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1. 发明专利

JP3469455B2 Switching power supply 失效
公开(公告)号：JP3469455B2
公开(公告)日：2003-11-25
申请号：JP3409298
申请日：1998-01-30
申请人：東光株式会社
发明人：徹志大竹
IPC分类号： H02M3/155 , H03K17/042 , H03K17/0424
CPC分类号： H02M3/155 , H03K17/04213 , H03K17/0424

2. 发明专利

JPS59202729A Switching circuit 失效
标题翻译：切换电路
公开(公告)号：JPS59202729A
公开(公告)日：1984-11-16
申请号：JP7680883
申请日：1983-04-30
申请人： Matsushita Electric Works Ltd
发明人： OKAMOTO FUTOSHI
IPC分类号： H03K17/04 , H02M7/537 , H03K17/042 , H03K17/60
CPC分类号： H03K17/04213
摘要： PURPOSE:To obtain a switching circuit whose switching loss is small, also which has a simple constitution and is low in its cost by adding an inductance and a diode to a transistor (TR) for turning on and off a DC power source supplied to a load. CONSTITUTION:When a positive base current IB1 flows to a TRQ1 by an output of a controlling circuit CO, the TRQ1 is turned on, a current flows through a load L and a choke coil CH1 from a DC power source E, and an electromagnetic energy is accumulated in the choke coil CH1. Subsequently, when a base current IB becomes zero at a time t0, the TRQ1 is shifted to off, but in this case, the electromagnetic energy accumulated in the choke coil CH1 is emitted as a reverse base current of the TRQ1 through a diode D1, accumulated charge between the base and the emitter of the TRQ1 is lost quickly, the TRQ1 is shifted quickly to off from on, and the switching loss becomes small. In this case, comparing with a conventional circuit, an auxiliary DC power source and a timing setting circuit for making the reverse base current flow become unnecessary.
摘要翻译：目的：为了获得开关损耗小的开关电路，其结构简单且成本低，通过向晶体管（TR）添加电感和二极管来接通和断开提供给加载。构成：当正基极电流IB1通过控制电路CO的输出流到TRQ1时，TRQ1导通，电流从直流电源E流过负载L和扼流线圈CH1，电磁能量积聚在扼流线圈CH1中。随后，当基本电流IB在时间t0为零时，TRQ1被转移到关闭状态，但是在这种情况下，通过二极管D1发射积极在扼流线圈CH1中的电磁能作为TRQ1的反向基极电流， TRQ1的基极和发射极之间的累积电荷迅速消失，TRQ1快速移开，导通，开关损耗变小。在这种情况下，与常规电路相比，不需要辅助直流电源和用于使反向基极电流流动的定时设定电路。

3. 发明专利

JPWO2012169041A1 ゲート駆動回路有权
标题翻译：栅极驱动电路
公开(公告)号：JPWO2012169041A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2011552245
申请日：2011-06-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：昌志金子 , 昌志金子 , 静里田村 , 静里田村 , 中武　浩 , 浩中武
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H03K17/04206 , H02M1/08 , H03K17/04213 , H03K17/164 , H03K17/168 , H03K17/74
摘要：電力用半導体素子としてのIGBT2を駆動するゲート駆動回路において、IGBT2のゲート容量を一定電流で充電する定電流ゲート駆動回路1と、MOSFET4および抵抗5−1の直列回路を介して定電流ゲート駆動回路1の入出力端間に並列に接続され、IGBT2のゲート容量を一定電圧で充電する定電圧ゲート駆動回路5と、を備え、IGBT2を駆動する際に、定電流ゲート駆動回路1と定電圧ゲート駆動回路5の双方を用いてIGBT2のゲート容量を充電する。
摘要翻译：在用于驱动IGBT2作为功率半导体器件，对于具有IGBT2，经由MOSFET4以及电阻器5-1的串联电路中的恒流的栅极驱动电路的栅极电容的恒定电流充电一个恒定电流的栅极驱动电路1中的栅极驱动电路串联连接在第一输入端和输出端，用于充电IGBT2恒定电压的栅极电容的恒定电压的栅极驱动电路5，设置有，在驱动时IGBT2，恒流栅极驱动电路1和恒定电压栅极之间平行使用这两种驱动电路5充电IGBT2的栅极电容。

4. 发明专利

JP2005203848A Output circuit and operational amplifier 有权
标题翻译：输出电路和运算放大器
公开(公告)号：JP2005203848A
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：JP2004005393
申请日：2004-01-13
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： NAGAMURA NOBUYOSHI
IPC分类号： H03B1/00 , H03F1/02 , H03F3/30 , H03K17/042 , H03K17/66
CPC分类号： H03K17/667 , H03F1/0272 , H03F3/3071 , H03K17/04213
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the current required for driving an output transistor.
SOLUTION: A start circuit 36 supplies a comparatively small constant base current to a transistor Q1. When a collector current flows through the transistor Q1, a collector current with a prescribed ratio to the collector current flowing through the transistor Q flows through a transistor Q6, and a current proportional to the collector current becomes the base current of the transistor Q1 via a current mirror circuit 35. That is, the base current corresponding to own collector current of the transistor Q1, flows through the transistor Q1.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：减少驱动输出晶体管所需的电流。解决方案：启动电路36向晶体管Q1提供较小的恒定基极电流。当集电极电流流过晶体管Q1时，流过晶体管Q的集电极电流具有规定比例的集电极电流流过晶体管Q6，与集电极电流成比例的电流通过晶体管Q1的基极电流变为晶体管Q1的基极电流即，与晶体管Q1的集电极电流对应的基极电流流过晶体管Q1。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

