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1. 发明专利

JP2017213651A アブレシブウォータージェット加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017213651A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2016109766
申请日：2016-06-01
申请人：株式会社スギノマシン , オーム電機株式会社
发明人：舟津昭博 , 新屋敏秀
IPC分类号： B24C11/00 , B24C3/00 , B24C7/00
摘要：【課題】リアルタイムで研磨材Gの流量を測定する。【解決手段】研磨材Gが混入された加工用流体(Q)をノズル(21)から噴射させて加工するアブレシブウォータージェット加工装置(1)であって、ノズル(21)に加工用流体を供給する加工用流体供給装置(31)と、ノズルに研磨材Gを供給して加工用流体に混入する研磨材供給装置4と、を有し、研磨材供給装置4は、研磨材Gを貯留する貯留ホッパ(41)と、貯留ホッパ(41)とノズル(21)を連通する研磨材供給配管42と、研磨材供給配管42を流通する研磨材Gの流量を求める研磨材流量測定装置7と、を備え、研磨材流量測定装置7は、研磨材Gが流通する研磨材供給配管42に向けて送信したマイクロ波Mを受信して研磨材Gの流量を計測する。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2017171840A ブラスト研磨用スラリ审中-公开
公开(公告)号：JP2017171840A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016062148
申请日：2016-03-25
申请人：株式会社フジミインコーポレーテッド
发明人：井出匠学
IPC分类号： C09G1/02 , B24C11/00 , B24C3/00 , C03C19/00 , C09K3/14
摘要：【課題】優れた平滑性で研磨対象物(ワーク)をブラスト加工可能なブラスト研磨用スラリを提供する。【解決手段】モース硬度8以上の第1の粒子と、分散媒と、を含み、出力40Wにて120秒間の超音波分散処理を行った後で測定される、粒子の大粒子径側からの積算粒子体積が全粒子体積の50%に相当する粒子径(Dv50%)が10μm以下である、ブラスト研磨用スラリである。【選択図】なし

3. 发明专利

JP6165020B2 加工方法有权
公开(公告)号：JP6165020B2
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：JP2013224378
申请日：2013-10-29
申请人：株式会社ディスコ
发明人：フランクウェイ
IPC分类号： B24C3/00 , B24B7/04 , B24C3/32 , B24B1/00 , H01L21/304 , B24C1/00

4. 发明专利

JP2016152324A 金属−セラミックス回路基板の製造方法有权
标题翻译：制造金属陶瓷电路板的方法
公开(公告)号：JP2016152324A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015029354
申请日：2015-02-18
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：小山内英世
IPC分类号： H01L23/36 , C23C24/04 , H05K3/14 , H05K3/26 , B24C1/00 , B24C1/08 , B24C3/00 , H01L23/12
摘要：【課題】セラミックス基板の一方の面に形成した金属回路板上にコールドスプレー法により形成した金属皮膜の表面を滑らかにするとともにセラミックス基板の一方の面の金属回路板以外の部分に付着した金属皮膜を除去することができる、金属−セラミックス回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板の一方の面に形成したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板上に、コールドスプレー法により銅または銅合金などからなる金属皮膜を形成した後、金属回路板上の金属皮膜の表面と、セラミックス基板の一方の面の金属回路板以外の部分をブラスト処理する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种金属涂层膜的表面平滑化的金属陶瓷电路板的制造方法，在金属电路板上形成的金属涂膜使用冷喷涂法形成在可以除去陶瓷基板的一个表面，并且其中可以去除在陶瓷基板的一个表面上附着到金属电路板之外的部分的金属涂膜。解决方案：形成包括铜或铜合金的金属涂膜在形成在陶瓷基板的一个表面上并且包括铝或铝合金的金属电路板上使用冷喷涂法，然后在金属电路板上的金属涂膜的表面和金属之外的部分在陶瓷基板的一个表面上的电路板进行喷砂处理。选择图：图3

