基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：JP2012161455 申请日：2012-07-20
- 公开(公告)号：JP2014020992A 公开(公告)日：2014-02-03
- 发明人： TANABE AKIRA , NAKASHIBA YASUTAKA
- 申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 专利权人： Renesas Electronics Corp,ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人： Renesas Electronics Corp,ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 优先权： JP2012161455 2012-07-20
- 主分类号： G01P15/02
- IPC分类号： G01P15/02 ; G01P15/08 ; G01P15/18
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas-type acceleration sensor capable of detecting an acceleration in a plurality of directions.SOLUTION: A semiconductor device includes: a gas-type acceleration sensor; and a semiconductor package equipped with the gas-type acceleration sensor. The gas-type acceleration sensor includes: a first heater; a first temperature sensor; and a second temperature sensor. The first temperature sensor and second temperature sensor are arranged to face each other across the first heater. A direction of connection between the first temperature sensor and second temperature sensor is oblique to a bottom surface of the semiconductor package.
摘要（中）：
要解决的问题：提供能够检测多个方向的加速度的气体型加速度传感器。解决方案：半导体器件包括：气体型加速度传感器; 以及配备有气体型加速度传感器的半导体封装。 气体型加速度传感器包括：第一加热器; 第一温度传感器; 和第二温度传感器。 第一温度传感器和第二温度传感器布置成跨越第一加热器彼此面对。 第一温度传感器和第二温度传感器之间的连接方向与半导体封装的底面倾斜。
公开/授权文献:
- JP5912958B2 半導体装置 公开/授权日：2016-04-27
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01P | 线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在、不存在或方向的指示 |
| ------G01P15/00 | 测量加速度；测量减速度；测量冲击即加速度的突变 |
| --------G01P15/02 | .利用惯性力 |