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1. 发明专利

JP2015065254A 熱電変換素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：热电转换元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015065254A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013197717
申请日：2013-09-25
申请人：日本電気株式会社
发明人：廣瀬賢二
IPC分类号： H01L37/00 , H01L29/06 , H01L35/22 , H01L35/34 , C01B31/02 , H02N11/00 , H01F10/24 , H01F10/32 , H01L29/82
摘要：【課題】熱伝導を抑制する熱電変換素子を提供する。【解決手段】熱電変換素子100は少なくとも2層の一つ以上の磁化方向を有する積層した絶縁体層1間の、少なくともいずれか一つの層間に、絶縁体層1間のフォノン伝導を妨げるフォノンバンドギャップを有する物質を含むフォノン絶縁層2を配置している。絶縁体層1のうち、積層方向の最外層のどちらかの最外面に電極を有し、絶縁体層1に対し、その積層方向に電極がより低温となるよう温度勾配を印加すると、温度勾配と逆並行かつに対し略垂直、かつ一つ以上の磁化方向のうちの一つと略垂直な方向の電極上に起電圧が生じる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制热传导的热电转换元件。解决方案：在热电转换元件100中，布置包括防止绝缘体层1之间的声子导通的具有声子带隙的物质的声子绝缘层2 在具有一个或多个磁化方向的至少两层叠层绝缘体层1中的至少一组相邻绝缘体层1之间。热电转换元件在绝缘体层1的层叠方向上的最外层之一的最外表面上具有电极，并且当向绝缘体层1施加温度梯度使得电极在层压体中具有较低的温度时方向上，在电极上沿着与温度梯度相反并且基本上垂直于基本上垂直于一个或多个磁化方向之一的方向在电极上产生电动势电压。

2. 发明专利

JP2014078637A Hall element, magnetism detection sensor, and magnetic recording device 审中-公开
标题翻译：霍尔元件，磁性检测传感器和磁记录装置
公开(公告)号：JP2014078637A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：JP2012226206
申请日：2012-10-11
申请人： Rohm Co Ltd , ローム株式会社 , Institute Of Physical & Chemical Research , 独立行政法人理化学研究所
发明人： KUBOTA SHOJI , KAWASAKI MASASHI , TOKURA YOSHINORI
IPC分类号： H01L43/06 , H01F10/24 , H01F41/28 , H01L21/8246 , H01L27/105
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hall element capable of detecting magnetic domain behavior of a magnetic recording medium, and a magnetism detection sensor in which the magnetic recording medium and the hall element are integrated.SOLUTION: The magnetism detection sensor includes an electrode layer 14 arranged on a magnetic recording medium 10 and having a cross bar shape, and a hall element 1 having pad electrodes Pto Pconnected to a cross bar section of the electrode layer 14.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够检测磁记录介质的磁畴行为的霍尔元件和磁记录介质和霍尔元件相结合的磁检测传感器。解决方案：磁检测传感器包括电极层 14，布置在磁记录介质10上并且具有横杆形状;以及霍尔元件1，其具有焊接电极Pto P连接到电极层14的横杆部分。

3. 发明专利

JPWO2010110297A1 磁気センサ及び磁気記憶装置有权
公开(公告)号：JPWO2010110297A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：JP2011506076
申请日：2010-03-24
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：英治齊藤 , 英治齊藤 , 裕康中山 , 裕康中山 , 一哉針井 , 一哉針井
IPC分类号： H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/24 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , G11C11/18 , H01F10/24 , H01F10/30 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：磁気センサ及び磁気記憶装置に関し、強磁性体中に電流を流すことなく強磁性体に加わっている磁気情報を感知する。強磁性誘電体層と、金属層との接合界面に沿って前記金属層中の少なくとも前記接合界面側を流れる電流に生じる磁気抵抗効果を利用する。

4. 发明专利

JP4807288B2 Method for producing a magnetic garnet single crystal and optical element as well as the magnetic garnet single crystal using the same 有权
公开(公告)号：JP4807288B2
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：JP2007071191
申请日：2007-03-19
申请人： Tdk株式会社
发明人：敦大井戸
IPC分类号： C30B29/28 , C30B19/00 , G02F1/09 , H01F1/34 , H01F10/24 , H01F41/28

