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1. 发明专利

JP2018110381A 製造中の水侵入を防止する電子デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018110381A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2017231513
申请日：2017-12-01
申请人：スカイワークスソリューションズ,インコーポレイテッド , SKYWORKS SOLUTIONS,INC.
发明人：鷹野敦
IPC分类号： H01L23/02 , H03H9/02 , H03H3/02
CPC分类号： H03H9/1035 , B23K1/0016 , B23K20/16 , B23K26/382 , B23K26/402 , B23K2101/36 , B23K2101/42 , B23K2103/172 , H01L21/187 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L41/313 , H01L41/337 , H01L41/338 , H01L2224/83096 , H01L2224/8312 , H01L2224/83825 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H03H3/02 , H03H9/0523 , H03H9/17 , H03H9/171 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/706 , H03H2003/021
摘要：【課題】歩留まりを向上させ、サイクルタイムを短縮し、スルーホール形成プロセス中のオーバーエッチングを防止する電子デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】電子デバイスは、底面10aに配置された電子回路18を取り囲む第1側壁33を有する第1基板10と、頂面20aに形成された所定高さの第2側壁34を有する第2基板20とを含む。第2側壁は、第1側壁に位置合わせされて接合され、第1基板の底面としての第1ウェハの底面に第1側壁を形成するとともに、周縁に沿って所定高さの第1封止部を形成することと、第2基板の頂面としての第2ウェハの頂面に第2側壁を形成するとともに、周縁に沿って所定高さの第2封止部を形成することと、第1ウェハと第2ウェハとを互いに位置合わせして接合することとを含む。第1封止部及び第1側壁はそれぞれ、液相拡散接合によって第2封止部及び第2側壁に接合される。【選択図】図3

2. 发明专利

JP2018085651A 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ审中-公开
公开(公告)号：JP2018085651A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2016228266
申请日：2016-11-24
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：堤潤 , 坂下武
IPC分类号： H03H9/54 , H03H9/70 , H03H9/17
CPC分类号： H03H9/175 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/0523 , H03H9/0571 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H9/706 , H03H2003/021
摘要：【課題】圧電薄膜共振器の耐湿性を高めること。【解決手段】本願発明は、基板10と、前記基板10上に設けられ、貫通する貫通孔35を有する圧電膜14と、前記圧電膜14の少なくとも一部を挟んで対向した下部電極12および上部電極16と、前記圧電膜14の上面、前記圧電膜14の側面および前記貫通孔35の内面を覆う保護膜20と、を具備する圧電薄膜共振器である。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018023142A 導波路層を備えるマイクロ音響デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018023142A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2017176733
申请日：2017-09-14
申请人：スナップトラック・インコーポレーテッド
发明人：フィリップミハエルイェーガー , ウルリケレースラー , マルクスハウザー , ヴェルナールイーレ , マティアスホナル
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/17 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02228 , H03H9/02574 , H03H9/175
摘要：【課題】周波数の温度係数および/または導波路特性に関して改良された、導波路層およびこれに隣接する外套層を有するマイクロ音響デバイスを提供する。【解決手段】異常熱機械挙動をもつ材料を含むガラス層を導波路層として有している導波路を備えたマイクロ音響デバイスは、第1の外套層M1と、その上に配置された導波路層WLとを含む。第1の外套層は、圧電層または圧電基板である。音響波を励起する為に、第1の外套層M1と導波路層WLとの間には、インターディジタル式に製作された電極E1が配置されている。このマイクロ音響デバイスは、たとえばニオブ酸リチウム基板またはタンタル酸リチウム基板の上のSAWデバイスである。導波路層WLは、主成分が中心周波数の負の温度係数をもつ材料であり、ガラス状の材料を含んでいる。【選択図】図1A

4. 发明专利

JP5872002B2 保護された共振器有权
标题翻译：受保护的谐振器
公开(公告)号：JP5872002B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2014168932
申请日：2014-08-22
申请人：サイマティクスラボラトリーズコーポレーション
发明人：シンハ,ラジャリシ , カーリー,エル.,リチャード , チョマス,ルイ , サファー,ヒューゴ
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H01L41/0533 , H03H9/02086 , H03H9/02102 , H03H9/02133 , H03H9/02149 , H03H9/0557 , H03H9/1007 , H03H9/105 , H03H9/175

