专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP4636292B2 Method of manufacturing electronic components and parts 有权
公开(公告)号：JP4636292B2
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：JP2008218053
申请日：2008-08-27
申请人：株式会社村田製作所
发明人：敬岩本 , 太郎西埜
IPC分类号： H03H3/08 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/313 , H03H9/25
CPC分类号： H01L41/319 , H01L41/25 , H01L41/27 , H01L41/29 , H01L41/312 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/02055 , H03H9/02094 , H03H9/02228 , H03H9/02574 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
摘要： A method for manufacturing an electronic component includes a first step of preparing a piezoelectric body with a flat surface, a second step of implanting ions into the piezoelectric body such that an ion-implanted layer is formed in the piezoelectric body, a third step of forming sacrificial layers on the flat surface of the piezoelectric body, a fourth step of forming an insulating body over the flat surface of the piezoelectric body and the sacrificial layers to form a piezoelectric structure, a fifth step of dividing the piezoelectric body at the ion-implanted layer to form a piezoelectric laminar structure in which a piezoelectric film separated from the piezoelectric body is bonded to the insulating body, a sixth step of forming electrodes on portions of a division surface of the piezoelectric film, and a seventh step of removing the sacrificial layers from the piezoelectric laminar structure.

2. 发明专利

JP4451219B2 Crystal oscillator 有权
公开(公告)号：JP4451219B2
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：JP2004165232
申请日：2004-06-03
申请人：日本電波工業株式会社
发明人：正陽中原 , 茂小原 , 貴彦岩崎 , 源和幸喜
IPC分类号： H03H9/19 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H9/10 , H03H9/13 , H03H9/15 , H03H9/17
CPC分类号： H03H9/132 , H03H9/02094 , H03H9/131

3. 发明专利

JP4111139B2 Energy trap type piezoelectric resonator component 有权
公开(公告)号：JP4111139B2
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：JP2004010663
申请日：2004-01-19
申请人：株式会社村田製作所
发明人：雅一吉尾 , 謙一小谷 , 光洋山田
IPC分类号： H03H9/17 , H03H9/02 , H03H9/10
CPC分类号： H03H9/1035 , H03H9/0207 , H03H9/02094 , H03H9/132 , H03H9/177

4. 发明专利

JP2007335977A Electron device 审中-公开
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：JP2007335977A
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：JP2006162552
申请日：2006-06-12
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SANO KENYA , YANASE NAOKO , OHARA RYOICHI , YASUMOTO YASUAKI
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/29
CPC分类号： H04R19/04 , H01L41/0477 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H03H9/02094 , H03H9/13 , H03H9/131 , H03H9/173 , H03H9/174 , H04R17/02 , H04R2201/003
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron device that has low resistance, suppresses the occurrence of a hillock and a void, and has an electrode with a high orientation property. SOLUTION: The electron device has a lower electrode, a piezoelectric film provided on the lower electrode, and an upper electrode provided on the piezoelectric film. In this case, at least one of the lower and upper electrodes uses aluminum as a main constituent, and is made of alloy to which at least one is added as selected from a group comprising Ni, Co, V, Ta, Mo, W, Ti, Y, and Nd. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有低电阻的电子器件，抑制了小丘和空隙的发生，并且具有高取向性的电极。解决方案：电子器件具有下电极，设置在下电极上的压电膜和设置在压电膜上的上电极。在这种情况下，下电极和上电极中的至少一个使用铝作为主要成分，并且由选自Ni，Co，V，Ta，Mo，W中的至少一种的合金制成， Ti，Y和Nd。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JPWO2004114521A1 弾性表面波装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2004114521A1
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：JP2005507182
申请日：2004-04-05
申请人：株式会社村田製作所
发明人：拓生羽田 , 拓生羽田 , 中尾　武志 , 武志中尾 , 門田　道雄 , 道雄門田 , 中川原　修 , 修中川原
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/02 , H03H9/25 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/25 , H03H9/009 , H03H9/02094 , H03H9/02897 , H03H9/02929 , H03H9/02944 , H03H9/14538 , H03H9/6483
摘要： Cuを主成分とするインターデジタル電極を用いた弾性表面波装置であって、耐電力性が著しく改善された弾性表面波装置を提供する。圧電基板2と、圧電基板2上に形成されたインターデジタル電極3とを備え、インターデジタル電極3が、CuまたはCuを主成分とする合金からなる主電極層3aと、主電極層3aと圧電基板2との間に配置されたNiCrを主成分とする密着層3b、あるいはTiを主成分とし、膜厚が18〜60nmの範囲にある密着層3bとを備える、弾性表面波装置1。

