专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6410148B2 衝撃記憶装置有权
公开(公告)号：JP6410148B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2015027265
申请日：2015-02-16
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：金子幸広 , 上田路人 , 西谷雄
IPC分类号： G01P15/00 , G01P15/09 , G01P15/02
CPC分类号： G01H11/06 , G01L5/0052 , G01P1/127 , G01P15/036

2. 发明专利

JP6397602B1 データ処理装置、サーバ、移動体、データ処理方法、及びプログラム有权
公开(公告)号：JP6397602B1
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2018537690
申请日：2018-04-26
申请人：株式会社スマートドライブ
发明人：元垣内広毅 , 鈴木俊明 , 石津真一 , 小山純 , 岡田一起
IPC分类号： G01P15/02 , G08G1/00 , G08C15/00
摘要：データの収集を行う場合において、送信されるデータの容量を適切に抑制する。移動体に関するデータの収集を行うためのデータ処理装置は、移動体の加速度を測定する加速度センサを備え、加速度センサの測定値のうち、複数の測定値の変化の傾向を示す加速度パターンが所定条件を満たす場合、各測定値を所定のデータ形式の近似値に圧縮する処理部を備え、加速度パターンが所定条件を満たす場合、処理部により圧縮された近似値を送信する通信部を備え、通信部は、加速度パターンが所定条件を満たさない場合、加速度センサの測定値を送信する。

3. 发明专利

JP2015179075A 衝撃記憶装置审中-公开
标题翻译：冲击记录装置
公开(公告)号：JP2015179075A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：JP2015027265
申请日：2015-02-16
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：金子幸広 , 上田路人 , 西谷雄
IPC分类号： G01P15/00 , G01P15/09 , G01P15/02
CPC分类号： G01H11/06 , G01L5/0052 , G01P1/127 , G01P15/036
摘要：【課題】簡単な構造を有する衝撃記録装置を提供する。【解決手段】本発明は、以下のみからなる衝撃記憶装置を提供する。すなわち、電源部、第1電極および第2電極を具備し、かつ衝撃のエネルギーを第1電極および第2電極の間の電位差に変換するための衝撃発電素子、第1ゲート電極、第1ソース電極、および第1ドレイン電極を具備し、さらに強誘電体層、および半導体層の積層体を具備する第1トランジスタ、および第2ゲート電極、第2ソース電極、および第2ドレイン電極を具備する第2トランジスタ。ここで、第2ゲート電極は、第1電極に電気的に接続されている。第2ドレイン電極は、電源部に電気的に接続されている。第2ソース電極は、第1ゲート電極に電気的に接続されている。第1ソース電極は、第2電極に電気的に接続されている。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供具有简单结构的冲击记录装置。解决方案：提供了一种冲击记录装置，包括：电源单元; 包括第一电极和第二电极的冲击发电元件，用于将冲击能转换成第一电极和第二电极之间的电位差; 第一晶体管，包括第一栅电极，第一源电极和第一漏电极，并且还包括铁电层和半导体层的层叠体; 以及包括第二栅极电极，第二源极电极和第二漏极电极的第二晶体管。所述第二栅电极与所述第一电极电连接，所述第二漏电极与所述电源单元电连接，所述第二源电极与所述第一栅电极电连接，所述第一源电极与所述第二电极电连接。

4. 发明专利

JP2015036622A 加速度計审中-公开
标题翻译：加速度计
公开(公告)号：JP2015036622A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013167410
申请日：2013-08-12
申请人：多摩川精機株式会社 , Tamagawa Seiki Co Ltd
发明人： MIZUKAMI SHINTARO , MATSUSHITA TOMOHISA
IPC分类号： G01P15/13 , G01P15/02 , G01P15/11
摘要：【課題】本発明は、高周波数での応答性を良くすることができる加速度計を提供することを目的とするものである。【解決手段】容器1の溶媒1a中には、複数の磁性微粒子2が分散されている。容器1の両端には電極3が設けられ、電極3には電圧制御手段4が接続されている。容器1の周囲に設けられたコイル7A,7Bが配置されており、コイル7A,7B及び電圧制御手段4には、演算手段6が接続されている。コイル7A,7Bのインダクタンスは、容器1に加えられた加速度による磁性微粒子2の分布変化に応じて変化する。演算手段6は、コイル7A,7Bのインダクタンスの変化に基づいて容器1に加えられた加速度を検出する。電圧制御手段4は、演算手段6によって検出されたコイル7A,7Bのインダクタンスの変化を打ち消すように電極3に電圧を印加する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高高频响应性的加速度计。解决方案：将多个磁性细颗粒分散在容器1的溶剂1a中。电极3设置在容器的两端中的每一端如图1所示，电压控制装置4连接到电极3.线圈7A和7B设置在容器1周围，计算装置6连接到线圈7A和7B以及电压控制装置4.线圈7A的电感并且7B根据由于施加到容器1的加速度而导致的磁性细颗粒2的分布变化而变化。计算装置6基于线圈7A的电感的变化来检测施加到容器1的加速度 7B。电压控制装置4向电极3施加电压，以抵消由计算装置6检测到的线圈7A和7B的电感的变化。

