/065 , H01J37/10
CPC分类号： H01J37/305 , C23C14/30 , H01J37/21 , H01J2237/216 , H01J2237/3132
摘要： 고진공 영역에서도 전자빔의 발산을 억제하고, 증발 레이트의 저하를 방지하고, 안정된 성막을 실시할 수 있는 진공 처리 장치를 제공한다.
진공 처리 장치(증착 장치)(1)은, 진공 증착실(50)과, 전자총(20)과, 전자빔 집속 기구(150)를 가진다. 상기 진공 증착실(50)은, 증발 재료(31)을 수용하는 증발원 및 상기 증발 재료(31)가 가열되어 증착막으로서 증착되는 피처리 부재(10)가 설치되고 있다. 상기 전자총은, 상기 진공 증착실(50)에 인접하여 배치되고, 상기 증발 재료(31)를 가열하는 전자빔을 출사한다. 상기 전자빔 집속 기구(150)는, 상기 진공 증착실(50) 내에 설치되고, 전자총(20)으로부터 출사된 상기 전자빔을 집속한다.

4. 发明公开

KR1020120102163A 진공 처리 장치 有权
标题翻译：真空加工装置
公开(公告)号：KR1020120102163A
公开(公告)日：2012-09-17
申请号：KR1020127021285
申请日：2011-02-16
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 이이지마,에이치 , 이케다,히로토 , 이소,요시키
IPC分类号： C23C14/30 , H01J37/06 , H01J37/065 , H01J37/10
CPC分类号： H01J37/305 , C23C14/30 , H01J37/21 , H01J2237/216 , H01J2237/3132
摘要： 고진공 영역에서도 전자빔의 발산을 억제하고, 증발 레이트의 저하를 방지하고, 안정된 성막을 실시할 수 있는 진공 처리 장치를 제공한다.
진공 처리 장치(증착 장치)(1)은, 진공 증착실(50)과, 전자총(20)과, 전자빔 집속 기구(150)를 가진다. 상기 진공 증착실(50)은, 증발 재료(31)을 수용하는 증발원 및 상기 증발 재료(31)가 가열되어 증착막으로서 증착되는 피처리 부재(10)가 설치되고 있다. 상기 전자총은, 상기 진공 증착실(50)에 인접하여 배치되고, 상기 증발 재료(31)를 가열하는 전자빔을 출사한다. 상기 전자빔 집속 기구(150)는, 상기 진공 증착실(50) 내에 설치되고, 전자총(20)으로부터 출사된 상기 전자빔을 집속한다.

5. 发明公开

KR1020070088403A 전자 비임 총 有权
标题翻译：电子束枪
公开(公告)号：KR1020070088403A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020070019180
申请日：2007-02-26
申请人： 페로텍 (유에스에이) 코포레이션
发明人： 크론버거크리스케이스 , 창핑
IPC分类号： H01J31/02 , H01J29/48
CPC分类号： H01J37/065 , H01J3/027 , H01J37/07 , H01J2237/06308 , H01J2237/3132
摘要： An electron beam gun is provided to reduce tendency of distortion and fusion of a beam forming unit by transferring heat from the beam forming unit to a cathode block having large volume. An electron beam gun(100) for generating electrons includes an electron cathode and an anode. The electron cathode includes at least two cathode blocks(102,103). The volume of the first cathode block is larger than the volume of the second cathode block. A beam forming unit(104) is formed in an inside of the first cathode ray block. The beam forming unit includes the inside having a shape of arch. A filament(109) is installed at the first cathode block.
摘要翻译：提供电子束枪，以通过将热量从光束形成单元传递到具有大体积的阴极块来减少光束形成单元的变形和熔化的趋势。用于产生电子的电子束枪（100）包括电子阴极和阳极。电子阴极包括至少两个阴极块（102,103）。第一阴极块的体积大于第二阴极块的体积。光束形成单元（104）形成在第一阴极射线块的内部。梁形成单元包括具有拱形形状的内侧。灯丝（109）安装在第一阴极块处。

