专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR20180022075A 실시간 데이터 처리를 위한 듀얼 인메모리 기반 데이터 저장 및 처리 시스템 有权
标题翻译：基于双内存的数据存储和实时数据处理系统
公开(公告)号：KR20180022075A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR20160106923
申请日：2016-08-23
申请人： 전자부품연구원
发明人： JI YOUNG MIN , YOO JUNE JAE
IPC分类号： G06F15/78 , G06F12/08
CPC分类号： G06F15/785 , G06F12/0897
摘要： 실시간데이터처리를위한듀얼인메모리기반데이터저장및 처리시스템이제공된다. 본발명의실시예에따른데이터저장시스템은, 제1 목적을위한제1 인메모리 DB가구축되는제1 메모리, 제2 목적을위한제2 인메모리 DB가구축되는제2 메모리, DB가구축되는스토리지및 제1 메모리, 제2 메모리및 스토리지를제어하는프로세서를포함한다. 이에의해, 데이터수집(데이터스트림저장)과데이터조회응답처리를듀얼메모리에듀얼인메모리 DB로이원화함으로써시스템성능을향상시켜, 궁극적으로빅데이터의빠른처리가가능해진다.
摘要翻译：提供基于内存的双数据存储和处理系统，用于实时数据处理。根据本发明实施例的数据存储系统包括用于第一目的的用于第一内存数据库的第一存储器，用于第二用途的用于第二内存数据库的第二存储器，以及用于控制存储器和第一存储器，第二存储器和存储器的处理器。因此，数据采集（数据流存储）和数据查询响应处理在双存储器中执行到双存储器DB，从而提高了系统性能并最终实现了大数据的快速处理。

2. 发明公开

KR1020130085042A 구성 정보에 따라 원자 메모리 동작들을 수행하기 위한 방법들 및 메모리들 有权
标题翻译：根据配置信息执行原始内存操作的记忆和方法
公开(公告)号：KR1020130085042A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020137012860
申请日：2011-09-19
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 레스닉데이비드
IPC分类号： G11C7/10 , G11C8/10 , G06F12/00
CPC分类号： G11C7/1006 , G06F9/3004 , G06F15/7821 , G06F15/785 , G06F15/8084 , G11C7/1009 , G11C7/109 , G11C7/22
摘要： 메모리 저장소, 동작 로직, 및 명령 디코더를 가진 메모리를 포함한, 메모리들 및 원자 메모리 동작을 수행하기 위한 방법들이 개시된다. 동작 로직은 데이터를 수신하고 내부 제어 신호들에 따라 그것에 대해 동작들을 수행하도록 구성될 수 있다. 명령 디코더는 메모리 명령이 제공되는 적어도 하나의 메모리 명령부 및 명령 패킷과 연관된 데이터에 관련된 구성 정보가 제공되는 데이터 구성부를 가진 명령 패킷들을 수신하도록 구성될 수 있다. 명령 디코더는 또한 상기 메모리 명령에 적어도 부분적으로 기초하여 명령 제어 신호를 생성하도록 구성되며 또한 상기 구성 정보에 적어도 부분적으로 기초하여 제어 신호를 생성하도록 구성된다.

3. 发明公开

KR1020170102418A 재구성 가능한 계산 로직을 포함하는 3차원-적층 메모리 审中-实审
标题翻译：包含可重新配置的计算逻辑的三维堆栈存储器
公开(公告)号：KR1020170102418A
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：KR1020170010555
申请日：2017-01-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 창,무-티엔 , 제라,프라순 , 니우,디민 , 정,홍종
IPC分类号： G11C5/04 , G11C7/10 , G06F13/14
CPC分类号： G06F3/0605 , G06F3/0611 , G06F3/0625 , G06F3/0635 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G06F9/30196 , G06F15/785
摘要： 본발명에따른 3차원-적층메모리장치는데이터흐름을지시하는복수의스위치들및 데이터를계산하는복수의산술논리유닛들을포함하는베이스다이, 상기베이스다이상에적층되는복수의메모리다이들, 그리고상기베이스다이를제어하는신호들을전송하는인터페이스를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的堆叠式存储器装置3D包括多个存储器被堆叠在基底管芯，并且所述基座包括用于计算多个开关和指示数据的数据的多个算术逻辑单元的流的模具中，并还有一个用于传输信号的接口，用于控制基础芯片。

