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1. 发明专利

JP2018152819A 光電センサ审中-公开
公开(公告)号：JP2018152819A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2017049579
申请日：2017-03-15
申请人：オムロン株式会社
发明人：余銘珂 , 柴田国春 , 奥濃基晴 , 都築良介 , 堀野昌伸 , 松井優貴
IPC分类号： G01V8/12 , G01V8/20 , H03K17/78
CPC分类号： G01V8/20 , G01J1/0238 , G01V8/12 , H03K17/74
摘要：【課題】相互干渉による誤動作を防止可能な光電センサを提供する。【解決手段】光電センサ1は、投光周期を一定時間ずつ異ならせた投光パターンに従うパルス光の組を信号光として繰り返し発する投光ユニット100と、投光ユニット100からの信号光を受光する受光素子202と、受光素子202からの受光信号に基づいて、入光状態および遮光状態を判別する受光制御部(受光制御IC206)とを備える。投光ユニット100は、投光パターンとして、投光周期を一定時間ずつ増加させる第1のパターンと、投光周期を一定時間ずつ減少させる第2のパターンとを有し、第1のパターンおよび第2のパターンにおいて、最短周期を表すパルスが、最短周期以外の投光周期内に含まれる。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018107494A 半導体装置及びインバータシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2018107494A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2016249055
申请日：2016-12-22
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：近藤大介
IPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48 , H03K17/567
CPC分类号： H03K17/168 , F03D9/255 , H01L24/48 , H01L25/0655 , H01L28/20 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L2224/0603 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2924/1203 , H01L2924/1207 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H02M1/088 , H02M5/458 , H02M7/5387 , H02M2001/0012 , H02M2001/0038 , H02P9/008 , H02P2101/15 , H03K17/08128 , H03K17/163 , H03K17/567 , H03K17/74 , H03K17/94 , Y02E10/725
摘要：【課題】IGBTなどのパワートランジスタを備えた半導体装置の性能向上を図る。【解決手段】半導体装置は、IGBTモジュール110は、並列接続されたIGBT素子SWa及びSWbと、IGBT素子SWaのゲート端子に接続された抵抗R1aと、抵抗R1aと並列接続され、IGBT素子SWaのゲート端子へ向かう方向を順方向とするダイオードD1aとを備える。これにより、ゲート発振の発生を抑えつつ、スイッチング特性を向上することができる。【選択図】図13

3. 发明专利

JPWO2015033444A1 バッファ回路有权
标题翻译：缓冲电路
公开(公告)号：JPWO2015033444A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015535239
申请日：2013-09-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：啓林 , 一明日山 , 健太郎吉田
IPC分类号： H03K17/66 , H02M1/00
CPC分类号： H03K17/08 , H03K17/08128 , H03K17/162 , H03K17/168 , H03K17/60 , H03K17/74
摘要：本発明は、ターンオンおよびターンオフ時にコンプリメンタリ・ペアを構成するトランジスタに印加される逆電圧を低減したバッファ回路の提供を目的とする。バッファ回路(100,300)は、スイッチング素子(1)のターンオンおよびターンオフを行うバッファ回路(100,300)であって、ドライブ用トランジスタ(4)のベースに一端が接続されたドライブ側素子と、シンク用トランジスタ(5)のベースに一端が接続されたシンク側素子と、をさらに備え、ドライブ側素子およびシンク側素子は、それぞれの他端であるアノードおよびカソードが制御回路(8)の出力端子に接続されたドライブ側ダイオード(6)およびシンク側ダイオード(7)であるか、もしくは、それぞれの他端が、ドライブ用トランジスタ(4)およびシンク用トランジスタ(5)のエミッタに接続されたドライブ側コンデンサ(12)およびシンク側コンデンサ(13)である。
摘要翻译：本发明具有的目的是提供与构成互补对在导通时施加到所述晶体管减小的反向电压的缓冲电路和关断。缓冲电路（100，300）是用于切换装置的执行导通和关断（1），驱动侧构件的一端到所述驱动晶体管（4）的基极连接，信宿晶体管的缓冲器电路（100，300）（并且，其一端连接到5的底）信宿侧设备，还包括一个驱动侧元件和信宿侧元件具有一个阳极，并且在另一端连接到所述控制电路的输出端分别一个阴极（8）或驱动侧二极管（6）和信宿侧二极管（7），或者，每一个的另一端，所述驱动晶体管（4）和宿晶体管连接的驱动器侧的电容器至（5）（12）的发射极和宿侧电容器（13）。

