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1. 发明专利

JP2021175061A 交流増幅器审中-公开
公开(公告)号：JP2021175061A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020076382
申请日：2020-04-22
申请人：インターチップ株式会社
发明人：神谷昌明
IPC分类号： H03B5/36 , H03F3/26
摘要：【課題】発振状態の消費電流を低減した交流増幅器を提供する。【解決手段】本発明は、第1のPMOSトランジスタ、第1のNMOSトランジスタおよび第2のNMOSトランジスタを含む交流増幅器であって、前記第1のPMOSトランジスタと前記第1のNMOSトランジスタの各ドレインを接続して増幅回路の出力ノードとし、前記第1のNMOSトランジスタのゲートは、キャパシタンスを介して前記第1のPMOSトランジスタのゲートに接続されるとともに、抵抗を介して前記出力ノードに接続しており、前記第1のPMOSトランジスタのゲートまたは前記第1のNMOSトランジスタのゲートのどちらか一方を増幅回路の入力ノードとし、前記第2のNMOSトランジスタは閾値電圧以下のゲート電圧にバイアスされており、前記第1のPMOSトランジスタのゲートが前記第2のNMOSトランジスタのドレインに接続していることを特徴とする交流増幅器である。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6728652B2 回路装置、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法有权
公开(公告)号：JP6728652B2
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：JP2015232844
申请日：2015-11-30
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：服部雅史
IPC分类号： H03L1/02 , H03B5/36 , H03K3/011 , H03K3/02 , H03B5/32

3. 发明专利

JP2019125796A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019125796A
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：JP2019034606
申请日：2019-02-27
申请人：ラピスセミコンダクタ株式会社
发明人：武政憲吾 , 吉田裕一 , 曽根紀久 , 山田和也 , 竹井彰啓
IPC分类号： H01L21/60 , H03B5/36 , H01L21/56
摘要：【課題】発振子と集積回路とを配置したリードフレームを、樹脂中に空洞を発生させることなく樹脂封止でき、また、樹脂封止中にリードフレームが上下方向に変位するのを効果的に防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ダイパッドの上面に発振子を設ける工程と、ダイパッドの下面に集積回路を設ける工程と、ダイパッドから離隔したリードの下面との間に開口を介して設けられた第1部分を有する金型の内部に、ダイパッド、発振子及び集積回路を配置する工程と、開口から金型の内部に樹脂を注入する工程と、を有する。【選択図】図7

4. 发明专利

JP6344544B2 発振器の製造方法、半導体回路装置の製造方法及び半導体回路装置有权
公开(公告)号：JP6344544B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2013233039
申请日：2013-11-11
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：石川匡亨 , 板坂洋佑 , 山本壮洋 , 福澤晃弘
IPC分类号： H03B5/36 , H03B5/32
CPC分类号： H03H9/0547 , G01R31/2824 , H03B5/32 , Y10T29/41

5. 发明专利

JP2017120995A 発振回路审中-公开
公开(公告)号：JP2017120995A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2015256873
申请日：2015-12-28
申请人：セイコーNPC株式会社
发明人：地主活也 , 兼八薫
IPC分类号： H03B5/36 , H03B5/32
摘要：【課題】高周波での負性抵抗の確保を容易にし、安定した発振起動を可能にする発振回路を提供する。【課題の解決手段】直流利得を決定する利得段アンプ8と、負荷駆動能力を決定する電流駆動段アンプ13で主に構成されており、水晶共振子1の出力電極2は、利得段アンプ8の入力端6に接続され、且つ負荷容量CGを介して接地電位(GND)に接続されている。また、利得段アンプ8の出力端7は、電流駆動段アンプ13の入力端11と接続され、そして容量CBEを介して電流駆動段アンプ13の出力端12と接続され、且つ帰還抵抗RFを介して水晶共振子1の出力電極2と接続されている。そして、水晶共振子1の入力電極3は、制限抵抗RDを介して電流駆動段アンプ13の出力端12と接続され、且つ負荷容量CDを介して接地電位(GND)に接続されている。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2017103511A 回路装置、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017103511A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015232844
申请日：2015-11-30
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：服部雅史
IPC分类号： H03L1/02 , H03B5/36 , H03K3/011 , H03K3/02 , H03B5/32
CPC分类号： H03L1/026 , H03B5/32 , H03L1/04 , H03L7/08 , H03L7/091 , H03L7/093 , H03L7/0992
摘要：【課題】温度特性調整検査において、近似関数の係数等の温度補償用データを高精度に決定できる回路装置、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法等を提供すること。【解決手段】回路装置500は、温度検出データDTDを出力するA/D変換部20と、温度検出データDTDに基づいて発振周波数の温度補償処理を行う温度補償部130と、温度補償部130からの周波数制御データDDSと振動子XTALを用いて、発振信号SSCを生成する発振信号生成回路140と、を含む。通常動作時には、温度補償部130からの周波数制御データDDSが発振信号生成回路140に入力され、通常動作時以外の時には、発振信号生成回路140の出力信号SSCに基づく入力信号SQと基準信号RFSとを比較するPLL回路320により生成されたデータPLDが発振信号生成回路140に入力される。【選択図】図4