5. 发明专利

JPS5753146A Drive circuit connected to electric device connected in parallel in circuit network 失效
标题翻译：连接到并联电路网络的电气设备的驱动电路
公开(公告)号：JPS5753146A
公开(公告)日：1982-03-30
申请号：JP11860681
申请日：1981-07-30
申请人： Sundstrand Corp
发明人： TEIMOSHII EFU GURENON
IPC分类号： H03K17/0412 , H03K17/042 , H03K17/12
CPC分类号： H03K17/04126 , H03K17/04213 , H03K17/12

6. 发明专利

JP4942861B1 Gate drive circuit 有权
公开(公告)号：JP4942861B1
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：JP2011552245
申请日：2011-06-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：浩中武 , 静里田村 , 昌志金子
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H03K17/04206 , H02M1/08 , H03K17/04213 , H03K17/164 , H03K17/168 , H03K17/74
摘要：電力用半導体素子としてのＩＧＢＴ２を駆動するゲート駆動回路において、ＩＧＢＴ２のゲート容量を一定電流で充電する定電流ゲート駆動回路１と、ＭＯＳＦＥＴ４および抵抗５−１の直列回路を介して定電流ゲート駆動回路１の入出力端間に並列に接続され、ＩＧＢＴ２のゲート容量を一定電圧で充電する定電圧ゲート駆動回路５と、を備え、ＩＧＢＴ２を駆動する際に、定電流ゲート駆動回路１と定電圧ゲート駆動回路５の双方を用いてＩＧＢＴ２のゲート容量を充電する。
【選択図】図１

7. 发明专利

JP3494154B2 Driving power supply circuit of the power transistor 有权
公开(公告)号：JP3494154B2
公开(公告)日：2004-02-03
申请号：JP2001068382
申请日：2001-03-12
申请人：日産自動車株式会社
发明人：トロンナムチャイクライソン , 良雄下井田 , 俊郎唐木 , 洋之金子
IPC分类号： H02M3/335 , H02M1/08 , H02M3/28 , H03K17/042 , H03K17/605 , H03K17/66
CPC分类号： H03K17/605 , H02M1/08 , H03K17/04213 , H03K17/666

8. 发明专利

JPS61112422A Delay circuit 失效
标题翻译：延时电路
公开(公告)号：JPS61112422A
公开(公告)日：1986-05-30
申请号：JP24679885
申请日：1985-11-01
申请人： Makoto Aso
发明人： ASO MAKOTO
IPC分类号： H03K5/13 , H03K17/042 , H03K17/28
CPC分类号： H03K17/04213 , H03K17/28
摘要： PURPOSE:To rise an output current at a high speed by feeding back positively a part of an output current to a time constant capacitor connected to a source of an FET in an on-delay delay circuit. CONSTITUTION:In turning on a switch 9, an N-FET-1 is turned on, a capacitor 4 is charged through a resistor 5 and an FET1 and the source potential of the FET1 rises. When the source potential approaches the gate potential after a prescribed time, the internal impedance of the FET starts increasing and when the drain potential breaks down a Zener diode 6, a base current of a transistor (TR) 7 flows and the TR7 is turned on. Its emitter current flows to the capacitor 4 at the same time and increases the internal imp-edance of the FET1, then the emitter current is arisen at a high speed by the positive feedback action.
摘要翻译：目的：通过将输出电流的一部分反馈到连接到导通延迟延迟电路中FET的源极的时间常数电容器来高速上升输出电流。构成：在接通开关9时，N-FET-1导通，电容器4通过电阻器5和FET1充电，FET1的源极电位上升。当源电位在规定时间后接近栅极电位时，FET的内部阻抗开始上升，当漏极电位破坏齐纳二极管6时，晶体管（TR）7的基极电流流过，TR7导通。其发射极电流同时流到电容器4，并增加了FET1的内部电位，然后通过正反馈作用在高速下产生发射极电流。

9. 发明专利

JPS61500197A JPS61500197A - 失效
公开(公告)号：JPS61500197A
公开(公告)日：1986-01-30
申请号：JP50404384
申请日：1984-10-10
IPC分类号： H03K17/042 , H03K17/0424 , H03K17/60
CPC分类号： H03K17/0424 , H03K17/04213 , H03K17/60

10. 发明专利

JP4375025B2 Output circuit and an operational amplifier 有权
公开(公告)号：JP4375025B2
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：JP2004005393
申请日：2004-01-13
申请人：株式会社デンソー
发明人：信義長村
IPC分类号： H03F1/02 , H03B1/00 , H03F3/30 , H03F3/45 , H03K17/042 , H03K17/66
CPC分类号： H03K17/667 , H03F1/0272 , H03F3/3071 , H03K17/04213

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