4. 发明专利

JP2016536723A 電子システムにおける２つのノードを接続するためのスイッチングトポロジー审中-公开
标题翻译：开关拓扑结构在电子系统中连接两个节点
公开(公告)号：JP2016536723A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2016544331
申请日：2014-08-18
申请人：リニアーテクノロジーコーポレイションLinear Technology Corporation , リニアーテクノロジーコーポレイションLinear Technology Corporation
发明人：シム，ヨン・コック , ドゥエリー，デイビッド・マクリーン
IPC分类号： G05F1/10 , H03K17/687
CPC分类号： H03K3/012 , H03K17/687 , H03K17/74 , H03K19/0185 , H03K2217/0054
摘要：第1の電圧である第1のノードと第2の電圧である第2のノードとの間に接続をもたらすための回路を提供する。回路は、第1のノードに結合された第1の端子を有する第1の誘導性素子と、第1の誘導性素子の第2の端子と第2のノードとの間に結合される第1のスイッチング素子と、第1の誘導性素子の第2の端子から電流を受取るように構成された第1の端子を有し、かつ、第3のノードに結合された第2の端子を有する第2の誘導性素子と、第2の誘導性素子の第1の端子と第2のノードとの間に結合された第2のスイッチング素子とを備える。第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子は、第1のノードと第2のノードとの間に電流が流れる経路を交互にもたらすように構成される。
摘要翻译：用于提供在第一节点和第二节点之间的连接提供一个电路是第二电压是第一电压。电路包括：第一耦合具有耦合到第一节点的第一端子，第二端子和第一电感元件1的第二节点中的第一电感元件之间它包括开关元件，被配置为从所述第一电感元件的所述第二端子和所述第二接收电流的第一端子具有第二端子耦合到所述第三节点包括第二电感元件和耦接的第一端子和所述第二电感元件的一个第二点之间的第二开关元件。第一开关元件和第二开关元件被配置成提供用于所述第一节点和交替的第二个节点之间的电流流动的路径。

5. 发明专利

JP2016171498A 半導体スイッチ审中-公开
标题翻译：半导体开关
公开(公告)号：JP2016171498A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015050694
申请日：2015-03-13
申请人：株式会社東芝
发明人：國司侑吾 , 瀬下敏樹
IPC分类号： H03K17/687 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/693
CPC分类号： H03K17/6871 , H01L23/66 , H03K17/693 , H03K17/74 , H01L2223/6677 , H03K2017/066 , H03K2217/0018
摘要：【課題】小型化した上で高周波特性の劣化を抑制する。【解決手段】実施形態によれば、半導体スイッチは、複数のMOSFETと、パッドと、を備える。前記複数のMOSFETは、共通ノードと第1ノードとの間に直列接続されている。前記パッドは、前記複数のMOSFETのうち、1以上の第1MOSFETの上方に設けられ、前記第1MOSFET以外の第2MOSFETの上方に無く、前記第1ノードに接続されている。前記パッドが無い場合の前記第1MOSFETのそれぞれのオフ容量の値は、前記第2MOSFETのそれぞれのオフ容量の値より小さい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在减小尺寸时抑制高频特性的劣化。解决方案：半导体开关包括多个MOSFET和焊盘。多个MOSFET串联在公共节点和第一节点之间。焊盘设置在多个MOSFET中的一个或多个第一MOSFET之上，但不在第一MOSFET以外的第二MOSFET上方提供，并且与第一节点连接。当没有焊盘时，每个第一MOSFET的关断容量的值小于每个第二MOSFET的关断容量的值。选择的图：图1

