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1. 发明专利

JP2017225030A 圧電振動子及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017225030A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2016119950
申请日：2016-06-16
申请人：株式会社村田製作所
发明人：河合竜一 , 井原木洋
IPC分类号： H01L23/08 , H01L23/02 , H03H3/02
CPC分类号： H03H9/176 , H03H3/02 , H03H9/0519 , H03H9/10 , H03H9/1021 , H03H2003/022
摘要：【課題】圧電振動素子の接合強度が向上する圧電振動子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】圧電振動子の製造方法は、(a)第1主面12と第2主面14を有するセラミック基板10に貫通孔20を形成すること、(b)セラミック基板に貫通孔を充填するビア導体30とビア導体と接続される接続電極下地層32aと枠状に設けられた封止枠下地層34aとを形成すること、(c)セラミック基板を、ビア導体、接続電極下地層、及び封止枠下地層とともに焼成すること、(d)セラミック基板を第1主面側及び第2主面側から押圧することによって、接続電極下地層の表面と封止枠下地層の表面とを平坦化すること、(e)めっき処理を行い、接続電極下地層を含む接続電極と封止枠下地層を含む封止枠とを形成すること、(f)圧電振動素子60を導電性保持部材を介して接続電極上に載置すること、(g)蓋部材70をセラミック基板に接合すること、を含む。【選択図】図2

2. 发明专利

JPWO2008090758A1 共振アクチュエータ有权
公开(公告)号：JPWO2008090758A1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：JP2008555009
申请日：2008-01-09
申请人：株式会社村田製作所
发明人：小川　弘純 , 弘純小川 , 慎一郎川田 , 慎一郎川田
IPC分类号： H01L41/09 , C04B35/00 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/24 , H02N2/00
CPC分类号： H03H9/176 , H01L41/0475 , H01L41/0986 , H01L41/1878
摘要：圧電セラミック素体1はビスマス層状化合物からなると共に、棒状に形成されている。圧電セラミック素体1の振動方向Bの両端面に主電極2a、2bが設けられ、圧電セラミック素体1の側面中央部に接続電極3a、3bが形成されると共に、接続電極3a、3bと主電極2a、2bとが引出導体4a、4bを介して電気的に接続されている。そして、振動方向Bと分極方向Aとが同一方向とされて共振周波数又はその近傍の周波数で駆動する。また。圧電セラミック素体1は、結晶軸のc軸が分極方向Aと直交する方向に配向しているのが好ましい。これにより、大きな機械的品質係数Qmを有することによって大きな振動速度の取得を可能とし、かつ機械的要因で振動が阻害されることのない共振アクチュエータを実現する。

3. 发明专利

JP4223960B2 Transition metal oxide nanowires, and the device that contains it 有权
公开(公告)号：JP4223960B2
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：JP2003554575
申请日：2002-07-22
申请人：プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ
发明人：ジェイアーバン，ジェフリー , グ，キアン , パーク，ホンクン , スーユン，ワン , エムリーバー，チャールズ
IPC分类号： B82B1/00 , C01G23/00 , C01G25/00 , C01G45/00 , C01G45/12 , H01L41/09 , H01L41/18 , H03H9/17
CPC分类号： H01L41/1136 , B82Y30/00 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G25/00 , C01G25/006 , C01G45/1264 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/12 , C01P2004/16 , C01P2004/50 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C04B35/62231 , C04B35/6225 , C04B35/62259 , C04B35/6264 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3296 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/526 , C04B2235/5264 , H01L41/082 , H01L41/094 , H01L41/18 , H03H9/176 , H03H2009/02165 , H03H2009/241
摘要： Nanowires are disclosed which comprise transition metal oxides. The transition metal oxides may include oxides of group II, group III, group IV and lanthanide metals. Also disclosed are methods for making nanowires which comprise injecting decomposition agents into a solution comprising solvents and metallic alkoxide or metallic salt precursors.

4. 发明专利

JP3947443B2 Boards and electronic devices for electronic devices 有权
公开(公告)号：JP3947443B2
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：JP2002254790
申请日：2002-08-30
申请人： Tdk株式会社
发明人：喜就山下 , 久俊斉藤 , 隆男野口 , 秀典阿部
IPC分类号： C30B29/68 , H01L41/08 , H01L21/20 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/365 , H01L29/04 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L41/39 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC分类号： H03H3/02 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02609 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L29/045 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L2224/48091 , H03H9/02015 , H03H9/02133 , H03H9/174 , H03H9/176 , H01L2924/00014
摘要： An electronic device substrate structure including a substrate 2, a metal thin film 4 as a (111)-oriented film of a face-centered cubic structure or as a (0001)-oriented film of a hexagonal closest packed structure formed on the substrate 2, and a wurtzite type thin film 5 as a (0001)-oriented film of a wurtzite crystal structure formed on the metal thin film 4, wherein: each of the two thin films is a polycrystalline film containing at least two kinds of crystal grains different in direction of crystal orientation in the plane; when the metal thin film 4 is a (111)-oriented film, axes in the plane of the wurtzite type thin film 5 are parallel to axes in the plane of the metal thin film 4; and when the metal thin film 4 is a (0001)-oriented film, axes in the plane of the wurtzite type thin film 5 are parallel to axes in the plane of the metal thin film 4.