5. 发明专利

JP2015095728A 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ有权
标题翻译：压电薄膜共振器，滤波器和双工器
公开(公告)号：JP2015095728A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013233420
申请日：2013-11-11
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：谷口眞司 , 西原時弘 , 横山剛 , 坂下武
IPC分类号： H03H9/70 , H03H9/54 , H03H9/17
CPC分类号： H03H9/173 , H03H9/02118 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H9/706
摘要：【課題】圧電薄膜共振器のQ値を向上させ、かつ、スプリアスを抑制すること。【解決手段】基板10と、前記基板上に設けられた圧電膜14と、前記圧電膜の少なくとも一部を挟んで対向した下部電極12および上部電極16と、前記圧電膜中に挿入され、前記圧電膜を挟み前記下部電極と前記上部電極とが対向する共振領域50内の外周領域52に設けられ、前記共振領域の中央領域54には設けられておらず、前記共振領域内に切欠き58が形成された挿入膜28と、を具備する圧電薄膜共振器。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提高压电薄膜谐振器的Q值，同时抑制杂散。解决方案：压电薄膜谐振器包括衬底10，设置在衬底上的压电膜14，下电极12和上电极 16相互面对，同时至少部分地夹持压电膜;以及插入膜28，插入到压电膜中，并且设置在谐振区域50内的外周区域52中，在共振区域50中下电极和上电极彼此面对压电膜，但不设置在谐振区域的中心区域54中，并且在共振区域中形成有凹口58。

6. 发明专利

JPWO2013061926A1 弾性表面波装置有权
标题翻译：所述的表面声波装置
公开(公告)号：JPWO2013061926A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013540769
申请日：2012-10-22
申请人：株式会社村田製作所
发明人：神藤　始 , 始神藤 , 岡田　圭司 , 圭司岡田
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/145 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/64 , H03H9/0042 , H03H9/02535 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02622 , H03H9/02834 , H03H9/02866 , H03H9/0585 , H03H9/14594 , H03H9/175 , H03H9/6433 , H03H9/6483 , H03H9/725
摘要：付加容量を接続せずとも帯域幅を調整することができ、しかも伝搬損失が十分に小さい弾性表面波装置を得る。カット角が同じ圧電体4を用いて複数の弾性表面波素子2,3が形成されており、各弾性表面波素子2,3において、少なくとも1つの弾性表面波素子2における弾性表面波の伝搬方位X1が、他の少なくとも1つの弾性表面波素子3における弾性表面波の伝搬方位X2と異なっており、かつ弾性表面波素子2,3において、圧電体4の電極形成面とは反対側の面に弾性表面波を圧電体4側に閉じ込める閉じ込め層12が形成されている、弾性表面波装置1。
摘要翻译：在不连接的附加电容可调节的带宽，但获得了足够小的表面声波器件的传播损耗。使用切割角是相同的压电部件4具有多个表面声波元件2和3中的表面声波元件2和3上形成，在表面声波元件2的表面声波中的至少一个传播方向 X1是从在其它的所述至少一个声表面波元件3的表面声波的传播方向X2不同，并且表面声波元件2和3，在相对的一侧到压电部件4的电极形成面在压电体4侧限制层12局限表面声波被形成时，表面声波装置1。

7. 发明专利

JP2014239392A 弾性波デバイス有权
标题翻译：声波设备
公开(公告)号：JP2014239392A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013122085
申请日：2013-06-10
申请人：太陽誘電株式会社 , Taiyo Yuden Co Ltd
发明人： TANIGUCHI SHINJI , NISHIHARA TOKIHIRO
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/02102 , H03H9/173 , H03H9/175
摘要：【課題】良好な共振特性を得ること。【解決手段】本発明は、基板10上に設けられた圧電膜18と、圧電膜18を挟んで対向した下部電極16および上部電極20と、下部電極16および上部電極20の少なくとも一方の圧電膜18に対して反対側の面に設けられ、圧電膜18の弾性定数の温度係数とは逆符号の温度係数の弾性定数を有する温度補償膜14と、温度補償膜14の圧電膜18に対して反対側の面に設けられ、温度補償膜14よりも高い音響インピーダンスを有する付加膜12と、を備える弾性波デバイスである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：获得优异的共振特性。解决方案：声波装置包括设置在基板10，下电极16和上电极20之间的压电膜18，同时将压电膜18保持在其间，温度补偿膜14设置在压电膜18的相反侧的下电极16和上电极20中的至少一个的表面上，并且具有与压电膜18相反的代码的温度系数的弹性常数，以及设置在压电膜18的背面的温度补偿膜14的表面上并具有高于温度补偿膜14的声阻抗的附加膜12。