6. 发明专利

JP2015233277A PINダイオード・ベースのRF振幅変調器に関するマルチ・ステップ駆動信号审中-公开
标题翻译：基于二极管的射频放大器调制器的多级驱动信号
公开(公告)号：JP2015233277A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2015108424
申请日：2015-05-28
申请人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
发明人：デーヴィッド・ラーセン
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K5/125 , H03F1/30
CPC分类号： H03K4/94 , H03K17/74 , H03K4/02
摘要：【課題】立上がり時間、下降時間及びRFパルスの幅の独立調整が可能なPINダイオード駆動回路を提供する。【解決手段】入力を受信するステップと、複数のパルスの第1のパルスはRFインタフェースにより生成されるRFエンベロープの立上がり時間を制御し、複数のパルスの第2のパルスはRFインタフェースにより生成されるRFエンベロープの下降時間を制御する複数のパルスを生成するステップと、ドライブ信号を生成するために複数のパルスを結合するステップと、一つ以上のPINダイオードを包含しているRFインタフェースにドライブ信号を分配するステップと、振幅又は第1のパルスのパルス幅の少なくとも一つは、振幅又は第2のパルスのパルス幅からそれぞれ調節可能なRFエンベロープを生成するステップと、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够独立地调节RF脉冲的上升时间，下降时间和宽度的PIN二极管驱动电路。解决方案：一种方法包括以下步骤：接受输入; 基于所述输入产生多个脉冲，其中所述多个脉冲的第一脉冲控制由RF接口产生的RF包络的上升时间，并且所述多个脉冲中的第二脉冲控制所产生的RF包络的下降时间通过RF接口; 组合所述多个脉冲以产生驱动信号; 将驱动信号分配到包括一个或多个PIN二极管的RF接口; 以及产生RF包络，其中第一脉冲的幅度或脉冲宽度中的至少一个可以从第二脉冲的幅度或脉冲宽度独立地调节。

7. 发明专利

JP2015065786A 誘導性負荷の給電制御装置有权
标题翻译：用于感应负载的电源控制装置
公开(公告)号：JP2015065786A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013199492
申请日：2013-09-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：神▲崎▼ 将造 , 橋本光司
IPC分类号： H02M7/48
CPC分类号： H02M3/158 , H03K17/08142 , H03K17/6871 , H03K17/6877 , H03K17/74 , H02M2003/1555 , H02M2003/1566 , H02M3/155 , H02M3/156 , H02M3/1588 , H03K2217/0036
摘要：【課題】誘導性負荷に並列接続された転流回路素子に発生する電力損失を低減し、転流回路素子の温度上昇を抑制する。【解決手段】誘導性負荷103に直列接続された負荷開閉素子130Aを開閉制御して誘導性負荷103に対する給電状態を制御する給電制御装置100Aにおいて、誘導性負荷103に電界効果形トランジスタの転流回路素子140を並列接続し、負荷開閉素子130Aが閉路しているときには転流回路素子140を開路してコンデンサ142を充電し、負荷開閉素子130Aが開路しているときにはコンデンサ142の充電電荷によって転流回路素子140は閉路する関係に接続されている。転流回路素子140の閉路導通方向は転流回路素子内部の寄生ダイオード149の通電方向と同一方向となる極性に接続され、小容量のコンデンサ142によって転流回路素子140を逆導通させて、電圧降下と温度上昇を低減する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了减少与感性负载并联连接的换向电路元件中产生的功率损失，以抑制换向电路元件中的温度升高。解决方案：一种电源控制装置100A，用于控制对电感通过对与感性负载103串联连接的负载打开/关闭元件130A进行开/关控制，负载103包括与感性负载103并联连接的电场效应晶体管的换向电路元件140，使得换向当负载打开/关闭元件130A闭合时，电路元件140打开以对电容器142充电，并且当负载打开/关闭元件130A被闭合时，换向电路元件140被充电电容器142的电荷闭合开了。换向电路元件140连接成使得其极性使换向电路元件140的闭合导通方向与换向电路元件内部的寄生二极管149的导电方向相同。换向电路元件140通过具有小容量的电容器142反向导电，以降低电压降和温升。