5. 发明专利

JP2014516166A The impact indicator 有权
公开(公告)号：JP2014516166A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2014514496
申请日：2012-05-30
申请人：ショックウォッチインクShockWatch,Inc.
发明人：エイ．ブランチ、クリントン
IPC分类号： G01P15/02
CPC分类号： G01L5/0052 , G01P15/036 , G01P15/038
摘要：本開示の一態様によれば、衝撃の検出のための装置および技術が開示される。衝撃表示器は、表示器流体を保持するリザーバを有する第１の部材と、リザーバを覆って第１の部材に結合可能であり、かつ第１の部材と第２の部材との間の界面部の少なくとも一部分に毛管間隙を形成するように構成されている第２の部材とを含む。所定のレベルの衝撃を受けたことに応答して、表示器流体は、リザーバから第１の部材と第２の部材との間の界面部まで移動し、毛管現象により毛管間隙内に運ばれ、毛管間隙の内部に配設されている表示器流体は、受けた所定のレベルの衝撃の可視表示を実現する。

6. 发明专利

JP2014020992A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014020992A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：JP2012161455
申请日：2012-07-20
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： TANABE AKIRA , NAKASHIBA YASUTAKA
IPC分类号： G01P15/02 , G01P15/08 , G01P15/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas-type acceleration sensor capable of detecting an acceleration in a plurality of directions.SOLUTION: A semiconductor device includes: a gas-type acceleration sensor; and a semiconductor package equipped with the gas-type acceleration sensor. The gas-type acceleration sensor includes: a first heater; a first temperature sensor; and a second temperature sensor. The first temperature sensor and second temperature sensor are arranged to face each other across the first heater. A direction of connection between the first temperature sensor and second temperature sensor is oblique to a bottom surface of the semiconductor package.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够检测多个方向的加速度的气体型加速度传感器。解决方案：半导体器件包括：气体型加速度传感器; 以及配备有气体型加速度传感器的半导体封装。气体型加速度传感器包括：第一加热器; 第一温度传感器; 和第二温度传感器。第一温度传感器和第二温度传感器布置成跨越第一加热器彼此面对。第一温度传感器和第二温度传感器之间的连接方向与半导体封装的底面倾斜。