7. 发明专利

JP2016116031A 発振器审中-公开
标题翻译：振荡器
公开(公告)号：JP2016116031A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014252046
申请日：2014-12-12
申请人：株式会社大真空
发明人：重松俊輔
IPC分类号： H03B5/36 , H03B5/32
摘要：【課題】発振周波数の安定度規格が厳しい発振器であっても、レギュレータを使用する必要性を無くし、かつ、レギュレータを使用しないことで雑音信号の影響を無くすことができる発振器を提供する。【解決手段】振動子2と、この振動子2に接続された発振回路3とを備えた発振器1であって、振動子2に直列接続されたバリキャップ5と、バリキャップ5に、電源電圧が変動すると周波数偏差を増加または減少させて所定の周波数偏差特性に調整する調整電圧を印加する調整回路7とを具備している。この調整回路7は、直流電源と接地との間でそれぞれ直列に接続された第1、第2の抵抗R1,R2および第3、第4の抵抗R3,R4を含み、それらの接続中点A,Bがバリキャップ5の両端に接続されている。各抵抗R1〜R4の抵抗値は、前記調整電圧をバリキャップのアノード・カソード間に印加できる値に調整されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种振荡器，即使振荡频率的稳定性标准严格，也能够消除使用调节器的需要，从而能够通过不使用调节器来消除噪声信号的影响。解决方案：振荡器包括振动器2的振动电路3和与振动器2连接的振荡电路3还包括与振动器2串联连接的变容二极管5和用于向变容二极管5施加调节电压并调节到预定频率偏差特性的调节电路7 通过增加或减小电源电压变化时的频率偏差。调整电路7包括分别连接在DC电源和地之间的第一，第二电阻R1，R2和第三，第四电阻R3，R4，其连接中点A，B与变阻器5.电阻器R1-R4的电阻值被调节，使得可以在变容二极管的阳极和阴极之间施加调节电压。选择图：图1

8. 发明专利

JP5771489B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5771489B2
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：JP2011201303
申请日：2011-09-15
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：鈴木早苗
IPC分类号： H03B5/36
CPC分类号： H03B5/04 , H03B5/364 , H03L1/00 , H03L5/00

9. 发明专利

JP5655408B2 集積回路装置有权
标题翻译：集成电路器件
公开(公告)号：JP5655408B2
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2010165598
申请日：2010-07-23
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：実神崎 , 神崎　　実
IPC分类号： H03B5/36

10. 发明专利

JP2014216762A 半導体装置、発振回路及び信号処理システム有权
标题翻译：半导体器件，振荡电路和信号处理系统
公开(公告)号：JP2014216762A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013091368
申请日：2013-04-24
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社 , Renesas Electronics Corp
发明人： OZAWA OSAMU , NISHIOKA SOSHIRO
IPC分类号： H03B5/36 , H03B5/06 , H03B5/32
CPC分类号： H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0082 , H03B2200/0094 , H03B2201/0266
摘要：【課題】特性の異なる様々な圧電振動子を用いて発振信号を生成することが可能な半導体装置及びそれを備えた発振回路を提供すること。【解決手段】一実施の形態によれば、半導体チップ10は、外部に設けられた水晶振動子50の両端がそれぞれ接続される第1及び第2外部端子と、第1及び前記第2外部端子間に設けられた反転増幅器11と、反転増幅器11の出力を入力に帰還する帰還抵抗Rfと、第1外部端子と基準電圧端子GNDとの間に設けられた容量素子CG0と、容量素子CG0に直列に設けられた抵抗素子RG0と、第2外部端子と基準電圧端子GNDとの間に設けられた容量素子CD0と、容量素子CD0に直列に設けられた抵抗素子RD0と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以通过使用具有不同特性的各种压电振动器产生振荡信号的半导体器件和振荡电路。解决方案根据实施例，半导体芯片10包括：第一和第二外部端子分别与设置在外部的石英谐振器50的两端连接; 设置在第一和第二外部端子之间的反相放大器11; 用于将反相放大器11的输出馈送回其输入端的反馈电阻器Rf; 设置在第一外部端子和参考电压端子GND之间的电容元件CG0; 与电容元件CG0串联布置的电阻元件RG0; 设置在第二外部端子和参考电压端子GND之间的电容元件CD0; 以及与电容元件CD0串联布置的电阻元件RD0。

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