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1. 发明公开

KR1020170141271A 적층체, 유기 반도체 제조용 키트 및 유기 반도체 제조용 레지스트 조성물 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170141271A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：KR1020177035692
申请日：2014-10-29
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 이와이유 , 코야마이치로 , 카모치요시타카 , 미즈타니카즈요시
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/031 , B32B27/08 , B32B27/30
CPC分类号： B32B27/08 , B32B27/306 , B32B2307/4026 , B32B2457/00 , B32B2457/20 , B32B2457/206 , G03F7/027 , G03F7/033 , G03F7/0388 , G03F7/092 , H01L51/4253 , H01L51/448 , H01L51/5253 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , G03F7/11 , G03F7/031
摘要： 본발명은, 양호한유기반도체패턴을형성가능한적층체, 및이러한적층체를제조하기위한, 유기반도체제조용키트, 그리고유기반도체제조용키트에이용하는유기반도체제조용레지스트조성물을제공하는것을목적으로한다. 유기반도체막과, 상기유기반도체막상의보호막과, 상기보호막상의레지스트막을갖고, 상기레지스트막이, 광라디칼중합개시제 (A) 및라디칼중합성화합물 (B)를포함하는감광성수지조성물로이루어지는적층체이다.

2. 发明授权

KR101805119B1 고밀착성 레지스트 하층막 형성용 조성물 有权
标题翻译：一种用于形成高抗粘着力抗蚀剂下层膜的组合物
公开(公告)号：KR101805119B1
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020147026628
申请日：2013-02-26
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 엔도,타카후미 , 사카모토,리키마루 , 후지타니,노리아키
IPC分类号： G03F7/11 , C08G63/00 , C08G65/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/092 , C08G63/6856 , C08G63/91 , C08G65/40 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/31144
摘要： [과제] 레지스트와의밀착성을향상시킨레지스트하층막을형성하기위한조성물을제공한다. [해결수단] 하기식(1)로표시되는반복구조단위를주쇄에갖는폴리머및 유기용제를포함하는리소그래피용레지스트하층막형성조성물. (1) (식중, R은수소원자또는메틸기를나타내고, Q은하기식(2) 또는식(3)으로표시되는기를나타내고, v및 v는각각독립적으로 0 또는 1을나타낸다.) (2) (3) (식중, R, R, R및 R은각각독립적으로수소원자또는탄소원자수 1 내지 4의직쇄상혹은분지쇄상의탄화수소기를나타내고, R는수소원자또는메틸기를나타내고, R은탄소원자수 1 내지 6의직쇄상혹은분지쇄상의탄화수소기, 탄소원자수 1 내지 4의알콕시기, 탄소원자수 1 내지 4의알킬티오기, 할로겐원자, 시아노기또는니트로기를나타내고, w은 0 내지 3의정수를나타내고, w는0 내지 2의정수를나타내고, x는 0 내지 3의정수를나타낸다.)
摘要翻译：本发明提供一种抗蚀剂底涂膜形成用组合物，其对抗蚀剂的粘合性提高。 [解决问题的手段]下述式（1）中的平版的重复结构单元的抗蚀剂下层膜形成含有聚合物和具有由下式表示的主链的有机溶剂的组合物。（1）（式中，R隐士希望的字符或表示甲基，表示由Q表示的基团银河喂养（2）或式（3）中，v和v分别表示独立地为0或1，。）（2）（ 3）（式中，R，R，R和R各自独立地为1-4 uijik链或支链的氢原子或碳原子的烃基，R表示氢原子或甲基，R euntan氢为1至6 uijik链或支链的烃基，1至4的烷氧基的碳原子数，来的1个碳原子至烷基的4，卤原子，表示氰基或硝基，w表示0〜3可议定书，w是表示0到2的数字，x表示0到3的数字。）

3. 发明公开

KR1020160079000A 전기 회로 패턴을 포함하는 기판, 그를 제공하기 위한 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：包含电路图案的基板，用于提供其的方法和系统
公开(公告)号：KR1020160079000A
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020167013210
申请日：2014-10-29
申请人： 네덜란제 오르가니자티에 포오르 토에게파스트-나투우르베텐샤펠리즈크 온데르조에크 테엔오
发明人： 헨드릭스,롭제이콥 , 스미츠,에스커콘스탄트피터 , 페린체리,산딥메논 , 그로엔,핌
IPC分类号： G03F7/34 , G03F7/09 , G03F7/11
CPC分类号： H05K3/027 , B05D3/06 , G03F7/092 , G03F7/11 , G03F7/34 , G03F7/343 , H05K1/0296 , H05K3/0082 , H05K2201/0108 , H05K2203/0104 , H05K2203/0522 , G03F7/2002
摘要： 본발명개시는기판상에전기회로패턴뿐만아니라, 상기를형성하기위한방법및 시스템에관한것이다. 일반적인실시예에서, 광패턴은연속재료층 및투명층 사이의부착의패턴화된릴리즈를야기하는투명층을통해투사된다. 패턴화된구조를그 위에형성하도록노출되지않은재료를남기는동안에패턴화된재료층에부착된릴리즈층은낮은부착을가지는재료를분리하도록상기기판을인출한다.

