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1. 发明专利

JPWO2018047210A1 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法有权
公开(公告)号：JPWO2018047210A1
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2016004113
申请日：2016-09-09
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：着能真 , 淵上真一郎
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26
摘要：銅とモリブデンの多層膜をエッチングするエッチング液で、使用量を低減させることができるエッチング液を提供する。過水を用いるエッチング液では、銅イオンによって過水が分解するため、多量のエッチング液を補充する。過酸化水素と、酸性有機酸と、アミン化合物と、過酸化水素分解抑制剤と、アゾール類と、アルミニウム塩を含む析出防止剤を含み、前記過酸化水素分解抑制剤としてエチレングリコールモノブチルエーテルを0.4質量%以上5質量%以下の割合で含み、前記アミン化合物がN,N−ジエチル−1,3−プロパンジアミンであることを特徴とする多層膜用エッチング液は、銅イオンが増加しても過水分解速度を抑制でき、エッチング液の総使用量を低減できる。

2. 发明专利

JP2018006715A エッチング液組成物およびエッチング方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018006715A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016136336
申请日：2016-07-08
申请人：関東化學株式会社
发明人：河野良 , 大和田拓央
IPC分类号： C23F1/26 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/308
CPC分类号： C23F1/26 , H01L21/308 , H01L21/3213 , H01L21/768
摘要：【課題】本発明の課題は、タングステン膜と窒化チタン膜とを一括でエッチング処理することが可能なエッチング液組成物および当該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、硝酸と、水とを含む、タングステン膜と窒化チタン膜とを一括でエッチング処理するためのエッチング液組成物。【選択図】なし

3. 发明专利

JP2017537222A エッチング液組成物、多層膜のエッチング方法、並びに表示装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017537222A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2017518890
申请日：2015-10-07
申请人：サムヨンピュアーケミカルスカンパニーリミテッド , サムヨンピュアーケミカルスカンパニーリミテッド , 三菱瓦斯化学株式会社 , 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. , 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd.
发明人：ジュン−イグチョン , ジュン−イグチョン , チ−スンイン , チ−スンイン , ミ−ソオンリー , ミ−ソオンリー , ヒョン−オクシン , ヒョン−オクシン , ジョン−ウペ , ジョン−ウペ
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/28 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/30 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/1259
摘要： (A)銅イオン供給源、(B)分子内に1以上のカルボキシ基を有する有機酸イオン供給源、(C)フッ素イオン供給源、(D)第1添加剤としてエッチング調節剤、表面酸化力増加剤、又はこれらの組み合わせ、及び(E)第2添加剤として界面活性剤を含むエッチング液組成物、多層膜のエッチング方法、並びに表示装置の製造方法。【選択図】図3

5. 发明专利

JP6167444B1 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法有权
公开(公告)号：JP6167444B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2017519340
申请日：2016-09-09
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：着能真 , 淵上真一郎
IPC分类号： C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26
摘要：銅とモリブデンの多層膜をエッチングするエッチング液で、使用量を低減させることができるエッチング液を提供する。過水を用いるエッチング液では、銅イオンによって過水が分解するため、多量のエッチング液を補充する。過酸化水素と、酸性有機酸と、アミン化合物と、過酸化水素分解抑制剤と、アゾール類と、アルミニウム塩を含む析出防止剤を含み、前記過酸化水素分解抑制剤としてエチレングリコールモノブチルエーテルを0.4質量%以上5質量%以下の割合で含み、前記アミン化合物がN,N−ジエチル−1,3−プロパンジアミンであることを特徴とする多層膜用エッチング液は、銅イオンが増加しても過水分解速度を抑制でき、エッチング液の総使用量を低減できる。

6. 发明专利

JP2016167580A タングステンケミカルメカニカル研磨におけるディッシング低減有权
标题翻译：在金属化学机械抛光中的减少
公开(公告)号：JP2016167580A
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：JP2016021676
申请日：2016-02-08
申请人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS INCORPORATED
发明人：マティアスシュテンダー , ブレイクジェイ.リウ , シャオボーシー
IPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/20 , C09G1/04 , C09K3/14 , C23F1/26 , C25F3/30 , H01L21/3212
摘要：【課題】本発明はタングステン含有半導体デバイスのケミカルメカニカル平坦化(CMP)において使用されうるスラリー、方法及び装置を提供する。【解決手段】タングステン除去速度を遅らせることなく、大きい特徴部サイズ及び小さい特徴部サイズ(大きいボンドパッドならびに微細ライン構造)におけるディッシングを低減するために添加剤が使用される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可用于含钨半导体器件的化学机械平面化（CMP）的浆料，方法和系统。解决方案：添加剂用于减小大小尺寸特征尺寸（大键合焊盘和细线结构），而不会降低钨的去除率。选择图：图1

