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热词
    • 1. 发明公开
    • 스핀 토크 변환을 이용한 이중 자기터널접합 소자를 사용한XOR 및 XNOR 논리 연산장치
    • 使用双重STT-MTJ进行异或电磁逻辑电路的器件
    • KR1020090105132A
    • 2009-10-07
    • KR1020080030405
    • 2008-04-01
    • 이화여자대학교 산학협력단
    • 신형순이승연김지현이현주김소정
    • H01L43/00H01L43/08G11C11/15
    • G11C11/161G11C11/1659G11C11/1673G11C11/1675G11C11/16G01R33/093H01L43/08
    • PURPOSE: An XOR and XNOR logic device using a magnetic tunnel junction device is provided to increase an operation speed by not requiring an initialization process. CONSTITUTION: An XOR and XNOR logic device includes a first magnetic tunnel junction device(100), a second magnetic tunnel junction device(200), and a third dielectric layer(330). The first magnetic tunnel junction device is comprised of a first pinned layer(110), a first dielectric layer(130), and a first free layer(120). A first input signal is applied to the first pinned layer. A magnetization direction of the first pinned layer is fixed. The first dielectric layer is formed under the first pinned layer. The first dielectric layer is used for electrical insulation. The first free layer is formed under the first dielectric layer. The magnetization direction of the first free layer is changed. The second magnetic tunnel junction device is comprised of a second pinned layer(210), a second dielectric layer(230), and a second free layer(220). A second input signal is applied to the second pinned layer. The magnetization direction of the second pinned layer is fixed. The second dielectric layer is formed on the second pinned layer. The second dielectric layer is used for the electrical insulation. The second free layer is formed on the second dielectric layer. The magnetization direction of the second free layer is changed. The third dielectric layer is formed between the first and second magnetic tunnel junction devices. The third dielectric layer is used for the electrical insulation.
    • 目的:提供使用磁性隧道结装置的XOR和XNOR逻辑器件,以通过不需要初始化过程来提高操作速度。 构造:XOR和XNOR逻辑器件包括第一磁性隧道结器件(100),第二磁性隧道结器件(200)和第三介电层(330)。 第一磁性隧道结装置包括第一被钉扎层(110),第一介电层(130)和第一自由层(120)。 第一输入信号被施加到第一固定层。 第一被钉扎层的磁化方向是固定的。 第一介电层形成在第一固定层下面。 第一介电层用于电绝缘。 第一自由层形成在第一介电层下面。 第一自由层的磁化方向发生变化。 第二磁性隧道结装置包括第二被钉扎层(210),第二介电层(230)和第二自由层(220)。 第二输入信号被施加到第二被钉扎层。 第二被钉扎层的磁化方向是固定的。 第二介电层形成在第二钉扎层上。 第二电介质层用于电绝缘。 第二自由层形成在第二介电层上。 第二自由层的磁化方向发生变化。 第三电介质层形成在第一和第二磁性隧道结器件之间。 第三电介质层用于电绝缘。
    • 3. 发明公开
    • 사용자의 개별학습을 위한 전자책 뷰어 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 및 전자책 뷰어 단말 장치
    • 具有电子书阅读器的计算机可读记录介质,用于个人学习和电子书查看器的设备
    • KR1020150015570A
    • 2015-02-11
    • KR1020130090148
    • 2013-07-30
    • 이화여자대학교 산학협력단
    • 최경희유효숙이현주김성원윤회정
    • G06F9/44G06F3/14G06F3/048
    • G06F9/44G06F3/0481G06F3/0483G06F3/0484G06F3/14
    • 전자책 뷰어 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체(100)는 저장 장치에 저장된 콘텐츠를 읽어들이고 저장하는 입출력 수단, 콘텐츠의 텍스트 영역 또는 텍스트 외의 영역에 그래픽 객체를 추가하는 그래픽 객체 추가 수단, 콘텐츠에 사용자가 입력하는 메모 객체를 추가하는 메모 추가 수단, 콘텐츠의 텍스트 데이터에서 사용자가 입력하는 키워드와 매칭되는 부분을 검색하는 검색 수단, 콘텐츠의 특정 페이지 또는 페이지의 특정 영역을 식별하는 식별 객체를 추가하는 즐겨찾기 추가 수단, 콘텐츠 내용 중 사용자가 선택하는 텍스트 데이터를 캐시 메모리에 복사하는 클립보드 관리 수단 그래픽 객체, 메모 객체, 검색 수단의 검색 결과 또는 식별 객체 중 적어도 어느 하나를 캐시 메모리에 저장하는 메모리 관리 수단 및 콘텐츠, 그래픽 객 체, 메모 객체 또는 식별 객체 중 적어도 어느 하나를 디스플레이 장치에 출력하는 표시 수단을 포함한다.