6. 发明专利

JP4432874B2 Method for producing a magnetic garnet single crystal 有权
公开(公告)号：JP4432874B2
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：JP2005311682
申请日：2005-10-26
申请人： Tdk株式会社
发明人：敦大井戸
IPC分类号： C30B29/28 , C30B19/04 , H01F1/34 , H01F10/24 , H01F41/14

7. 发明专利

JP3753920B2 Magnetic garnet single crystal film and a method of manufacturing the same, and the Faraday rotator using the same 有权
公开(公告)号：JP3753920B2
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：JP2000081044
申请日：2000-03-22
申请人： Tdk株式会社
发明人：敦大井戸 , 和人山沢
IPC分类号： C30B29/28 , G02F1/09 , C30B19/02 , G02F1/00 , H01F10/24 , H01F41/28
CPC分类号： H01F41/28 , C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , H01F10/245
摘要： The invention relates to a Bi-substituted rare earth-iron garnet single-crystal film and a method for producing it, and also to a Faraday rotator comprising it. Its object is to provide a magnetic garnet single-crystal film which hardly cracks while it grows or is cooled or polished and worked, and to provide a method for producing it. Its object is also to provide a Faraday rotator produced at high yield by working the magnetic garnet single-crystal film which hardly cracks while it grows or is cooled or polished and worked. In a method for producing a magnetic garnet single-crystal film by growing a Bi-substituted magnetic garnet single crystal in a mode of liquid-phase epitaxial growth, the lattice constant of the growing magnetic garnet single crystal is so controlled that it does not vary or gradually decreases with the growth of the single-crystal film, and then increases with it.

8. 发明专利

JP3720616B2 Faraday rotation angle varying unit 有权
公开(公告)号：JP3720616B2
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：JP4714799
申请日：1999-02-24
申请人： Fdk株式会社
发明人：浩光梅澤 , 博貴河合
IPC分类号： G02B27/28 , G02F1/09 , H01F10/24 , H01F10/32
CPC分类号： B82Y25/00 , G02F1/09 , G02F2201/16 , H01F10/245 , H01F10/3209

9. 发明专利

JP3664841B2 Multilayer magneto-optical memory 失效
公开(公告)号：JP3664841B2
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：JP10939097
申请日：1997-04-25
申请人：日本放送協会
发明人：孝彦玉城 , 紀彦石井
IPC分类号： G11B11/10 , G11B11/105 , H01F10/24

10. 发明专利

JP2004319575A YbTbBiFe-BASED MAGNETISM GARNET FILM AND ITS FORMING METHOD 审中-公开
公开(公告)号：JP2004319575A
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：JP2003107681
申请日：2003-04-11
申请人： Sumitomo Metal Mining Co Ltd , 住友金属鉱山株式会社
发明人： IINO TAKAYUKI , SASAKI TATSUYA , OYAMA HIROSHI
IPC分类号： G02F1/09 , C30B19/04 , C30B29/28 , H01F10/24 , H01F41/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a YbTbBiFe-based magnetic garnet film that is extremely reduced in banded defect, and to provide a method of forming the garnet film by which the garnet film can be formed at a high yield. SOLUTION: In the method of forming the YbTbBiFe-based magnetic garnet film, the garnet film can be grown on a garnet substrate by a liquid phase epitaxial growth method by using a solution containing PbO, Bi 2 O 3 , B 2 O 3 , Yb 2 O 3 , Tb 2 O 3 , and Fe 2 O 3 . The lattice constant of a garnet substrate falls within a range of 1.2490-1.2515 nm, and the molar ratio in the solution meets following four requirements of 17.5≤[Fe 2 O 3 ]/([Yb 2 O 3 ]+[Tb 2 O 3 ])≤25, 0.13≤[Fe 2 O 3 ]+[Yb 2 O 3 ]+[Tb 2 O 3 ]≤0.145, 0.072≤[Yb 2 O 3 ]/[Tb 2 O 3 ]≤0.076, and 40≤[Bi 2 O 3 ]/([Yb 2 O 3 ]+ [Tb 2 O 3 ])≤50. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

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