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1. 发明专利

JPWO2020049955A1 薬液、基板の処理方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020049955A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：JP2019031627
申请日：2019-08-09
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：杉村宣明 , 高橋智威 , 関裕之
IPC分类号： H01L21/304 , C23F1/16 , C23F1/32 , H01L21/306
摘要：本発明は、遷移金属含有物に対する優れた溶解能を有し、かつ、被処理部の優れた平滑性を実現できる薬液を提供する。また、本発明は、基板の処理方法を提供する。本発明の薬液は、基板上の遷移金属含有物を除去するために用いられ、次亜塩素酸及びその塩からなる群から選択される1種以上の次亜塩素酸類と、ClO 3 − 、及び、Cl − からなる群から選択される1種以上の特定アニオンと、を含有する。薬液が1種の特定アニオンを含有する場合、1種の特定アニオンの含有量が、薬液の全質量に対して5質量ppb〜1質量%である。薬液が2種の特定アニオンを含有する場合、2種の特定アニオンの含有量が、それぞれ薬液の全質量に対して1質量%以下であり、2種の特定アニオンのうちの少なくとも1種の含有量が、薬液の全質量に対して5質量ppb以上である。

3. 发明专利

JPWO2017209011A1 金属/樹脂複合構造体、金属部材および金属部材の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017209011A1
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：JP2017019770
申请日：2017-05-26
申请人：三井化学株式会社
发明人：木村和樹 , 杉田遥 , 富田嘉彦
IPC分类号： B32B15/08 , B32B27/06 , C23F1/16 , B32B3/30
摘要：本発明の金属/樹脂複合構造体(106)は、金属部材(103)と、樹脂組成物からなる樹脂部材(105)とが接合してなる。そして、金属部材(103)の表面(110)上の、平行関係にある任意の3直線部、および当該3直線部と直交する任意の3直線部からなる合計6直線部について、JIS B0601(対応国際規格:ISO4287)に準拠して測定される表面粗さが以下の要件(1)および(2)を同時に満たす。(1)評価長さ4mmにおける十点平均粗さ(Rz)の平均値が20μm未満である。(2)評価長さ4mmにおける粗さ曲線要素の平均長さ(RSm)の平均値が20μm以上77μm未満の範囲にある。

4. 发明专利

JP2016211039A 酸化膜除去方法有权
标题翻译：氧化膜去除方法
公开(公告)号：JP2016211039A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015096027
申请日：2015-05-08
申请人：三菱重工航空エンジン株式会社
发明人：佐々木渉 , 田村知子 , 平松範之 , 森井統
IPC分类号： C23F1/00 , C23F1/16
CPC分类号： C23F1/00 , C23F1/28 , C23G5/00
摘要：【課題】毒性の強いガス状フッ化物を用いなくても、超合金の表面の酸化膜を効果的に除去することができる酸化膜除去方法を提供する。【解決手段】酸化膜除去方法は、ベース金属である第1金属と第1金属とは異なる第2金属とを含有する超合金部品1の表面の酸化膜20を除去する方法である。酸化膜除去方法は、超合金部品1を加熱チャンバー50の内部に配置する工程と、還元ガス雰囲気または真空雰囲気が維持された状態で加熱チャンバー50の内部を加熱することにより、ベース金属の酸化物をベース金属に還元する還元工程と、還元工程の後、超合金部品1に酸溶液を適用する酸処理工程とを具備する。【選択図】図8
摘要翻译：甲不使用有毒的强气态氟化物，提供一种能够在高温合金的表面上有效地除去氧化膜的氧化膜去除方法。的氧化膜去除方法中，第一金属和第一金属是碱金属和除去含有不同的第二金属表面的超级合金部件1的氧化物膜20。如何氧化膜去除，放置高温合金部件1在加热室50内，通过在加热状态下加热室50的内部，其中，还原性气体气氛或真空气氛中保持，所述贱金属氧化物和减少基体金属的还原步骤和之后的还原步骤包括施加酸溶液到超级合金部件1的酸处理步骤。点域8