6. 发明公开

KR1020170037620A 멀티―베인 스로틀 밸브 审中-实审
标题翻译：多叶片节流阀
公开(公告)号：KR1020170037620A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020177004058
申请日：2014-08-14
申请人： 페로텍 (유에스에이) 코포레이션
发明人： 신,펭
IPC分类号： F16K1/22 , F16K49/00 , F16K51/02 , H01J37/18
CPC分类号： F16K1/223 , F16K1/222 , F16K49/007 , F16K51/02 , H01J37/18 , H01J2237/186 , H01J2237/3132
摘要： 진공처리챔버용멀티-베인스로틀밸브는복수의회전가능한베인각각의후방측에피봇가능하게연결되고복수의회전가능한베인의각각으로부터후방으로연장되는왕복베인과, 미리결정된위치에고정되고왕복베인을지지하기에충분한미리결정된거리만큼왕복베인을향해횡방향으로연장하는조립핀을포함하며, 이에의해고정식앵글리조립체는왕복베인이각각의회전가능한베인과실질적으로평행한위치와각각의회전가능한베인에대한횡방향위치사이의범위에서왕복베인이피봇된다.
摘要翻译：一种真空处理室的多对固定至往复式叶片和从每个节气门枢转地连接到多个可旋转叶片的叶片，每个后和可能的多个旋转叶片和所述往复叶片的向后延伸的预定位置支撑hagie朝向往复叶片足够的预定距离包括在横向方向上延伸的组装销，由此可以固定角度李组件往复运动的叶片是与每个所述可旋转叶片中的每一个基本上旋转叶片平行的位置往复叶片在横向位置之间的范围内枢转。

7. 发明授权

KR101052036B1 고온 내 부식성 향상을 위한 세라믹 코팅 및 이온빔 믹싱장치 및 이를 이용한 박막의 계면을 개질하는 방법 有权
公开(公告)号：KR101052036B1
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：KR1020060047855
申请日：2006-05-27
申请人： 한국원자력연구원 , 한국수력원자력 주식회사
发明人： 박재원 , 박창규 , 장종화 , 최병호 , 김용완
IPC分类号： C23C14/46
CPC分类号： C23C14/5833 , C23C14/0635 , C23C14/30 , C23C14/48 , C23C14/505 , C23C14/5893 , H01J37/317 , H01J37/3233 , H01J2237/3132 , H01J2237/316 , H01J2237/3165 , H01J2237/31701
摘要： 본 발명은 고온 내 부식성 향상을 위한 세라믹 코팅 및 이온빔 믹싱 장치 및 이를 이용한 박막의 계면을 개질하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 상기 코팅 및 이온 빔 믹싱 장치를 이용하여 공정을 한 시편은 접합성이 향상되고 모재를 강화시켜 고온에서의 열응력에 대한 저항뿐만 아니라 수소생산을 위한 황산분해기에 사용될 소재의 고온 부식 저항성이 크게 향상될 수 있다.
코팅 및 이온빔 믹싱, 박막 계면 개질

8. 发明公开

KR1020020006531A 아크-프리 전자총 有权
标题翻译： - 无电弧电子枪
公开(公告)号：KR1020020006531A
公开(公告)日：2002-01-19
申请号：KR1020017012316
申请日：2000-03-08
申请人： 티에프아이 텔레마크
发明人： 쥬니가루이스에이 , 라프런스마이클이. , 윌리저레리에프 , 죤슨크리스토퍼에스.
IPC分类号： H01J37/073
CPC分类号： H01J37/3053 , H01J37/065 , H01J2237/3132
摘要： 본발명은한정된전자열을발생시키는개량된정전필드, 한정된전자열을최소발산으로도가니로지시하는개량된자기장, 및고전압리드상의개량된절연부를제공함으로써아크방전을방지하는전자총에관한것이다. 상기개량된정전필드는필라멘트(24)에인접하여배열되어상기필라멘트(24)에정렬된음극윈도우(22)를형성하는음극판(20)에의해제공된다. 상기음극판(20)에인접하여배열된양극판(28)은상기음극윈도우(22)에정렬되는양극윈도우(30)를형성한다. 상기음극판(20)과양극판(28)은필라멘트(24)로부터방출된전자들이최소발산으로상기음극및 양극윈도우를통해지시되는정전필드및 렌즈효과를형성한다. 상기개량된자기장은한 쌍의자극, 상기자극으로부터각각연장하는한 쌍의연장판, 및전자열의통로를향해상기연장판으로부터연장되는복수의연장부재를갖는자석에의해제공된다.
摘要翻译：电子枪通过提供产生限制电子流的改进的静电场来防止不期望的电弧，改进的磁场将限制的电子流引导到具有最小发散的坩埚，以及改进的高压引线上的绝缘。改进的静电场由靠近灯丝设置的阴极板提供，并形成与灯丝对准的阴极窗。与阴极板相邻设置的阳极板形成与阴极窗对齐的阳极窗。阴极板和阳极板形成静电场和透镜效应，其引导从灯丝发射的电子通过阴极和阳极窗口以最小的发散。改进的磁场由具有一对磁极的磁体，从磁极延伸的一对延伸板和从延伸板向电子流的路径延伸的多个延伸构件提供。磁体，一对延伸板和多个延伸构件沿着电子流路径提供均匀的磁场，以最小的散度将电子流引导到坩埚。高压引线上的绝缘可改善是可能的，因为冷却流体护套构件形成绝缘高压电线通过的第一通道，其连接到灯丝和阳极/阴极板，第二通道冷却流体流过该第二通道以冷却第一通道和其中的电线。

