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1. 发明公开

KR1020010019016A 시료의 성능평가장치가 구비된 플라즈마중합 연속처리장치 无效
标题翻译：连续等离子体聚合装置，用于评估样品性能
公开(公告)号：KR1020010019016A
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1019990035215
申请日：1999-08-24
申请人： 주식회사 엘지이아이
发明人： 이현욱 , 강성희
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： H01J37/32972 , B05D1/62 , G01N21/75 , G01N2021/751 , G01N2021/8433 , H01J37/3277 , H01J2237/3382
摘要： PURPOSE: A continuous plasma polymerization device equipped with an apparatus for evaluating performance of a sample is provided to easily distinguish defects of sample and take prompt counter measures after polymerization by continuously carrying out characteristics evaluation of a sample, particularly not giving damage to the sample during characteristics evaluation. CONSTITUTION: A continuous plasma polymerization device consists an unwinding roll, a sample (2) of which surface is treated by being transferred from the unwinding roll, a deposition chamber (1) in which electrodes oppositely directed to upper and lower sides of the sample (2) are installed, a UV spectrometer which is installed for evaluating performance of a surface treated sample and includes a noncontact probe and a sensor, a winding roll winding the surface treated sample, a vacuum pump for controlling pressure of the deposition chamber (1), and a reactive gas controller infusing a reactive gas and a nonreactive gas around a sample of which surface is treated in the deposition chamber (1).
摘要翻译：目的：提供一种配备有用于评价样品性能的装置的连续等离子体聚合装置，以容易地区分样品的缺陷，并通过连续进行样品的特性评估，特别是不对样品造成损害，在聚合后立即采取对策特征评估。构成：连续的等离子体聚合装置包括退卷辊，其表面通过从退绕辊转移而被处理的样品（2），沉积室（1），其中电极相对地指向样品的上侧和下侧 2）被安装用于评估表面处理样品的性能并包括非接触探针和传感器的UV光谱仪，卷绕表面处理样品的卷绕辊，用于控制沉积室（1）的压力的真空泵，以及反应性气体控制器，在沉积室（1）内处理表面的样品周围注入反应性气体和非反应性气体。

2. 发明公开

KR1020150060793A 시각적 및/또는 기구적 기술을 통한 페인팅된 표면의 멀티앵글 색상, 불투명도, 안료 특성화 및 텍스처 분석 有权
标题翻译：通过视觉和/或仪器技术绘制的表面的多角度颜色，可视性，颜色特征和纹理分析
公开(公告)号：KR1020150060793A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020157010058
申请日：2013-09-19
申请人： 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드
发明人： 베이모어폴마이클 , 퍼렉스타제임스
IPC分类号： G01N21/84 , G01J3/50 , H04N7/18
CPC分类号： H04N7/18 , G01J3/504 , G01N21/8422 , G01N2021/8427 , G01N2021/8433
摘要： 컴퓨터에의해구현되는방법이개시된다. 이방법은측색정보를제공하도록타겟샘플상의타겟코팅에대한시각적평가및 기구측정중 적어도하나를수행하는단계(73)와, 프로세서를사용하여, 타겟샘플에대해상이한관측각도에서색상및 색도를결정함으로써타겟코팅내에존재하는벌크토너를식별하는단계(82)를포함한다. 이방법은또한, 프로세서를사용하여, 타겟코팅내에존재하는색상및/또는비-색상착색효과의존재및 배향을검출함으로써타겟코팅내에존재하는적어도하나의특정토너를식별하는단계(84)와, 프로세서를사용하여, 상기적어도하나의특정토너를포함하는타겟코팅의공식을출력하는단계(86)를포함한다.