8. 发明专利

JP2014161001A Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer 有权
标题翻译：压电薄膜共振器，滤波器和双工器
公开(公告)号：JP2014161001A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：JP2013104567
申请日：2013-05-16
申请人： Taiyo Yuden Co Ltd , 太陽誘電株式会社
发明人： NISHIHARA TOKIHIRO , SAKASHITA TAKESHI
IPC分类号： H03H9/17 , H03H9/54 , H03H9/70
CPC分类号： H03H9/70 , H03H9/02015 , H03H9/02047 , H03H9/02118 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H9/588 , H03H9/589
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a Q value of a piezoelectric thin film resonator.SOLUTION: A piezoelectric thin film resonator includes: a substrate 10; a piezoelectric film 14 provided on the substrate; a lower electrode 12 and an upper electrode 16 which face each other with at least a part of the piezoelectric film sandwiched therebetween; and an insertion film 28 which is inserted into the piezoelectric film, is provided in at least a part of an outer peripheral region 52 in a resonance region 50 where the lower electrode and the upper electrode face each other sandwiching the piezoelectric film therebetween, and is not provided in a center region 54 of the resonance region.
摘要翻译：要解决的问题：提高压电薄膜谐振器的Q值。解决方案：压电薄膜谐振器包括：基板10; 设置在基板上的压电膜14; 下部电极12和上部电极16，其中压电薄膜的至少一部分夹在它们之间彼此面对; 并且在共振区域50的外周区域52的至少一部分中设置有插入压电膜的插入膜28，其中下电极和上电极彼此面对夹在其间的压电膜，并且是不设置在谐振区域的中心区域54中。

9. 发明专利

JP2014121025A Piezoelectric thin film resonator 有权
标题翻译：压电薄膜共振器
公开(公告)号：JP2014121025A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：JP2012276177
申请日：2012-12-18
申请人： Taiyo Yuden Co Ltd , 太陽誘電株式会社
发明人： ONDA YOSUKE
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187
CPC分类号： H03H9/173 , H01L41/187 , H01L41/316 , H03H9/02015 , H03H9/174 , H03H9/175
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress deterioration of characteristics such as a Q value or a coupling factor.SOLUTION: A piezoelectric thin film resonator comprises: a piezoelectric film 14 comprising a substrate 10, a first film 14a disposed on the substrate 10 and comprising an aluminum nitride film containing an additive element, and a second film 14b disposed on a top face and bottom face of the first film 14a and comprising an aluminum nitride film having lower concentration of the additive element than that of the first film 14a; and a bottom electrode 12 and an upper electrode 16 disposed across the piezoelectric film 14.
摘要翻译：要解决的问题：抑制诸如Q值或耦合因子等特性的劣化。解决方案：压电薄膜谐振器包括：压电膜14，包括基板10，设置在基板10上的第一膜14a，含有添加元素的氮化铝膜和设置在第一膜14a的顶面和底面上的第二膜14b，并且包括比第一膜14a低的添加元素浓度较低的氮化铝膜; 以及设置在压电膜14两端的底部电极12和上部电极16。

10. 发明专利

JP5032494B2 Resonator operating with acoustic bulk wave 有权
公开(公告)号：JP5032494B2
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：JP2008542601
申请日：2006-12-04
申请人：エプコスアクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
发明人：シュミートハマーエドガー , ティッカパシ , ハインツェハッボ
IPC分类号： H03H9/54 , H01L41/09 , H01L41/18 , H03H9/17
CPC分类号： H03H9/02007 , H03H9/0095 , H03H9/02102 , H03H9/02118 , H03H9/175 , H03H9/589 , H03H9/605 , H03H2003/0414

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