9. 发明授权

KR101864877B1 이온 조사에 의한 피복재의 탈막 방법 및 탈막 장치 有权
公开(公告)号：KR101864877B1
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：KR20167035988
申请日：2016-03-29
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3053 , C23C14/022 , C23C16/0245 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/0825 , H01J2237/20214 , H01J2237/3114 , H01J2237/3132 , H01J2237/3151
摘要： PCD(다결정다이아몬드)와같은무기물로피복된공구나기계부품등을재생사용이가능해지도록탈막하는방법으로서, 이온조사시에피탈막베이스재(피복재)에사각을발생시키기어렵고, 온도적으로베이스재(금속제부재)에취성상을발생시키기어려우며경제적인속도로탈막이실행될수 있는탈막방법을제공하는것을과제로한다. 금속제부재의표면에무기물로이루어지는피막이붙어이루어지는피복재(1)에이온류(7)를조사하여상기금속제부재로부터상기피막을박리하는탈막방법으로서, 피복재(1)를 2개이상의이온류(7)가겹치는이온류집중부(7A)에설치하고, 피복재(1)에양음바이어스를부가하지않고피복재(1)에이온류(7)를조사하는것을특징으로하는탈막방법에따라상기과제를해결할수 있다.

10. 发明公开

KR1020170013308A 이온 조사에 의한 피복재의 탈막 방법 및 탈막 장치 审中-实审
标题翻译：覆盖材料剥离方法和剥离装置使用离子辐射
公开(公告)号：KR1020170013308A
公开(公告)日：2017-02-06
申请号：KR1020167035988
申请日：2016-03-29
申请人： 신메이와 고교 가부시키가이샤
发明人： 우에무라겐스케 , 렘뉴브쥐.알렉세이
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3053 , C23C14/022 , C23C16/0245 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/0825 , H01J2237/20214 , H01J2237/3114 , H01J2237/3132 , H01J2237/3151 , H01J37/30
摘要： PCD(다결정다이아몬드)와같은무기물로피복된공구나기계부품등을재생사용이가능해지도록탈막하는방법으로서, 이온조사시에피탈막베이스재(피복재)에사각을발생시키기어렵고, 온도적으로베이스재(금속제부재)에취성상을발생시키기어려우며경제적인속도로탈막이실행될수 있는탈막방법을제공하는것을과제로한다. 금속제부재의표면에무기물로이루어지는피막이붙어이루어지는피복재(1)에이온류(7)를조사하여상기금속제부재로부터상기피막을박리하는탈막방법으로서, 피복재(1)를 2개이상의이온류(7)가겹치는이온류집중부(7A)에설치하고, 피복재(1)에양음바이어스를부가하지않고피복재(1)에이온류(7)를조사하는것을특징으로하는탈막방법에따라상기과제를해결할수 있다.
摘要翻译：本发明解决了提供剥离方法的问题，该剥离方法允许已经涂覆有诸如PCD（多晶金刚石）的无机材料的工具，机械部件等以能够再生和使用的方式被剥离它们。这种剥离方法允许剥离在离子照射期间以相对于要剥离的基材（覆盖材料）容易地发生死角而以经济的速度执行，并且在基材（金属构件）中容易发生脆性相，由于温度。通过从金属构件剥离涂层的剥离方法可以通过将离子流（7）照射到由金属表面上包含无机材料的涂层所形成的覆盖材料（1）上来解决问题，会员。剥离方法的特征在于：在两个或更多个离子流（7）重叠的离子流集中部分（7A）中设置覆盖材料（1）并将离子流（7）照射到覆盖材料（1）上，而不对正面/负面的偏压施加在覆盖材料（1）上。

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