5. 发明专利

JP3839492B2 The thin-film piezoelectric element 失效
公开(公告)号：JP3839492B2
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：JP54540398
申请日：1997-04-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：幸一郎三須 , 俊平亀山 , 修三和高 , 友則木村 , 勉永塚
IPC分类号： H01L41/09 , H01L27/20 , H03H3/04 , H03H3/10 , H03H9/05 , H03H9/13 , H03H9/17 , H03H9/56
CPC分类号： H03H9/564 , H03H3/04 , H03H9/0542 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/176 , H03H9/562 , Y10T29/42

6. 发明专利

JP6311854B2 振動装置有权
公开(公告)号：JP6311854B2
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：JP2017564157
申请日：2017-01-13
申请人：株式会社村田製作所
发明人：加賀山健司 , 西井崇浩 , 尾原弘明
IPC分类号： B06B1/06
CPC分类号： H03H9/09 , B06B1/06 , H01L41/1876 , H03H9/10 , H03H9/13 , H03H9/176

7. 发明专利

JP5572998B2 The piezoelectric ceramic composition and piezoelectric element 有权
公开(公告)号：JP5572998B2
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：JP2009124252
申请日：2009-05-22
申请人： Tdk株式会社
发明人：大介田中 , 正仁古川 , 岳夫塚田
IPC分类号： C04B35/00 , H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/257 , H01L41/39 , H03H9/17
CPC分类号： H01L41/273 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , H01L41/083 , H01L41/1873 , H01L41/43 , H03H9/176 , H03H9/178
摘要： A piezoelectric ceramic composition including a perovskite-type oxide, wherein the perovskite-type oxide has Na, K, Li, Ba and Sr at the A site and Nb, Ta and Zr at the B site, and has a crystal phase transition in a temperature range of −50 to 150° C., the crystal phase transition being accompanied by an endotherm of no greater than 4 J/g, as well as a piezoelectric element 20 provided with a piezoelectric ceramic 1 that contains the piezoelectric ceramic composition.

8. 发明专利

JP2011004035A Flexural vibration piece, and method for manufacturing flexural vibration piece 审中-公开
标题翻译：挠性振动片，以及制造挠性振动片的方法
公开(公告)号：JP2011004035A
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：JP2009143984
申请日：2009-06-17
申请人： Seiko Epson Corp , セイコーエプソン株式会社
发明人： TAKIZAWA TERUO
IPC分类号： H03H9/19 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/29 , H03H3/02 , H03H9/215
CPC分类号： H03H9/176 , H03H9/21
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flexural vibration piece having a configuration suitable for miniaturization, and to provide a method for manufacturing the flexural vibration piece.SOLUTION: A crystal vibration piece 1 includes: a base part 2; three vibration arms 3 each of which is extended from the base part 2 and has a first surface 6 and a second surface 7 disposed so as to turn to respective directions of flexural vibration; lower electrodes 11 and 12 which are formed on the first and second surfaces 6 and 7 of the vibration arms 3 and are mutually conductively connected; a piezoelectric film 14 formed so as to cover the lower electrodes 11 and 12; and upper electrodes 10 and 13 formed over the piezoelectric film 14. The piezoelectric film 14 (14a1, 14b1 and 14c1) formed over the first surfaces 6 (6a, 6b, and 6c) and the piezoelectric film 14 (14a2, 14b2 and 14c2) formed over the second surfaces 7 (7a, 7b and 7c) have opposite polarization directions with respect to the vibration arms 3 over which the piezoelectric film is formed.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有适于小型化的构造的弯曲振动片，并提供一种制造弯曲振动片的方法。解决方案：晶体振动片1包括：基部2; 三个振动臂3各自从基部2延伸，并且具有第一表面6和第二表面7，第二表面6和第二表面7被设置成转向相应的弯曲方向; 下部电极11和12形成在振动臂3的第一和第二表面6和7上并相互导电连接; 形成为覆盖下部电极11,12的压电体膜14; 形成在压电膜14上的上电极10和13.形成在第一表面6（6a，6b和6c）上的压电膜14（14a1,14b1和14c1）和压电膜14（14a2,14b2和14c2）形成在第二表面7（7a，7b和7c）上的相对于形成压电膜的振动臂3具有相反的偏振方向。

9. 发明专利

JP4373777B2 Piezoelectric device 有权
公开(公告)号：JP4373777B2
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：JP2003433017
申请日：2003-12-26
申请人： Jfeミネラル株式会社 , 敏夫小川 , 株式会社富士セラミックス
发明人：敏夫小川
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/313 , H03H9/17 , H03H9/58 , H04R17/00
CPC分类号： H01L41/094 , H01L41/18 , H03H9/176 , H03H9/585
摘要： The present invention provides a piezoelectric device having an extremely good secular characteristic, which is a unimorph (or bimorph) element obtained by sticking to a metal plate a piezoelectric single crystal having a giant-lateral-effect piezoelectric performance of a lateral-vibration-mode electromechanical coupling factor k 31 not smaller than 70%, the unimorph (or bimorph) element having a bending-vibration-mode electromechanical coupling factor k b not smaller than 50 % (or 60 %). A plate-form single crystal 10 of PZNT or PMNT is brought into a mono-domain in its thickness direction and in its plate surface so as to be provided with the giant-lateral-effect piezoelectric characteristic, and the single crystal 10 that does not cause secular deterioration is stuck to a metal plate 20 (shim plate) while the mono-domain quality is kept as it is, as a result of which a unimorph 1 (or bimorph 2) is fabricated.

10. 发明专利

JP3944372B2 The piezoelectric thin film vibrator and the variable frequency resonator using the same 有权
公开(公告)号：JP3944372B2
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：JP2001288763
申请日：2001-09-21
申请人：株式会社東芝
发明人：恭章安本 , 亮一尾原 , 隆川久保 , 直子梁瀬 , 達雄清水 , 和秀阿部
IPC分类号： H01L41/09 , H03H9/17 , H01L41/18 , H03B5/36 , H03H9/13 , H03H9/58
CPC分类号： H03H9/176 , H03B5/366 , H03H9/173 , H03H9/175

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