6. 发明专利

JPWO2002093549A1 薄膜音響共振器及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2002093549A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：JP2002590142
申请日：2002-05-10
申请人：宇部エレクトロニクス株式会社
发明人：山田　哲夫 , 哲夫山田 , 圭吾長尾 , 圭吾長尾 , 智仙橋本 , 智仙橋本
IPC分类号： H03H9/17 , H04R19/02 , B06B1/06 , G10K11/04 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H9/05 , H03H9/13 , H03H9/56 , H03H9/58 , H04R31/00
CPC分类号： H03H9/173 , B06B1/0644 , G10K11/04 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H2003/021 , H03H2003/0428 , Y10S977/888 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
摘要：シリコンウェーハ(51)の表面に酸化シリコン薄層(53)の形成された基板に、窪み(52)が形成されている。窪み(52)をまたぐように、圧電体層(62)とその両面に接合された下方電極(61)及び上方電極(63)とからなる挟み込み構造体(60)が配置されている。下方電極(61)の上面及びこれと接合されている圧電体層(62)の下面は、高さのRMS変動が25nm以下である。下方電極(61)の厚さは150nm以下である。これにより、電気機械結合係数及び音響品質係数などに優れた高性能の薄膜音響共振器が提供される。

7. 发明专利

JP3515131B2 Surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same 失效
公开(公告)号：JP3515131B2
公开(公告)日：2004-04-05
申请号：JP53945898
申请日：1998-07-28
申请人：株式会社東芝
发明人：薫先灘 , 仁千代間 , 稔川瀬 , 泰男江畑 , 直紀赤堀 , 昌芳越野 , 利幸高木
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02 , H03H9/145 , H03H9/25 , H03H9/64 , H03H9/72
CPC分类号： H03H9/02897 , H01L2224/16225 , H03H3/08 , H03H9/02094 , H03H9/02921 , H03H9/02929 , H03H9/14538 , H03H9/6483 , H03H2250/00

8. 发明专利

JPS5753120A Production of adhesive substrate for precise lapping of thin material 失效
标题翻译：生产用于精细切削材料的粘合基材
公开(公告)号：JPS5753120A
公开(公告)日：1982-03-30
申请号：JP12811480
申请日：1980-09-16
申请人： Citizen Watch Co Ltd
发明人： WATANABE KATSURA
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/02
CPC分类号： H03H9/02094
摘要： PURPOSE:To make high-precision adhesion possible, by producing an adhesive substrate with a wax penetrating layer after the processing for an average uniform roughened surface. CONSTITUTION:After the surface of an adhesive substrate 3 is roughened up to >=10S by the sand blast method, a liquid with a wax or the like 2 dissolved is coated onto grooves 4 uniformly by spray to form the adhesive substrate 3. Next, a work 1 (such as a thin crystal wafer) is put on the adhesive substrate 3, and a constant or more load is applied and the substrate 3 is heated at a temperature higher than the melting point of the wax to cause the wax 2, which is not required for adhesion on the adhesive substrate 3, to penetrate into grooves 4, thereby realizing high-precision adhesion.
摘要翻译：目的：为了使高精度的粘合成为可能，通过在经过平均均匀的粗糙化表面的加工后，制造具有蜡透过层的粘合剂基材。构成：通过喷砂法将粘合剂基材3的表面粗糙化至> = 10S后，将溶解有蜡等的液体2通过喷雾均匀地涂布在凹槽4上，形成粘合基材3.接着，将工件1（例如薄晶片）放在粘合剂基板3上，施加恒定或更大的负荷，并且将基板3在高于蜡的熔点的温度下加热以引起蜡2，粘附在粘合基材3上不需要渗透到槽4中，从而实现高精度的粘合。

9. 发明专利

JP5758999B2 周波数の温度依存性が低減した、弾性波で動作する素子、およびその製造方法有权
标题翻译：的频率的温度依赖性降低，在弹性波中操作的设备，以及它们的制造方法
公开(公告)号：JP5758999B2
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：JP2013523557
申请日：2011-07-25
申请人：エプコスアクチエンゲゼルシャフト , EPCOS AG
发明人：ヴォルフガングザウアー , アンドレアスベルクマン , ミヒャエルヤーコプ , マルクスマイヤー , カール−クリスティアンヴァーグナー , ウルリッヒクナウアー
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/72 , H03H9/64 , H03H3/08 , H03H7/46 , H03H9/145
CPC分类号： H03H9/54 , H03H3/10 , H03H9/02094 , H03H9/02559 , H03H9/02818 , H03H9/02834 , H03H9/1452 , H03H9/70 , H03H9/725 , H03H9/72

10. 发明专利

JP4165347B2 Manufacturing method of the piezoelectric element 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4165347B2
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：JP2003308967
申请日：2003-09-01
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：弘宮澤 , 節也岩下 , 天光樋口
IPC分类号： B41J2/045 , H01L41/09 , B41J2/055 , B41J2/135 , B41J2/14 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/319 , H01L41/39 , H02N2/00 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02 , H03H9/05 , H03H9/17 , H03H9/25
CPC分类号： B41J2/14233 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/02133 , H03H9/0542 , H03H9/172 , H03H9/173 , H03H9/174
摘要： A piezoelectric element includes a piezoelectric material film made of BiFeO 3 . The piezoelectric element can be used in an ink jet recording head which includes a cavity with a variable internal volume, wherein the internal volume of the cavity changes depending on deformation of the piezoelectric material film included in the piezoelectric element.
摘要翻译：压电元件包括由BiFeO 3 3制成的压电材料膜。压电元件可以用在包括具有可变内部体积的空腔的喷墨记录头中，其中腔的内部体积根据包含在压电元件中的压电材料膜的变形而改变。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式