5. 发明专利

JP2014210317A スラリー噴射加工用ノズル、表面加工装置、および表面加工方法审中-公开
标题翻译：浆液喷射喷嘴，处理表面的装置和方法
公开(公告)号：JP2014210317A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2013088016
申请日：2013-04-19
申请人：国立大学法人大阪大学 , Osaka Univ , 東ソー株式会社 , Tosoh Corp
发明人： YAMAUCHI KAZUTO , OKAMURA TOSHIHIKO , TAKATO SHUJI
IPC分类号： B24C5/04 , B24C3/00 , B24C3/32 , B24C5/02
CPC分类号： B24C3/00 , B24C3/32 , B24C5/02 , B24C5/04
摘要：【課題】単位加工領域内におけるガラス基板等の被加工物に対する単位時間当たりの掘り込み量(掘り込み速度)の向上と、単位加工領域の拡大を図り、加工時間を短縮化できるスラリー噴射加工用ノズルの提供。【解決手段】水に砥粒を分散させたスラリーを被加工物の表面に噴射し、被加工物表面を研磨するスラリー噴射加工用ノズルであって、スラリー供給口36から供給されるスラリーを複数のノズル孔部37から噴射するノズルヘッド30を有し、複数のノズル孔部37は、ノズルヘッド30の回転中心Lcから全てのノズル孔部37までの距離を異ならせたことを特徴とする。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在相对于诸如玻璃基板的工件的单位处理区域中提高每单位时间的挖掘量（挖掘速度）的浆料喷射喷嘴，并且延长单元处理区域以缩短处理时间。解决方案：用于喷射浆料的浆料喷射喷嘴，其中磨料颗粒在水中扩散到工件的表面以抛光工件的表面，包括喷嘴头30，用于从浆料供给口36喷射从多个喷嘴孔多个喷嘴孔部分37分别具有与喷嘴头30的旋转中心Lc到所有喷嘴孔部分37不同的距离。

6. 发明专利

JP2013244563A Sapphire substrate and method for manufacturing the same 审中-公开
标题翻译： SAPPHIRE基板及其制造方法
公开(公告)号：JP2013244563A
公开(公告)日：2013-12-09
申请号：JP2012120079
申请日：2012-05-25
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： YOSHII MOTOYASU
IPC分类号： B24C1/04 , B24C3/00 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/304 , H01L33/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sapphire substrate provided with projections on its surface side in order to improve the light emission efficiency of a light emitting element while a back side of the substrate is convex, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: A sapphire substrate having the diameter of at least 4 inches is processed by executing at least a reactive ion etching process of forming a plurality of projections 11, 11, ... on a surface side 10A of a substrate 10 by executing the reactive ion etching of a surface side 10A of the substrate 10 after executing a plurality of steps for the substrate 10 obtained by slicing a sapphire ingot, and a wet blasting process of executing the wet blasting of a back side 10B of the substrate 10 after the reactive ion etching process. The back side 10B of the substrate 10 after the wet blasting is convex.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在其表面侧具有突起的蓝宝石衬底及其制造方法，以提高发光元件的发光效率。通过执行反应离子蚀刻，至少执行在基板10的表面侧10A上形成多个突起11,11，...的至少一个反应离子蚀刻工艺来处理具有至少4英寸直径的蓝宝石基板在通过对蓝宝石锭进行切片而获得的基板10进行多个台阶后，对基板10的表面侧10A进行湿式喷砂处理，以及进行反应离子蚀刻后的基板10的背面10B的湿式喷砂处理处理。在湿式喷砂之后的基板10的背面10B是凸的。

7. 发明专利

JP2013201424A Semiconductor device manufacturing method 有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2013201424A
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：JP2013022391
申请日：2013-02-07
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KODERA MASAKO , TOMITA HIROSHI , NISHIOKA TAKESHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B27/033 , B24C1/08 , B24C3/00 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02057 , B24B37/042 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/092 , H01L21/0209 , H01L21/0274 , H01L21/67051
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enable removal of a flow or a foreign material on a principal surface of a substrate without damaging or contaminating a principal surface of the substrate on an opposite side to the one principal surface thereby to improve pattern processing accuracy in a lithography process.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises: a process (S2) of performing a rear face treatment for removing a flaw or a foreign material on a rear face of a substrate 10 with holding a surface side of the substrate 10 in a non-contact manner; a process (S6) of performing pattern formation by lithography on the surface of the substrate 10 by holding the rear face of the substrate 10 on which the rear face processing is performed in contact with a stage.
摘要翻译：要解决的问题：为了能够在基板的主表面上除去流动或异物，而不损坏或污染与主要表面相对的基板的主表面，从而提高光刻中的图案处理精度方法：一种半导体器件制造方法，包括：在将基板10的表面侧保持为非基板的情况下，进行用于去除基板10的背面上的缺陷或异物的后表面处理的工序（S2）接触方式通过保持与阶段接触进行后面处理的基板10的背面，在基板10的表面上进行通过光刻的图案形成的工序（S6）。