5. 发明专利

JP2016029208A エッチング液管理装置、溶解金属濃度測定装置、及び、溶解金属濃度測定方法有权
标题翻译：用于管理蚀刻溶液的装置，用于测量溶解的金属浓度的装置，以及用于测量溶解金属浓度的方法
公开(公告)号：JP2016029208A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：JP2015118235
申请日：2015-06-11
申请人：株式会社平間理化研究所
发明人：中川俊元 , 白井浩之
IPC分类号： C25C1/22 , H01L21/306 , C23F1/16 , G01N33/18 , C23F1/08
CPC分类号： Y02P10/234
摘要：【課題】エッチング液の成分濃度とともに溶解金属濃度を監視し、成分濃度が一定となるように自動的に補充液を補給するとともに、溶解金属を分離回収するエッチング液管理装置、溶解金属濃度測定装置及び溶解金属濃度測定方法を提供する。【解決手段】エッチング液中の酸の濃度に相関する第1物性値を測定する第1物性値測定手段と、溶解した金属の濃度に相関する第2物性値を測定する第2物性値測定手段と、酸の濃度と第1物性値との相関関係及び第1物性値の測定結果に基づいて、補給される補充液の送液を制御する補充液送液制御手段と、溶解した金属の濃度と第2物性値との相関関係及び第2物性値の測定結果に基づいて溶解した金属を回収除去する溶解金属回収除去手段と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于管理蚀刻溶液的管理装置，其监测蚀刻溶液的成分浓度和溶解金属的浓度，自动提供补充溶液以将组分浓度控制为恒定，并分离和回收溶解金属，溶解金属的浓度测定装置以及溶解金属浓度的测定方法。解决方案：用于管理蚀刻溶液的装置包括：第一物理值测量装置，用于测量与蚀刻溶液中酸的浓度; 第二物理量测量装置，用于测量与溶解金属的浓度相关的第二物理性质值; 补充溶液进料和控制装置，用于基于酸浓度和第一物理性质值之间的相关性和第一物理性质值的测量结果来控制供给补充溶液的供给; 以及溶解的金属回收和去除装置，用于根据溶解金属的浓度与第二物理性质值之间的相关性和第二物理性质的测量结果的相关性来回收和除去溶解的金属。选择的图：图1

6. 发明专利

JP2014507815A The novel etching composition 审中-公开
公开(公告)号：JP2014507815A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2013557858
申请日：2012-03-08
申请人：フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッドFujiFilm Electronic Materials USA, Inc. , 富士フイルム株式会社
发明人：智威高橋 , 正稲葉 , 篤史水谷 , ドゥー，ビン , エー．ボイチャック，ウィリアム , 和敬高橋 , 上村　　哲也
IPC分类号： H01L21/308 , C23F1/16
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/06 , C23F1/16 , C23F1/28 , C23F1/30 , C23F1/44 , H01L21/28518 , H01L21/76843
摘要：本開示は、少なくとも一つのスルホン酸、ハロゲン化物アニオンを含む少なくとも一つの化合物、前記ハロゲン化物はクロリドまたはブロミドであり、ニトラートまたはニトロシルイオンを含む少なくとも一つの化合物、及び水、を含むエッチング組成物に関する。前記少なくとも一つのスルホン酸は前記組成物の約２５重量％〜約９５重量％である。前記ハロゲン化物アニオンはクロリドまたはブロミドであり、前記組成物の約０．０１重量％〜約０．５重量％である。前記ニトラートまたはニトロシルイオンは前記組成物の約０．１重量％〜約２０重量％である。前記水は、前記組成物の少なくとも約３重量％である。

7. 发明专利

JP5111790B2 Etching solution and wiring forming method using the same 有权
公开(公告)号：JP5111790B2
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：JP2006163441
申请日：2006-06-13
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：弘植朴 , 時烈金 , 鍾鉉鄭 , 原碩申
IPC分类号： H01L21/308 , C23F1/16 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： An etchant, a method for fabricating a multi-layered interconnection line using the etchant, and a method for fabricating a thin film transistor (TFT) substrate using the etchant. The etchant for the multi-layered line comprised of molybdenum/copper/molybdenum nitride illustratively includes 10-20 wt % hydrogen peroxide, 1-5 wt % organic acid, a 0.1-1 wt % triazole-based compound, a 0.01-0.5 wt % fluoride compound, and deionized water as the remainder.