4. 发明公开

KR1020160002708A 이형 성능 회복액, 이형 성능 회복방법 및 포토마스크 审中-实审
标题翻译：模具释放性能恢复解决方案，模具释放性能恢复方法和光电
公开(公告)号：KR1020160002708A
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020157024746
申请日：2014-03-31
申请人： 키모토 컴파니 리미티드
发明人： 네기시도모코 , 나카무라가오루 , 구리시마스스무 , 히라마츠히로무
IPC分类号： C09D183/04 , G03F1/48 , C08G59/08 , C08G77/16 , B29C33/64
CPC分类号： B29C33/64 , C08G77/16 , C09D183/04 , G03F1/48 , G03F7/092 , C08L83/00
摘要： 본발명은실리콘오일을포함하는도막이갖는이형성능이저하된경우에그 저하된이형성능을회복시키는데 유용한이형성능회복액을제공하는것을과제로한다. 상기과제를해결하기위해, 본발명의이형성능회복액은성능회복성분과용매만으로구성하고, 성능회복성분을반응성실리콘오일및 비반응성실리콘오일로구성하는것을특징으로하며, 반응성실리콘오일을 1 중량부의비반응성실리콘오일에대해 3~5 중량부의양으로함유시키는것이바람직하고, 성능회복성분과용매의중량비율을 4:96~6:94로하는것이바람직하다.

5. 发明公开

KR1020150033857A 감광막 패턴 형성방법 有权
标题翻译：用于形成光电子图案的装置及其方法
公开(公告)号：KR1020150033857A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020130113638
申请日：2013-09-25
申请人： 하이디스 테크놀로지 주식회사
发明人： 윤성중
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/26
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/004 , G03F7/092 , G03F7/26
摘要： 본발명은감광막패턴형성장치및 감광막패턴형성방법에관한것으로서, 본발명에따른감광막패턴형성장치는상면에감광막이형성된기판; 상기감광막을베이킹하도록상기기판의하부에배치되며, 기판의상부에현상액을도포하는노즐의스캔방향을따라설치되는다수의가열수단; 및, 각가열수단과상기기판과의간격을조절하는간격조절부;를포함하며, 상기기판의베이킹온도는상기노즐의스캔시작지점으로부터상기노즐의스캔종료지점까지점진적으로낮아지도록각 가열수단의온도및 상기간격이제어되는것을특징으로한다. 이에의하여, 퍼들타입현상공정에서감광막의경화도가노즐의스캔방향에대해점진적으로작아지도록소프트베이킹시기판의베이킹온도를스캔시작지점부터스캔종료지점까지갈수록작아지도록설정하여현상속도가스캔방향으로점진적으로커지게함으로써감광막패턴의선폭을균일하게할 수있고, 이에따라상기감광막패턴을식각마스크로하여형성되는배선패턴또는전극패턴을균일하게할 수있어최종완제품에서의불량률을낮출수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成光致抗蚀剂图案的设备及其方法。根据本发明的用于形成光致抗蚀剂图案的设备包括：在上侧形成有光致抗蚀剂层的基板; 加热单元布置在基板的下部以烘烤光致抗蚀剂层，并沿着将显影液施加到基板的上部的喷嘴的扫描方向安装; 以及间隙控制部，其控制各加热单元与基板之间的间隙。衬底的背衬温度从喷嘴的扫描开始点到喷嘴的扫描终点逐渐减小，从而可以控制每个加热单元的温度和间隙。因此，在水坑式显影处理中，光致抗蚀剂层的硬化水平在喷嘴的扫描方向上逐渐减小，使得软烘烤过程中的基板的烘烤温度从扫描开始点到扫描终点逐渐减小。因此，显影速度在扫描方向上逐渐增加，使得光致抗蚀剂图案的线宽变得均匀。因此，通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模形成的线图案或电极图案变得均匀，从而可以降低成品的错误率。