3. 发明公开

KR1020170077207A 씨드 구조체로부터 탄소 구조체를 분리하기 위한 방법 审中-实审
标题翻译：从种子结构中分离碳结构的方法
公开(公告)号：KR1020170077207A
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：KR1020177014650
申请日：2015-10-12
申请人： 아익스트론 에스이
发明人： 테오,케네스비.케이. , 조우브레이,알렉산드레 , 마타루,제이 , 토마스,시몬
IPC分类号： C23C16/01 , C23C16/26 , C23C16/56 , C01B32/182 , C01B32/168 , C01B32/16 , G01N21/84
CPC分类号： C23C16/01 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/168 , C01B32/18 , C01B32/186 , C01B32/194 , C23C16/26 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/50 , C23C16/56 , G01N2021/8433 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/843
摘要： 본발명은씨드구조체(2) 상에증착되는탄소구조체(1), 예를들어그래핀, 탄소나토튜브들또는반도체나노와이어들을씨드구조체(2)로부터분리시키기위한방법에관한것이다. 탄소구조체들의제조를단순화하기위해, 그리고특히씨드구조체로부터탄소구조물의분리가증착이발생하는프로세스챔버내에서진행하는방법을제공하기위해, CVD 반응기들의프로세스챔버(process chamber)에서씨드구조체(2) 상에증착된탄소구조체를준비하는단계; 씨드구조체(2) 및탄소구조체(1)를포함하는기판을프로세스온도로가열하는단계; 화학식 AOmXn, AOmXnYp 또는 AmXn을갖는적어도하나의에칭가스(etching gas)를주입하는단계 (여기서 A는 S, C, N을포함하는엘리먼트들의그룹으로부터선택되며, 여기서 O는산소이며, 여기서 X, Y는상이한할로겐들이며그리고, 여기서 m, n, p는 0보다큰 자연수들임); 상기에칭가스와의화학반응을통해씨드구조체(2)를가스반응생성물로변환시키는단계; 및캐리어가스유동에의해프로세스챔버로부터가스반응생성물을제거하는단계가제안된다.
摘要翻译：本发明涉及用于从种子结构2分离沉积在种子结构2上的碳结构1，例如石墨烯，碳纳米管或半导体纳米线的方法。为了简化碳结构的制造，并特别涉及用于在工艺腔体内前进用于产生从CVD反应器的种子结构，在处理室（处理室）的种子结构（2）沉积在碳结构的分离提供的方法准备沉积在基底上的碳结构; 加热包含种子结构（2）和碳结构（1）的基材以处理温度; 注入至少一种具有式AOmXn，AOmXnYp或AmXn的蚀刻气体，其中A选自包含S，C，N的元素，其中O是氧，其中X，Y 是不同的卤素，m，n，p是大于0的自然数）。通过与蚀刻气体的化学反应将晶种结构（2）转化为气体反应产物; 并通过载气流从处理室中除去气体反应产物。

4. 发明授权

KR101747009B1 시각적 및/또는 기구적 기술을 통한 페인팅된 표면의 멀티앵글 색상, 불투명도, 안료 특성화 및 텍스처 분석 有权
标题翻译：通过视觉和/或机械技术对涂漆表面进行多角度颜色，不透明度，颜料表征和纹理分析
公开(公告)号：KR101747009B1
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020157010058
申请日：2013-09-19
申请人： 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드
发明人： 베이모어폴마이클 , 퍼렉스타제임스
IPC分类号： G01N21/84 , G01J3/50 , H04N7/18
CPC分类号： H04N7/18 , G01J3/504 , G01N21/8422 , G01N2021/8427 , G01N2021/8433
摘要： 컴퓨터에의해구현되는방법이개시된다. 이방법은측색정보를제공하도록타겟샘플상의타겟코팅에대한시각적평가및 기구측정중 적어도하나를수행하는단계(73)와, 프로세서를사용하여, 타겟샘플에대해상이한관측각도에서색상및 색도를결정함으로써타겟코팅내에존재하는벌크토너를식별하는단계(82)를포함한다. 이방법은또한, 프로세서를사용하여, 타겟코팅내에존재하는색상및/또는비-색상착색효과의존재및 배향을검출함으로써타겟코팅내에존재하는적어도하나의특정토너를식별하는단계(84)와, 프로세서를사용하여, 상기적어도하나의특정토너를포함하는타겟코팅의배합조성을출력하는단계(86)를포함한다.
摘要翻译：公开了一种由计算机实现的方法。该方法包括执行（73）目标样本上的目标涂层的视觉和仪器测量中的至少一个以提供比色信息，并且使用该处理器来确定目标样本在不同视角处的颜色和色度由此识别（82）存在于目标涂层中的散装调色剂。该方法还包括使用处理器通过检测存在于目标涂层中的颜色和/或非着色效应的存在和取向来识别（84）存在于目标涂层中的至少一种特定调色剂，使用处理器，输出（86）包含至少一种特定调色剂的目标涂层的化合物组合物。