7. 发明专利

JP2012251841A Acceleration sensor-mounted meter 审中-公开
标题翻译：加速传感器安装仪
公开(公告)号：JP2012251841A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：JP2011123919
申请日：2011-06-02
申请人： Tokyo Gas Co Ltd , 東京瓦斯株式会社
发明人： SAKUMA HIROHISA , FUJIWARA JUN
IPC分类号： G01P15/02 , G01F1/00 , G01F3/22 , G01P15/00 , G01P15/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a meter such as a gas meter, especially, a meter capable of recording a history of shocks applied from outside.SOLUTION: A sensor 2b extracts a low-frequency component (for example, equal to or lower than 50 Hz) by an LPF 2c (S102), and measures three-axial acceleration values at predetermined sampling intervals (for example, 100 Hz) (S101). The filtered low-frequency component signal is transmitted to a CPU 2a. The sensor 2b normally detects vertical gravity acceleration continuously in a meter installed state, but when the absolute value of the acceleration of the low-frequency component increases above a threshold (corresponding to a first threshold in the claim) (YES at S103), the sensor determines that a shock is applied from outside (S104), receives acceleration values and time data in a certain time before and after that, and saves the data in time series in a memory part 2e (S105). Further, the application of the shock is reported to a center monitoring center 11 (S106).
摘要翻译：要解决的问题：提供诸如气量计的仪表，特别是能够记录从外部施加的冲击历史的仪表。解决方案：传感器2b通过LPF 2c提取低频分量（例如，等于或低于50Hz）（S102），并以预定的采样间隔（例如，100）测量三轴加速度值 Hz）（S101）。滤波后的低频分量信号被发送到CPU 2a。传感器2b通常在仪表安装状态下连续地检测垂直重力加速度，但是当低频分量的加速度的绝对值增加到高于阈值（对应于权利要求中的第一阈值）时（S103为“是”），传感器确定从外部施加冲击（S104），在其之前和之后的特定时间接收加速度值和时间数据，并将数据按时间序列存储在存储器部分2e中（S105）。此外，将冲击的应用报告给中心监视中心11（S106）。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2012189571A Semiconductor device and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2012189571A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：JP2011190906
申请日：2011-09-01
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： TANABE AKIRA
IPC分类号： G01P15/02 , G01P15/08 , H01L29/84
CPC分类号： G01P15/18 , G01P15/0897
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem with manufacture of an acceleration sensor based on MEMS technology, where although the acceleration sensor having a complicated configuration can be obtained, a MEMS-specific process is required to be passed, thereby causing a low affinity for a normal semiconductor manufacturing process.SOLUTION: A semiconductor device 100 comprises: a laminate 10 provided with a concave gas passage 22; a heater 40 provided for the laminate 10 and exposed from the bottom of the gas passage 22; a plurality of thermal sensors 30 and 50 provided for the laminate 10, exposed from the bottom of the gas passage 22, and arranged so as to sandwich the heater 40 in the extension direction of the gas passage 22. This can provide an acceleration sensor having a high affinity for a normal semiconductor manufacturing process.
摘要翻译：要解决的问题为了解决基于MEMS技术的加速度传感器的制造的问题，尽管可以获得具有复杂结构的加速度传感器，但是需要通过MEMS特定的过程，从而导致对正常半导体制造工艺的低亲和力。解决方案：半导体器件100包括：设置有凹入气体通道22的层压体10; 为层叠体10设置并从气体通道22的底部露出的加热器40; 设置有层叠体10的多个热传感器30,50，其从气体通路22的底部露出，并且配置成将加热器40夹持在气体通道22的延伸方向。这可以提供一种加速度传感器，其具有对正常半导体制造工艺具有高亲和力。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2011099758A Falling recording apparatus 审中-公开
标题翻译：落地记录装置
公开(公告)号：JP2011099758A
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：JP2009254676
申请日：2009-11-06
申请人： Panasonic Corp , パナソニック株式会社
发明人： MIYANO AKIFUMI
IPC分类号： G01P15/02 , G01P15/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a falling recording apparatus which can record history, only when an impact due to falling has occurred, and can record a history, even when a battery has been detached due to the impact caused by falling.
SOLUTION: The falling recording apparatus includes an acceleration detecting unit 101 for detecting acceleration; a falling state detecting unit 102 for determining whether the apparatus is in a falling state from the acceleration detected by the acceleration detection unit; an impact detecting unit 103 for detecting an impact; a timer unit 104 for measuring the time elapsed from the start of the falling of the apparatus, when the falling state detection unit has detected the falling state; a falling history accumulating unit 106 for accumulating the history of the falling of the apparatus, when the falling state detecting unit has detected the falling state; and a falling history control unit 105 for deleting falling history information last accumulated in the falling history accumulating unit, when an impact is not detected by the impact detecting unit, when the time measured by the timer unit lies within a predetermined time.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供可以记录历史的下降记录装置，只有当发生了由于下降的影响而可以记录历史时，即使当由于下落引起的冲击而使电池分离时，也可以记录历史。解决方案：落下的记录装置包括用于检测加速度的加速度检测单元101; 下降状态检测单元102，用于根据由加速度检测单元检测到的加速度来确定装置是否处于下降状态; 用于检测冲击的冲击检测单元103; 定时器单元104，用于当下降状态检测单元检测到下降状态时，测量从装置下落开始经过的时间; 下降状态检测单元检测到下降状态的下降历史累积单元106，用于累积装置的下降历史; 以及当由定时器单元测量的时间在预定时间内时，当冲击检测单元没有检测到冲击时，删除最后累积在下降历史累积单元中的下降历史信息的下降历史控制单元105。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP4540467B2 Structure and method of manufacturing the acceleration sensor 有权
公开(公告)号：JP4540467B2
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：JP2004371158
申请日：2004-12-22
申请人： Okiセミコンダクタ宮崎株式会社 , Okiセミコンダクタ株式会社
发明人：孝之甲斐
IPC分类号： G01P15/02 , G01P15/12 , G01P15/18 , G01P21/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01P15/18 , G01P15/123 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
摘要： A acceleration sensor includes a supporting part, a beam part connected to the supporting part, a weight part connected to the beam part, and a protruding part formed beneath the beam part so that the protruding part supports the beam part. With such an arrangement, the adjustment of the sensitivity of the acceleration sensor can be easily performed, as well as the evaluation of the acceleration sensor.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式