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    • 9. 发明专利
    • 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置
    • 液体加工方法,储存介质和液体加工装置
    • JP2016072557A
    • 2016-05-09
    • JP2014203176
    • 2014-10-01
    • 東京エレクトロン株式会社
    • 甲斐 亜希子丹羽 崇文高橋 彰吾西畑 広寺下 裕一小玉 輝彦
    • H01L21/304G03F7/30G03F7/32H01L21/027
    • B08B3/10H01L21/0206H01L21/0337H01L21/31133H01L21/31144H01L21/6708H01L21/68742
    • 【課題】基板を回転させながら基板の表面全体に対して処理液により液処理を行うにあたって、基板の回転数を高くしても処理液の液跳ねを抑えることができ、これにより基板の周縁部に対して良好な液処理を行うことができる液処理方法などを提供する。 【解決手段】基板Wを回転自在な基板保持部11に水平に保持し、処理液により液処理を行うにあたり、少なくとも基板Wの周縁部よりも中心側の部位に対して処理液により液処理を行った後、基板Wを回転させながら、処理液ノズル32の吐出口321を回転方向の下流側に向け、基板Wの表面に対して斜めにかつ基板Wの接線方向に沿って処理液を基板Wの周縁部に吐出する。当該処理液の吐出を行いながら、前記処理液の着液位置から基板Wの中心部に向かって隣接する位置に向けてガスノズル31からガスを垂直に吐出する。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:为了提供一种能够通过抑制处理液体的液体飞溅而对晶片的边缘进行令人满意的液体处理的液体处理方法,即使当在所有方面进行液体处理时晶片的旋转速度被加速 在旋转晶片的同时使用处理液体的晶片表面。解决方案:当在可自由旋转的晶片保持部11中水平地保持晶片W的同时使用处理液进行液体处理时,在至少部分 通过处理液体使晶片W比边缘更靠近中心,处理液喷嘴32的排出口321在旋转晶片W的同时转向旋转方向的下游侧,并且处理液体被排出到 晶片W的边缘倾斜于晶片W的表面并沿着晶片W的切线方向。在排出处理液体时,气体脱离 从气体喷嘴31沿着从处理液体的施加位置到相对于晶片W的中心部分相邻的位置的方向垂直地充电。图2