基本信息:
- 专利标题： Semiconductor structure (adjustable semiconductor devices)
- 申请号：JP2007509436 申请日：2004-04-22
- 公开(公告)号：JP2007534173A 公开(公告)日：2007-11-22
- 发明人： シェリダン、デーヴィッド、シー , ストリッカー、アンドレアス、ディー , セイント、オン、スティーブン、エー , フリーマン、グレゴリー、ジー , ボルドマン、スティーブン、エイチ , リー、ジョーサン
- 申请人： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation
- 专利权人： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation
- 当前专利权人： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｓｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
- 优先权： US2004012321 2004-04-22
- 主分类号： H01L29/861
- IPC分类号： H01L29/861 ; H01L21/331 ; H01L21/332 ; H01L29/00 ; H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L29/47 ; H01L29/737 ; H01L29/74 ; H01L29/872 ; H01L29/93
【解決手段】この構造は、サブコレクタの上方の活性領域（コレクタ）、活性領域の上方のベース、およびベースの上方のエミッタを含む。 不連続なサブコレクタの不連続部分間の距離は、半導体構造の動作特性を調整する。 調整可能な動作特性は、絶縁破壊電圧、電流利得遮断周波数、電力利得遮断周波数、通過周波数、電流密度、静電容量範囲、ノイズ注入、少数キャリヤ注入、ならびにトリガ電圧および保持電圧を含む。
【選択図】図１
A method of forming a semiconductor structure comprising a discontinuous non-planar sub-collector having a different polarity to the substrate disposed below.
SOLUTION This structure, above the active region of the sub-collector (collector), above the base of the active region, and includes a base above the emitter. The distance between the discontinuous portions of the discontinuous sub-collector, to adjust the operating characteristics of the semiconductor structure. Adjustable operating characteristics, including breakdown voltage, current gain cut-off frequency, power gain cut-off frequency, pass frequency, current density, capacitance range, noise injection, minority carrier injection, as well as the trigger voltage and holding voltage.
.FIELD 1
公开/授权文献:
- JP4979573B2 Semiconductor structure 公开/授权日：2012-07-18