5. 发明公开

KR1020160110176A 보호막 검출 방법 审中-实审
标题翻译：保护膜检测方法
公开(公告)号：KR1020160110176A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020160028150
申请日：2016-03-09
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 료센이치 , 이토유사쿠 , 엔도도모아키 , 오우라유키노부 , 오다나카겐타로
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/268 , H01L21/56 , H01L21/683
CPC分类号： G01N21/55 , G01N21/3563 , G01N21/8422 , G01N2021/8427 , G01N2021/8433 , H01L22/12
摘要： (과제) 보호막피복장치에의한수용성보호막의피복상황을양호한정밀도로확인할수 있는보호막검출방법을제공하는것. (해결수단) 보호막검출방법은, 피가공물에수용성보호막이피복되어있는지의여부를검출하는방법이다. 보호막검출방법은검출전의준비스텝 (ST1) 과검출스텝 (ST2) 을구비한다. 준비스텝 (ST1) 은, 레퍼런스의수용성보호막이피복된제 1 영역및 수용성보호막이피복되어있지않은제 2 영역에적외광을조사하여반사광을수광하고제 1 영역의반사강도와제 2 영역의반사강도를취득하는반사강도취득스텝 (ST12) 과, 임계값을파수가 3000 ㎝∼ 3600 ㎝에있어서의제 1 영역의반사강도와제 2 영역의반사강도로부터구하는임계값결정스텝 (ST13) 을갖는다. 검출스텝 (ST2) 은, 피가공물의표면에적외광을조사하고반사광을수광하여취득한반사강도를임계값과비교한다.
摘要翻译：本发明提供一种能够以良好的精度检查由保护膜涂布装置形成的水溶性保护膜的涂布状态的保护膜检测方法。根据本发明，保护膜检测方法检测水溶性保护膜是否涂覆在待处理物品上，包括：检测前的准备步骤（ST1）和检测步骤（ST2）。制备步骤（ST1）包括：反射强度获取步骤（ST12），其用红外光照射由水溶性保护膜涂覆的参考物的第一区域和未被水溶性保护膜涂覆的第二区域以接收反射光，并获得第一和第二区域的反射强度; 以及阈值确定步骤（ST13），其从频率为3,000至3600cm -1的第一和第二区域的反射强度计算阈值。检测步骤（ST12）用红外线照射待处理物品的表面，并接收反射光以将获得的反射强度与阈值进行比较。

6. 发明公开

KR1020100017800A 접착제 검출 방법 无效
标题翻译：胶粘剂检测方法
公开(公告)号：KR1020100017800A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：KR1020097026032
申请日：2008-05-14
申请人： 헨켈 코포레이션
发明人： 로리아빈센트에이 , 질렌제이슨 , 맥킨리론
IPC分类号： G01N21/64 , C09J9/00 , C09J7/02
CPC分类号： G01N21/8422 , G01N2021/6439 , G01N2021/8427 , G01N2021/8433 , C09J7/00 , C09J9/00
摘要： Adhesive compositions useful for bonding fluorescent material-containing cellulosic substrates such as envelopes may be formulated using an adhesive polymer such as an emulsion of polyvinyl acetate in water and one or more compounds capable of reducing the degree of fluorescence exhibited by the substrate in areas of the substrate surface having the adhesive coated thereon. When irradiated by short wavelength light, the surface areas containing the adhesive coating appear darker than the surface areas that are free of adhesive, allowing quality control problems associated with application of the adhesive to be readily monitored and corrected. At the same time, however, the adhesive may be formulated such that the fluorescence-reducing compound does not alter the appearance of the adhesive coating when viewed under normal daylight conditions.
摘要翻译：用于粘合含荧光材料的纤维素基材如包络物的粘合剂组合物可以使用粘合剂聚合物如聚乙酸乙烯酯在水中的乳液和一种或多种能够降低基材在该区域中显示的荧光的程度的化合物来配制基底表面，其上涂覆有粘合剂。当用短波长的光照射时，含有粘合剂涂层的表面区域比不含粘合剂的表面区域显得更暗，从而允许容易地监测和校正粘合剂的施加相关的质量控制问题。然而，同时，可以配制粘合剂，使得当在正常日光条件下观察时，荧光还原化合物不会改变粘合剂涂层的外观。

7. 发明公开

KR1020080000303A 실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한장치 无效
标题翻译：检测硅基板缺陷的方法及其设备
公开(公告)号：KR1020080000303A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060058003
申请日：2006-06-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 사공정 , 정경호 , 이병암 , 안병설 , 김종덕 , 김경범
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N21/9503 , G01N21/8422 , G01N2021/8433
摘要： A method of detecting defects in a silicon substrate and an apparatus for performing the same are provided to identify grating defects of a silicon wafer by using a light emitting image of fluorescent materials. A silicon wafer(W) is loaded on a chuck(110) within a process chamber(100). An edge part of the silicon wafer is coated by using fluorescent materials having different coating characteristics at a defective grating part and a normal grating part of the silicon wafer. A light emitting image of a silicon wafer edge part is obtained by irradiating light onto the silicon wafer edge part coated with the fluorescent materials. A grating defect of the silicon wafer edge part is detected by identifying a coating state of the fluorescent materials of the light emitting image.
摘要翻译：提供了一种检测硅衬底中的缺陷的方法及其执行装置，以通过使用荧光材料的发光图像来识别硅晶片的光栅缺陷。硅晶片（W）装载在处理室（100）内的卡盘（110）上。通过使用在硅晶片的缺陷光栅部分和普通光栅部分处具有不同涂层特性的荧光材料来涂覆硅晶片的边缘部分。通过将光照射到涂覆有荧光材料的硅晶片边缘部分上来获得硅晶片边缘部分的发光图像。通过识别发光图像的荧光材料的涂布状态来检测硅晶片边缘部分的光栅缺陷。

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