发明专利
JP4843185B2 Semiconductor laser diode and a method of manufacturing the same current limit layer is formed
有权
基本信息:
- 专利标题： Semiconductor laser diode and a method of manufacturing the same current limit layer is formed
- 申请号：JP2003174379 申请日：2003-06-19
- 公开(公告)号：JP4843185B2 公开(公告)日：2011-12-21
- 发明人： 寅 準 成 , 鏡 虎 河 , 準 燮 郭
- 申请人： サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド.
- 专利权人： サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド.
- 当前专利权人： サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド．
- 优先权： KR20020042487 2002-07-19
- 主分类号： H01S5/22
- IPC分类号： H01S5/22 ; H01S5/30 ; H01S5/00 ; H01S5/20 ; H01S5/223 ; H01S5/323