6. 发明公开

KR1020140058394A 도전 패턴의 형성 방법, 도전 패턴 기판 및 터치 패널 센서 审中-实审
标题翻译：形成导电图案，导电图案基板和触控面板传感器的方法
公开(公告)号：KR1020140058394A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020137010665
申请日：2012-10-01
申请人： 히타치가세이가부시끼가이샤
发明人： 야마자키히로시 , 이가라시요시미
IPC分类号： H01B13/00 , G06F3/041
CPC分类号： G06F3/041 , G03F7/0005 , G03F7/027 , G03F7/09 , G03F7/092 , G03F7/095 , G03F7/0952 , G03F7/0955 , G03F7/2022 , G06F3/044 , G06F2203/04112 , H05K1/0274 , H05K1/0313 , H05K1/036 , H05K1/09 , H05K3/06 , H05K2201/0275 , Y10T428/24802 , G02F1/13439 , G03F7/203
摘要： 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법은, 기판 상에 형성된 감광성 수지층과, 감광성 수지층의 기판과는 반대측의 면에 형성된 도전막을 포함하는 감광층에, 패턴상으로 활성 광선을 조사하는 제 1 노광 공정과, 산소 존재하에서, 감광층의 적어도 제 1 노광 공정에서의 미노광부의 일부 또는 전부에 활성 광선을 조사하는 제 2 노광 공정과, 제 2 노광 공정 후에 감광층을 현상함으로써 도전 패턴을 형성하는 현상 공정을 구비한다.

7. 发明公开

KR1020140043475A 플렉소 인쇄 요소들의 인쇄 성능을 향상시키기 위한 방법 有权
标题翻译：改进柔性印刷元件打印性能的方法
公开(公告)号：KR1020140043475A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020147003751
申请日：2012-05-31
申请人： 맥더미드 프린팅 솔루션스, 엘엘씨
发明人： 쿡브라이언 , 렉치아데이비드에이. , 갓식티모시
IPC分类号： G03F7/11 , B41N1/06 , G03F7/34 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/092 , G03F7/202 , G03F1/0023 , G03F5/00 , G03F5/20
摘要： 릴리프 패턴을 갖는 릴리프 화상 인쇄 요소를 제조하는 방법으로서, 상기 방법은 a) 전체 화상이 셀들의 패턴을 포함하는 서브-화상을 그 내부에 포함하도록 마스킹층 내에 전체 화상을 생성하기 위해 마스킹층을 선택적으로 절제하는 단계; b) 마스킹층의 상부 상에 산소 배리어층을 도포하는 단계; c) 적어도 하나의 광경화성층을 선택적으로 가교 결합하고 경화하기 위해 산소 배리어층과 마스킹층을 통해 화학선 방사선에 인쇄 요소를 노광하여, 이에 의해 그 내에 릴리프 화상 및 인쇄 요소 내에 텍스처 형성된 표면을 생성하는 단계; 및 d) 릴리프 화상을 드러내기 위해 배리어층 및 광경화성층의 미경화된 부분들을 제거함으로써 인쇄 블랭크를 현상하는 단계를 포함한다.

8. 发明公开

KR1020110086812A 플루오렌을 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 无效
标题翻译：用于形成含有含氟树脂的光刻胶膜的组合物
公开(公告)号：KR1020110086812A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：KR1020117010173
申请日：2009-10-05
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 신조,테츠야 , 선,준 , 하시모토,케이스케
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/02 , C08L35/00
CPC分类号： G03F7/091 , C08G10/02 , C08G61/02 , C07C243/40 , C08G59/423 , G03F7/092 , G03F7/094 , G03F7/11
摘要： 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세서에 사용하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것이다.
하기 식(1):

(식 중, R
1 , R
2 , R
3 및 R
4 는 각각 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 탄소원자수 6 내지 20의 아릴기, 할로겐기, 니트로기 또는 아미노기이며, R
5 , R
6 은 각각 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기 또는 글리시딜기이고, Ar은 탄소원자수 6 내지 20의 아릴렌기이며, n1 및 n2는 각각 0 내지 4의 정수이며, n3은 0 내지 (6-n5)의 정수이며, n4는 0 내지 (6-n6)의 정수이며, n5 및 n6은 각각 1 내지 6의 정수이며, 또한 n3+n5는 1 내지 6의 정수이며, n4+n6은 1 내지 6의 정수이다.)로 나타내어지는 단위 구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물이 제공된다.
摘要翻译：一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其具有在制造半导体器件期间在光刻工艺中使用所需的耐热性。用于形成抗蚀剂下层膜的组合物含有含有由式（1）表示的单元结构的聚合物。（式中，R 1，R 2，R 3，R 4各自表示碳原子数1〜10的烷基，碳原子数为6〜20的芳基，卤素基，硝基或氨基）表示氢原子，具有1-10个碳原子的烷基或缩水甘油基; Ar表示具有6-20个碳原子的亚芳基; n1和n2各自表示0-4的整数，n3表示0的整数至（6-n5），n4表示0至（6-n6）的整数，n5和n6各自表示1-6的整数，n3 + n5为1-6的整数，n4 + n6为 1-6的整数）