8. 发明专利

JP5652675B2 ゲート駆動回路及びそれを有するインバータ有权
标题翻译：栅极驱动电路以及具有它的反相器
公开(公告)号：JP5652675B2
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：JP2013028237
申请日：2013-02-15
申请人：サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド. , サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド.
发明人：ファジョン、イン , ファジョン、イン , ソクスー、ブン , ソクスー、ブン
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00 , H02M7/487 , H03K17/10 , H03K17/56
CPC分类号： H02M7/537 , H02M1/08 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M2001/0006 , H03K17/08148 , H03K17/107 , H03K17/74

9. 发明专利

JP2014075960A Gate driving circuit and inverter having the same 有权
标题翻译：门驱动电路和具有相同功能的逆变器
公开(公告)号：JP2014075960A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2013028237
申请日：2013-02-15
申请人： Samsung Electro-Mechanics Co Ltd , サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド.
发明人： JEONG IN WHA , SUH BUM SEOK
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00 , H02M7/487 , H03K17/10 , H03K17/56
CPC分类号： H02M7/537 , H02M1/08 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M2001/0006 , H03K17/08148 , H03K17/107 , H03K17/74
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-voltage inverter having a high-voltage gate driving integrated circuit with low manufacturing cost.SOLUTION: An inverter 100 includes gate driving units 110, 120 and 130, an inverter unit 140, and bootstrap units 150, 160, and 170. The gate driving units 110, 120, and 130 have the same configurations; for example, the gate driving unit 110 includes high-voltage gate driving units 111 and 112, a high-voltage gate driver 113, and a low-voltage gate driver 114. The bootstrap units 150, 160, and 170 divide the voltage generated at the time of switching a plurality of switches of the inverter unit 140 according to the switching control of the gate driving units 110, 120, and 130; for example, the bootstrap units 150, 160, and 170 equally divide a voltage level of the power applied to a plurality of high-voltage gate drivers 111-1, 111-2, 112-1, and 112-2 of the gate driving unit 110.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有低制造成本的高压栅极驱动集成电路的高压逆变器。解决方案：逆变器100包括门驱动单元110,120和130，逆变器单元140和自举单元150 160和170.门驱动单元110,120和130具有相同的构造; 例如，栅极驱动单元110包括高电压栅极驱动单元111和112，高压栅极驱动器113和低电压栅极驱动器114.自举单元150,160和170将在根据门驱动单元110,120和130的切换控制切换逆变器单元140的多个开关的时间; 例如，自举单元150,160和170将施加到门驱动器的多个高压栅极驱动器111-1,111-2,112-1和112-2的功率的电压电平相等地分开单元110。

10. 发明专利

JP5323085B2 Rectifier circuit 有权
公开(公告)号：JP5323085B2
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：JP2010537347
申请日：2008-10-31
申请人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツングRobert Bosch Gmbh
发明人：ゲアラッハアルフレート , バウアーマルクス
IPC分类号： H02M7/21
CPC分类号： H02M7/219 , H02M2007/2195 , H03K17/063 , H03K17/6877 , H03K17/74 , H03K2217/0036 , Y02B70/1408
摘要： Rectifier circuits which are usable, instead of diodes, for rectifying alternating voltages, and which, like diodes, form two-terminal networks having a cathode terminal and an anode terminal. The power loss of these rectifier circuits is clearly less that the power loss of silicon p-n diodes. These rectifier circuits also include voltage clamping functions.

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