    • 其中记录有电子书阅读器程序的计算机可读记录介质(100)包括读取并存储存储在存储装置中的内容的输入/输出单元; 图形对象添加单元,其在文本区域或其他区域而不是内容的文本区域中添加图形对象; 备忘录添加单元,其向用户添加备忘录对象以将内容输入到内容中; 搜索单元,其搜索与用户在内容的文本数据中输入的关键词匹配的部分; 收藏夹添加单元,其添加识别对象以识别内容的页面的特定页面或特定区域; 剪贴板管理单元,其将由用户选择的文本数据在内容数据中复制到高速缓冲存储器中; 存储器管理单元,其将图形对象,备忘录对象,搜索单元的搜索结果和识别对象中的至少一个存储到高速缓冲存储器中; 以及显示单元,其在显示设备上输出内容,图形对象,备忘录对象和识别对象中的至少一个。
    • 6. 发明公开
    • 스핀 토크 변환을 이용한 자기터널접합 소자를 사용한XOR 논리 연산장치
    • 使用STT-MTJ进行异或逻辑电路的器件
    • KR1020090089028A
    • 2009-08-21
    • KR1020080014343
    • 2008-02-18
    • 이화여자대학교 산학협력단
    • 신형순이승연이현주이감영
    • H01L29/768
    • G11C11/1675G11C11/1673
    • An XOR logic unit using a magnetic tunnel junction device using spin torque transform is provided to form a magnetization direction of a free magnetic layer identical to the magnetization direction of a pinned magnetic layer by controlling the flow of the current between an upper electrode and a lower electrode. An upper electrode(11) and a lower electrode(13) are comprised to pass electric current. An insulating layer(19) performs the electrical insulation between the upper electrode and the lower electrode. A free magnetic layer(17) and a pinned magnetic layer(15) are formed in the upper surface and the lower surface of the insulating layer. A current control circuit controls the flow of the current passing through between the upper electrode and the lower electrode. A sensing amplifier is connected to each one end of two magnetic memory cells.
    • 使用使用自旋转矩变换的磁性隧道结装置的XOR逻辑单元被提供以通过控制上电极和下电极之间的电流的流动来形成与被钉扎的磁性层的磁化方向相同的自由磁性层的磁化方向 电极。 包括上电极(11)和下电极(13)以通过电流。 绝缘层(19)执行上电极和下电极之间的电绝缘。 在绝缘层的上表面和下表面形成有自由磁性层(17)和钉扎磁性层(15)。 电流控制电路控制在上电极和下电极之间通过的电流的流动。 感测放大器连接到两个磁存储单元的每一端。
    • 8. 发明授权
    • 스핀 토크 변환을 이용한 이중 자기터널접합 소자를 사용한XOR 및 XNOR 논리 연산장치
    • 应用程序和应用程序XOR및XNOR논리연산장치
    • KR100927195B1
    • 2009-11-18
    • KR1020080030405
    • 2008-04-01
    • 이화여자대학교 산학협력단
    • 신형순이승연김지현이현주김소정
    • H01L43/00H01L43/08G11C11/15
    • G11C11/161G11C11/1659G11C11/1673G11C11/1675
    • 본 발명은 초기화 과정이 필요없는 스핀 토크 변환을 이용한 이중 자기터널접합 소자를 사용한 XOR 및 XNOR 논리 연산장치에 관한 것으로,
      제1 입력신호가 인가되며 자화 방향이 고정된 제1 고정층과, 상기 제1 고정층 아래에 형성되며 전기적 절연을 위한 제1 유전층과, 상기 제1 유전층 아래에 형성되며 자화 방향이 가변하는 제1 자유층으로 구성된 제1 자기터널접합 소자; 제2 입력신호가 인가되며 자화 방향이 고정된 제2 고정층과, 상기 제2 고정층 위에 형성되며 전기적 절연을 위한 제2 유전층과, 상기 제2 유전층 위에 형성되며 자화 방향이 가변하는 제2 자유층으로 구성된 제2 자기터널접합 소자; 및, 상기 제1 및 제2 자기터널접합 소자 사이에 전기적 절연을 위한 제3 유전층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
    • 目的:提供使用磁隧道结器件的XOR和XNOR逻辑器件,通过不需要初始化过程来提高操作速度。 构成:XOR和XNOR逻辑器件包括第一磁隧道结器件(100),第二磁隧道结器件(200)和第三电介质层(330)。 第一磁隧道结器件由第一固定层(110),第一电介质层(130)和第一自由层(120)组成。 第一输入信号被施加到第一固定层。 第一固定层的磁化方向是固定的。 第一介电层形成在第一固定层下方。 第一介电层用于电绝缘。 第一自由层形成在第一介电层下方。 第一自由层的磁化方向改变。 第二磁隧道结器件由第二固定层(210),第二电介质层(230)和第二自由层(220)组成。 第二输入信号被施加到第二固定层。 第二固定层的磁化方向是固定的。 第二介电层形成在第二钉扎层上。 第二介电层用于电绝缘。 第二自由层形成在第二介电层上。 第二自由层的磁化方向改变。 第三介电层形成在第一和第二磁隧道结器件之间。 第三介电层用于电绝缘。