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1. 发明授权

KR100961723B1 스핀 토크 변환을 이용한 자기터널접합 소자를 사용한ＸＯＲ 논리 연산장치 有权
标题翻译：使用STT-MTJ的XOR磁逻辑电路器件
公开(公告)号：KR100961723B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080014343
申请日：2008-02-18
申请人： 이화여자대학교 산학협력단
发明人： 신형순 , 이승연 , 이현주 , 이감영
IPC分类号： H01L29/768
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/1673
摘要： 본 발명은 초기화 과정이 필요없는, 스핀 토크 변환을 이용한 자기터널접합 소자를 사용한 XOR 논리 연산장치에 관한 것으로,
전류가 도통하도록 구비된 상부 전극 및 하부 전극과, 상기 상부 전극과 하부 전극 사이의 전기적 절연을 위한 절연층과, 상기 절연층의 상부면에 형성된 자유층 및 상기 절연층의 하부면에 형성된 고정층으로 구성된 자기터널접합 소자; 및, 상기 상부 전극과 하부 전극 사이를 통과하는 전류의 흐름을 제어하고, 입력된 논리레벨에 따라 상기 자유층의 자화 방향을 변경하는 전류 제어회로로 구성되는 2개의 자기 메모리 셀이 병렬로 연결되며, 상기 2개의 자기 메모리 셀 각각의 일단에 연결된 감지 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
STT, MJT, XOR

2. 发明公开

KR1020090089028A 스핀 토크 변환을 이용한 자기터널접합 소자를 사용한ＸＯＲ 논리 연산장치 有权
标题翻译：使用STT-MTJ进行异或逻辑电路的器件
公开(公告)号：KR1020090089028A
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：KR1020080014343
申请日：2008-02-18
申请人： 이화여자대학교 산학협력단
发明人： 신형순 , 이승연 , 이현주 , 이감영
IPC分类号： H01L29/768
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/1673
摘要： An XOR logic unit using a magnetic tunnel junction device using spin torque transform is provided to form a magnetization direction of a free magnetic layer identical to the magnetization direction of a pinned magnetic layer by controlling the flow of the current between an upper electrode and a lower electrode. An upper electrode(11) and a lower electrode(13) are comprised to pass electric current. An insulating layer(19) performs the electrical insulation between the upper electrode and the lower electrode. A free magnetic layer(17) and a pinned magnetic layer(15) are formed in the upper surface and the lower surface of the insulating layer. A current control circuit controls the flow of the current passing through between the upper electrode and the lower electrode. A sensing amplifier is connected to each one end of two magnetic memory cells.
摘要翻译：使用使用自旋转矩变换的磁性隧道结装置的XOR逻辑单元被提供以通过控制上电极和下电极之间的电流的流动来形成与被钉扎的磁性层的磁化方向相同的自由磁性层的磁化方向电极。包括上电极（11）和下电极（13）以通过电流。绝缘层（19）执行上电极和下电极之间的电绝缘。在绝缘层的上表面和下表面形成有自由磁性层（17）和钉扎磁性层（15）。电流控制电路控制在上电极和下电极之间通过的电流的流动。感测放大器连接到两个磁存储单元的每一端。

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