9. 发明公开

KR1020090017301A 보호막 형성용 조성물 및 이에 의한 보호막을 포함한유기박막 트랜지스터 有权
标题翻译：形成钝化层的组合物和包含钝化层的有机薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020090017301A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020070081939
申请日：2007-08-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한정석 , 김도환 , 구본원 , 이상윤 , 문현식
IPC分类号： C08G65/323 , C09D171/00 , C08L71/00 , H01J11/40
CPC分类号： G03F7/092 , G03F7/0046 , G03F7/038
摘要： A composition for forming a passivation layer is provided to prevent the degradation of performance of an organic thin film transistor by blocking moisture and oxygen, and the deterioration of the organic layer. A composition for forming a passivation layer comprises a perfluoro polyether derivative of the chemical formula 1: [A-CF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A] or the chemical formula 2: [CF3O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A], a photosensitive polymer or their copolymers, and a photocurable agent. In the chemical formula 1 and the chemical formula 2, A is A 'or RA', wherein A' is COF, SiX1X2X3 (X1, X2 and X3 are independently C1-10 alkyl group, and at least one of them is C1-10 alkoxy group), silanol, chlorosilane, carboxylic acid, alcohol, amine, phosphoric acid and their derivatives; R is C1-C30 substituted or non-substituted alkylene group, wherein the substitution radical is at least one selected from the group consisting of -OH, C1-10 alkyl group, hydroxy alkyl group, amide group, nitro group, C2-30 alkenyl group, C1-30 alkoxy group, and C2-30 alkoxy alkyl group; and m is 1-50 and n is 1-50.
摘要翻译：提供了一种用于形成钝化层的组合物，以通过阻止水分和氧气以及有机层的劣化来防止有机薄膜晶体管的性能下降。用于形成钝化层的组合物包括化学式1的全氟聚醚衍生物：[A-CF2O（CF2CF2O）m（CF2O）nCF2-A]或化学式2：[CF3O（CF2CF2O）m（CF2O）nCF2- A]，感光性聚合物或它们的共聚物，以及光固化剂。在化学式1和化学式2中，A是A'或RA'，其中A'是COF，SiX1X2X3（X1，X2和X3独立地是C1-10烷基，并且它们中的至少一个是C1-10 烷氧基），硅烷醇，氯硅烷，羧酸，醇，胺，磷酸及其衍生物; R是C1-C30取代或未取代的亚烷基，其中取代基是选自-OH，C 1-10烷基，羟基烷基，酰胺基，硝基，C 2-30烯基基团，C 1-3烷氧基和C 2-30烷氧基烷基; m为1-50，n为1-50。

10. 发明公开

KR1020080089490A 감광성 수지 적층체 有权
标题翻译：感光树脂层压板
公开(公告)号：KR1020080089490A
公开(公告)日：2008-10-06
申请号：KR1020087020208
申请日：2007-04-26
申请人： 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 이가라시츠토무
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/11 , G03F7/033 , C08F2/50 , G03F7/029 , G03F7/031 , G03F7/032 , G03F7/092 , H05K3/0076
摘要： This invention provides a photosensitive resin laminate that develops a high level of resolution and a high level of adhesion, can realize a steady side wall in a resist pattern, is free from concaves on the surface of the resist pattern, and is very small in skirt part after development. The photosensitive resin laminate has an additional advantage that there is no problem of the separation of a support film. The photosensitive resin laminate comprises a support film, and an intermediate layer having a thickness of not less than 0.1 mum and not more than 10 mum and a photosensitive resin layer provided in that order on the support film. The intermediate layer is characterized by comprising polyvinyl alcohol and a specific compound.
摘要翻译：本发明提供一种显影分辨率高，粘附性高的感光性树脂层叠体，可以在抗蚀剂图案中实现稳定的侧壁，在抗蚀剂图案的表面上没有凹陷，并且在裙部非常小部分后发展。感光性树脂层压体的另外的优点是不存在支撑膜分离的问题。感光性树脂层叠体包含支撑膜和厚度为0.1μm以上且10μm以下的中间层和在支撑膜上依次设置的感光性树脂层。中间层的特征在于包含聚乙烯醇和特定化合物。

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