4. 发明公开

KR1020170015477A 메모리에서 비교 연산들 审中-实审
标题翻译：内存中的比较操作
公开(公告)号：KR1020170015477A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020177000270
申请日：2015-06-04
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 티와리,산제이
IPC分类号： G06F9/30 , G11C29/12 , G11C29/14 , G11C29/32 , G11C7/06 , G06F9/38 , G06F15/78
CPC分类号： G11C29/1201 , G06F9/30029 , G06F9/30032 , G06F9/3877 , G06F9/3887 , G06F15/785 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C11/4091 , G11C11/4096 , G11C16/10 , G11C29/14 , G11C29/32 , Y02D10/13
摘要： 본개시의예들은메모리에서비교연산을수행하는것에관련된장치들및 방법들을제공한다. 일예의장치는제 1 액세스라인에결합되어제 1 요소를저장하도록구성된제 1 그룹의메모리셀들을포함할수 있다. 또한, 일예의장치는제 2 액세스라인에결합되어제 2 요소를저장하도록구성된제 2 그룹의메모리셀들을포함할수 있다. 또한, 일예의장치는입력/출력(I/O) 라인을통해데이터를전송하지않고다수의 AND 연산들, OR 연산들, SHIFT 연산들, 및 INVERT 연산들을수행함으로써제 1 요소를제 2 요소와비교하도록구성된감지회로를포함할수 있다.
摘要翻译：本公开的示例提供了与在存储器中执行比较操作有关的装置和方法。示例性设备可以包括耦合到第一接入线路并被配置为存储第一元件的第一组存储器单元。示例性设备还可以包括耦合到第二接入线路并被配置为存储第二元件的第二组存储器单元。示例性装置还可以包括感测电路，其被配置为通过在不经由输入/输出（I / O）线路传送数据的情况下执行多个AND运算，OR运算，SHIFT运算和INVERT运算来比较第一元件与第二元件。

5. 发明授权

KR101921433B1 메모리에서 비교 연산들 有权
公开(公告)号：KR101921433B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020177000270
申请日：2015-06-04
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 티와리,산제이
IPC分类号： G06F9/30 , G11C29/12 , G11C29/14 , G11C29/32 , G11C7/06 , G06F9/38 , G06F15/78
CPC分类号： G11C29/1201 , G06F9/30029 , G06F9/30032 , G06F9/3877 , G06F9/3887 , G06F15/785 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C11/4091 , G11C11/4096 , G11C16/10 , G11C29/14 , G11C29/32 , Y02D10/13
摘要： 본개시의예들은메모리에서비교연산을수행하는것에관련된장치들및 방법들을제공한다. 일예의장치는제 1 액세스라인에결합되어제 1 요소를저장하도록구성된제 1 그룹의메모리셀들을포함할수 있다. 또한, 일예의장치는제 2 액세스라인에결합되어제 2 요소를저장하도록구성된제 2 그룹의메모리셀들을포함할수 있다. 또한, 일예의장치는입력/출력(I/O) 라인을통해데이터를전송하지않고다수의 AND 연산들, OR 연산들, SHIFT 연산들, 및 INVERT 연산들을수행함으로써제 1 요소를제 2 요소와비교하도록구성된감지회로를포함할수 있다.

6. 发明公开

KR1020170136055A 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：半导体存储器件及其操作方法
公开(公告)号：KR1020170136055A
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020160066477
申请日：2016-05-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 류제민 , 오름 , 유학수
IPC分类号： G06F9/30 , G06F13/16 , G11C7/06 , G11C7/10 , G11C8/10
CPC分类号： G06F12/00 , G06F15/785
摘要： 본발명의실시예에따른반도체메모리장치는메모리셀 어레이및 내부프로세싱동작을수행하는내부프로세서를포함한다. 반도체메모리장치의동작방법은외부장치의제어에따라내부프로세싱모드로진입하는단계, 내부프로세싱모드에서, 외부장치의제어에따라메모리셀 어레이의제1 영역에저장된처리정보를액세스하는단계, 액세스된처리정보를기반으로내부프로세싱동작을수행하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的半导体存储器件包括存储器单元阵列和用于执行内部处理操作的内部处理器。一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括：根据根据外部设备，内部处理模式下，外部设备，所述接入的控制进入到处理模式的步骤的控制存储在存储单元阵列的第一区域访问管理信息的并且基于处理信息执行内部处理操作。

7. 发明公开

KR1020160061703A 내부 카피 동작을 수행하는 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：具有内部复印操作的存储器件
公开(公告)号：KR1020160061703A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020140164415
申请日：2014-11-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손영수 , 김세진 , 김태영 , 박광일 , 박철우
IPC分类号： G06F12/06
CPC分类号： G06F9/3004 , G06F9/30032 , G06F15/785
摘要： 본발명은내부카피동작을수행하는메모리장치에대하여개시된다. 메모리장치는내부카피커맨드와함께소스어드레스및 목적지어드레스, 그리고페이지사이즈정보를수신하고, 소스어드레스와목적지어드레스를비교하여내부카피동작을수행할수 있다. 내부카피동작은내부블락카피동작, 인터뱅크카피동작그리고내부뱅크카피동작중 하나로선택되고, 페이지사이즈정보에따라 1 페이지데이터, 하프(1/2) 페이지데이터또는쿼터(1/4) 페이지데이터에대하여내부카피동작이수행될수 있다. 메모리장치는내부카피동작이완료되면카피완료플래그신호를출력할수 있다.
摘要翻译：本发明公开了一种执行内部复制操作的存储设备，能够支持去分片。存储装置可以与内部复制命令一起接收源地址，目的地地址和页面大小信息，将源地址与目的地地址进行比较，并执行内部复制操作。内部复制操作可以是内部块复制操作，行间复制操作和内部银行复制操作之一。可以基于页面大小信息来执行关于一页数据，半页数据或四分之一页数据的内部复制操作。存储器件可以作为标志信号输出指示内部复制操作已经完成的复制完成信号。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式