8. 发明专利

JP2012246507A Method for manufacturing thin film metal component, and optical component 审中-公开
标题翻译：制造薄膜金属部件的方法和光学部件
公开(公告)号：JP2012246507A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：JP2011116789
申请日：2011-05-25
申请人： Toppan Printing Co Ltd , 凸版印刷株式会社
发明人： KUNO HISASHI , TAKEUCHI YASUHIRO
IPC分类号： C23F1/00 , C23F1/16
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for easily manufacturing a fine metal thin film component in a sub-millimeter order to a nanometer level, in particular, a metal thin film component whose shape is in a coil state.SOLUTION: The method for manufacturing a thin film metal component is configured to apply a photolithographic process to a metal thin film 2 formed by depositing a single or a plurality of materials on a substrate 1 to form a desired pattern shape, and then, apply a high voltage to a metal thin film pattern 5 to peel the metal thin film pattern 5 from the substrate 1. The method for manufacturing a thin film metal component 7 is characterized in that in the thin film metal component, a scale has the degree of a sub-millimeter order or smaller and a shape is in a coil state or like a cut wire.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种容易制造亚毫米级的细金属薄膜组分至纳米级的方法，特别是形状为线圈状的金属薄膜组分的方法。解决方案：制造薄膜金属部件的方法被配置为对通过在基板1上沉积单个或多个材料而形成的金属薄膜2施加光刻工艺以形成所需的图案形状，然后对金属薄膜图案5施加高电压以从基板1剥离金属薄膜图案5.薄膜金属部件7的制造方法的特征在于，在薄膜金属部件中，亚毫米级或更小的程度，并且形状处于线圈状态或类似切割线。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2011014628A Wet etching method 有权
标题翻译：湿蚀刻方法
公开(公告)号：JP2011014628A
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：JP2009155706
申请日：2009-06-30
申请人： Ulvac Seimaku Kk , アルバック成膜株式会社
发明人： ISHIZUKA MASAHIKO , HIRANO NAONORI
IPC分类号： H01L21/306 , C23F1/00 , C23F1/16 , H01L21/3205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wet etching method having excelling operational efficiency and having a large selective range of materials for an etched board.SOLUTION: A glass board 1, including a patterned chromium layer 2 and a resist layer 3 on a surface, is immersed in an etchant 4 and wet-etched. Here, a metal bar 6 consisting of aluminum or iron is immersed in the etchant 4 in a tank 5, and the exposed surface 2a of the chromium layer 2 and the end of the metal bar 6 are brought into contact at a desired timing. The chromium layer 2, brought into contact with the metal bar 6, is etched gradually by an electrochemical reaction, or the like, and is miniaturized, while a part exposed to the etchant 4 of the glass board 1 is increased gradually and the part is wet-etched. Accordingly, the undercut shape of the glass board 1 is adjusted, and a tapered surface 7 is formed on the glass board 1. Quartz, white-board glass, blue-board glass, borosilicate glass, alkali-free glass or lead glass can applicable to the glass board 1.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的操作效率并且具有用于蚀刻板的材料选择范围大的湿式蚀刻方法。解决方案：包括图案化的铬层2和表面上的抗蚀剂层3的玻璃板1，浸在蚀刻剂4中并湿法蚀刻。这里，将由铝或铁组成的金属棒6浸在罐5中的蚀刻剂4中，铬层2的暴露表面2a和金属棒6的端部在期望的时刻接触。与金属棒6接触的铬层2通过电化学反应等逐渐蚀刻并小型化，而暴露于玻璃板1的蚀刻剂4的部分逐渐增加，部分为湿蚀刻。因此，玻璃板1的底切形状被调整，并且在玻璃板1上形成锥形表面7.石英，白板玻璃，蓝板玻璃，硼硅酸盐玻璃，无碱玻璃或铅玻璃可以适用到玻璃板1。

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