8. 发明专利

JP2013126715A Fluid polishing device 有权
标题翻译：流体抛光装置
公开(公告)号：JP2013126715A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：JP2013067989
申请日：2013-03-28
申请人： Nikon Corp , 株式会社ニコン
发明人： HOSHINO SUSUMU
IPC分类号： B24C3/00 , B24C5/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fluid polishing device capable of improving a polishing rate in fluid polishing.SOLUTION: A fluid polishing device includes a nozzle 40 having a jet port 42 for jetting slurry 3 for performing surface polishing of a polishing object 2, and a reflection head 50 having a reflecting surface 51 arranged oppositely to the jet port 42 and reflecting the slurry 3 jetted from the nozzle 40 toward a surface 2a of the polishing object 2 by the reflecting surface 51. The reflecting surface 51 of the reflection head 50 is formed into a curved surface shape having a geometrical focus. The reflection head 50 is arranged so that the focus of the reflecting surface 51 is located in the surface 2a of the polishing object 2 or in the vicinity of the surface 2a and that the slurry 3 reflected from the reflecting surface 51 substantially converges to the focus.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高流体研磨中的研磨速度的流体研磨装置。解决方案：流体抛光装置包括具有喷射口42的喷嘴40，喷射口42用于喷射用于抛光物体2的表面抛光的浆料3，以及具有与喷射口42相对布置的反射表面51的反射头50，将从喷嘴40喷出的浆料3反射到被研磨体2的表面2a的反射面51。反射头50的反射面51形成为具有几何焦点的曲面形状。反射头50被布置成使得反射表面51的焦点位于抛光对象2的表面2a或表面2a附近，并且从反射表面51反射的浆料3基本上会聚到焦点。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2013006258A Surface treatment method and method for manufacturing electrophotographic photoreceptor 有权
标题翻译：表面处理方法和制造电子照相光电子的方法
公开(公告)号：JP2013006258A
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：JP2011142178
申请日：2011-06-27
申请人： Canon Inc , キヤノン株式会社
发明人： FURUSHIMA SATOSHI , OYAMA KAZUNARI , OZAWA TOMOHITO
IPC分类号： B24C1/00 , B24C3/00 , B24C5/02 , B24C11/00 , G03G5/00 , G03G5/08 , G03G5/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface treatment method that prevents residue of abrasives and suppresses embedment and rubbing of fine powder and burrs generated from a workpiece while maintaining the ability of removing such an adhered matter as a deposited film, by honing processing at a high level, to obtain a clean surface of the workpiece.SOLUTION: The honing processing uses at least two injection guns for honing processing at one time with respect to one workpiece in one processing container, injects one or more sorts of abrasives having a Mohs hardness higher than that of the workpiece and one or more sorts of abrasives having a Mohs hardness lower than that of the workpiece from respective injection guns, and processes the surface by blasting a part to be processed with the abrasives in the order of one having a higher Mohs hardness.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种表面处理方法，其防止研磨剂的残留物，并且抑制由工件产生的细粉末和毛刺的嵌入和摩擦，同时保持除去作为沉积膜的粘附物质的能力，通过珩磨在高水平处理，以获得工件的干净表面。解决方案：珩磨处理使用至少两个注射枪来相对于一个加工容器中的一个工件一次珩磨加工，注入一种或多种莫氏硬度高于工件硬度的磨料，一个或多个更多种类的Mohs硬度比各自注射枪的Mohs硬度低于工件的磨料，并且通过用具有较高莫氏硬度的磨料将磨料加工成一部分来处理该表面。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2009291936A Method and system for automated soft ware control of waterjet orientation parameter 有权
标题翻译：用于自动软件控制水位方向参数的方法和系统
公开(公告)号：JP2009291936A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：JP2009212547
申请日：2009-09-14
申请人： Flow Internatl Corp , フローインターナショナルコーポレイション
发明人： ERICHSEN GLENN A , ZHOU JIANNAN , SAHNEY MIRA K , KNAUPP MICHAEL
IPC分类号： B24C1/00 , B24C5/02 , B24C1/04 , B24C3/00 , B26F3/00 , G05B19/416
CPC分类号： G05B19/4099 , B24C1/045 , B26D5/00 , B26F3/004 , G05B2219/45036 , G05B2219/49012 , Y02P90/265 , Y10T83/141 , Y10T83/364
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and system for automating control of fluid jet orientation parameters. SOLUTION: Example embodiments provide a Dynamic Waterjet Control System (DWCS) 401 to dynamically control an orientation of jet relative to a material to be cut as a function of speed and other process parameters. Orientation parameters include, for example, an x-y position of the jet along a cutting path, as well as three dimensional orientation parameters of the jet, such as standoff compensation values and taper and lead angles of a cutting head. In one embodiment, the DWCS 401 uses a set of predictive models to determine these orientation parameters. The DWCS 401 preferably comprises: a motion program generator/kernel 402; a user interface 403; one or more replaceable orientation and process models; and a communication interface to a fluid jet apparatus controller. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于自动化控制流体射流取向参数的方法和系统。解决方案：示例性实施例提供了一种动态水射流控制系统（DWCS）401，以根据速度和其它过程参数来动态地控制喷射相对于待切割材料的取向。取向参数包括例如沿着切割路径的射流的x-y位置以及喷射器的三维取向参数，例如切割头的间隔补偿值和锥形和引导角。在一个实施例中，DWCS 401使用一组预测模型来确定这些取向参数。 DWCS 401优选地包括：运动程序生成器/内核402; 用户界面403; 一个或多个可替代的取向和过程模型; 以及与流体喷射装置控制器的通信接口。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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