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1. 发明专利

JP2021090143A 出力回路审中-公开
公开(公告)号：JP2021090143A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2019219580
申请日：2019-12-04
申请人：キオクシア株式会社
发明人：萩原洋介 , 山本健介 , 日岡健 , 井上諭
IPC分类号： G11C7/10 , G11C16/26 , H03K19/0175
摘要：【課題】出力回路のスタンバイ状態における消費電力を抑制する。【解決手段】実施形態に係る出力回路は、第1乃至第3電源線と、パッド50と、第1乃至第2トランジスタと、第1回路と、を備える。第1トランジスタTR7は、第1端が第1電源線に接続され、第2端がパッドに接続される。第2トランジスタTR8は、第1端が第2電源線に接続され、第2端がパッド50に接続される。第1回路は、第3電源線と第1トランジスタのゲートとの間に接続される。第1電源線には、第1電圧VCCQが印加される。第2電源線には、第1電圧よりも低い第2電圧VSSが印加される。第3電源線には、第1電圧及び第2電圧のいずれとも異なる第3電圧VDD1が印加される。第1の場合に、第1回路は第1トランジスタのゲートに第3電圧を印加する。第2の場合に、第1回路は第3電源線と第1トランジスタのゲートとを電気的に非接続とする。【選択図】図6

2. 发明专利

JP2021175124A 半導体集積回路及び半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021175124A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020079147
申请日：2020-04-28
申请人：キオクシア株式会社
发明人：清水優 , 井上諭 , 藤沢公 , 高田由美
IPC分类号： H03K19/0185 , H03F3/45 , H03F1/44 , G11C7/10 , G11C16/10 , H03K19/0175
摘要：【課題】一つの実施形態は、データ信号を入力回路から後段の回路へ適切に転送できる半導体集積回路及び半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、入力回路を有する半導体集積回路が提供される。入力回路は、第1のアンプと第2のアンプとを有する。第2のアンプは、第1のアンプに電気的に接続されている。第2のアンプは、第1のトランジスタと第2のトランジスタと第3のトランジスタと第4のトランジスタと時定数付加回路とを有する。第1のトランジスタは、ゲートが第1のアンプの第1のノードに電気的に接続されている。第2のトランジスタは、ゲートが第1のアンプの第2のノードに電気的に接続されている。第3のトランジスタは、第1のトランジスタのドレイン側に配されている。第4のトランジスタは、第2のトランジスタのドレイン側に配されている。時定数付加回路は、第3のトランジスタのゲートと第3のトランジスタのドレイン及び第4のトランジスタのゲートとの間に電気的に接続されている。【選択図】図5

3. 发明专利

JP2020102288A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020102288A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018240031
申请日：2018-12-21
申请人：キオクシア株式会社
发明人：白石圭 , 小柳勝 , 伊東幹彦 , 高田由美 , 平嶋康伯 , 井上諭 , 山本健介 , 尾崎正一 , 涌井太一 , 渡邊郁弥
IPC分类号： G11C16/28 , G11C16/04 , G11C7/10 , G11C16/26
摘要：【課題】高速動作時の信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供できる。【解決手段】一実施形態の半導体記憶装置は、矩形波形を有する入力信号を反転差動増幅する第1アンプと、第1アンプの出力信号の位相を反転する第1インバータと、第1インバータにより反転信号を再度反転して第1出力信号を出力する第2インバータとで構成する第1波形成形部と、前記入力信号の位相を反転する第3インバータと、第3インバータによる反転信号を反転差動増幅する第2アンプと、第2アンプの出力信号の位相を反転して第2出力信号を出力する第4インバータ、とが直列接続して構成する第2波形成形部とを備え、波形に増幅時の立ち上がりの遅れによる傾斜を有する第1出力信号と、波形に増幅時の立ち下がりの遅れによる傾斜を第2出力信号を平均化し、立ち上がりと立ち下がりの波形を同一に波形成形する差動波形成形回路を備える。【選択図】図1A

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