7. 发明专利

JP5973351B2 電解質溶液及び電解研磨方法有权
标题翻译：电解液和电解抛光方法
公开(公告)号：JP5973351B2
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：JP2012541145
申请日：2010-11-22
申请人：メトコン・エルエルシー , METCON,LLC
发明人：ジェイムズ・エル・クラスキン , トーマス・ジェイ・クリステンセン
IPC分类号： C25F7/00 , C25F3/26
CPC分类号： C25F3/16 , C23F1/26 , C25F3/02 , C25F3/26

8. 发明专利

JP2016148081A エッチング液及びエッチング方法审中-公开
标题翻译：蚀刻和蚀刻方法
公开(公告)号：JP2016148081A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2015025385
申请日：2015-02-12
申请人：メック株式会社
发明人：荻野悠貴 , 東嶋真美 , 林崎将大 , 王谷稔
IPC分类号： C23F1/26 , C23F1/44
CPC分类号： C23F1/26 , C23F1/44 , C23G5/032 , C23G5/036
摘要：【課題】本発明は、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングすることができ、しかも毒性が低く、保存安定性に優れるエッチング液、及びそれを用いたエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のエッチング液は、硫酸、塩酸、及びトリクロロ酢酸からなる群より選択される少なくとも1種の酸と、チオケトン系化合物及びチオエーテル系化合物からなる群より選択される少なくとも1種の有機硫黄化合物とを含むものであり、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングすることができる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在铜的存在下选择性地蚀刻钛并具有低毒性和优异的储存稳定性的蚀刻剂，并提供使用该蚀刻剂的蚀刻方法。本发明的蚀刻剂包含选自硫酸，盐酸和三氯乙酸的至少一种酸和选自硫酮化合物和硫醚化合物的至少一种有机硫化合物，并且能够在铜的存在下选择性地蚀刻钛。绘图：无

9. 发明专利

JP5935174B2 選択スプレー式エッチングを使用して堆積チャンバ部分をクリーニングするための方法及び装置有权
标题翻译：用于使用所选择的喷雾蚀刻清洁沉积室部分的方法和装置
公开(公告)号：JP5935174B2
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：JP2014162853
申请日：2014-08-08
申请人：クアンタムグローバルテクノロジーズリミテッドライアビリティカンパニー
发明人：リユアンバオ , サマンサエス. エイチ. タン , アンベイジャン
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C14/00
CPC分类号： C23G3/00 , B08B3/08 , C23C14/564 , C23C16/4407 , C23F1/00 , C23F1/26 , C23F1/44 , C23G1/00 , C23G1/22

10. 发明专利

JP2016074986A 電解質溶液及び電解研磨方法审中-公开
标题翻译：电解液和电解方法
公开(公告)号：JP2016074986A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2016021044
申请日：2016-02-05
申请人：メトコン・エルエルシー , METCON,LLC
发明人：ジェイムズ・エル・クラスキン , トーマス・ジェイ・クリステンセン
IPC分类号： H01L21/304 , C25F3/26
CPC分类号： C25F3/16 , C23F1/26 , C25F3/02 , C25F3/26
摘要：【課題】金属仕上げ槽内の強酸の使用を抑えた水系電解質溶液を提供すること。【解決手段】約1.6g/L〜約982g/Lの濃度範囲のクエン酸;及び効果を有する濃度の二フッ化水素アンモニウム(ABF);を含み、実質的に強酸を含まない水系電解質溶液。非鉄金属加工品の表面をマイクロ研磨する方法であって、以下のステップを含む方法;前記表面を水系電解質溶液槽に曝すステップ(ここで、前記水系電解質溶液は:約1.6g/L〜約780g/Lの濃度範囲のクエン酸;及び約2g/L〜約120g/Lの濃度範囲の二フッ化水素アンモニウムを含み;並びに強酸が約3.35g/L以下である);前記溶液の凝固点と沸点との間になるように槽の温度を制御するステップ;DC電源の陽極に前記加工物を接続し、且つ前記DC電源の陰極を前記槽内に浸漬するステップ;並びに前記槽に電流を与えるステップ。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够减少在金属整理浴中使用强酸的电解质水溶液。溶液：本发明涉及一种电解质水溶液，包括：柠檬酸浓度范围约1.6g / L至约982g / L; 和有效浓度的二氟化铵（ABF），其中电解质溶液基本上不含强酸。本发明还涉及对有色金属工件的表面进行微孔抛光的方法，包括以下步骤：将表面暴露于包含柠檬酸在约1.6g / L至约浓度范围为约2g / L至约120g / L，并且具有约3.35g / L或更低的强酸的浓度为780g / L和二氟化铵; 将浴的温度控制在溶液的凝固点和沸点之间; 将工件连接到直流电源的阳极电极，并将直流电源的阴极电极浸入浴中; 并将电流施加在浴缸上。选择图：无

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