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1. 发明专利

JP2011018784A Semiconductor laser element, driving method thereof, and semiconductor laser device 审中-公开
标题翻译：半导体激光元件及其驱动方法及半导体激光器件
公开(公告)号：JP2011018784A
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：JP2009162617
申请日：2009-07-09
申请人： Sony Corp , Tohoku Univ , ソニー株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人： KURAMOTO MASARU , OKI TOMOYUKI , SUGAWARA TOMOYA , YOKOYAMA HIROYUKI
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/06216 , B82Y20/00 , H01S5/0602 , H01S5/06253 , H01S5/2009 , H01S5/34333
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser element of ultra short pulse and ultra high output, capable of emitting the pulse laser beam having higher peak power notwithstanding simple configuration and structure.SOLUTION: The semiconductor laser element includes (A) a laminated structure including a first compound semiconductor layer 30 containing n-type impurity, an active layer 40 having a quantum well structure, and a second compound semiconductor layer 50 containing p-type impurity, (B) a first electrode 61 connected electrically to the first compound semiconductor layer 30, and (C) a second electrode 62 connected electrically to the second compound semiconductor layer 50. The second compound semiconductor layer 50 is provided with an electron barrier layer 53 whose thickness is 1.5×10m or greater. The semiconductor laser element is driven by the pulse current having a value ten times or more of threshold current.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供超短脉冲和超高输出的半导体激光元件，能够发射具有较高峰值功率的脉冲激光束，尽管结构简单和结构简单。解决方案：半导体激光元件包括（A）层压结构包括含有n型杂质的第一化合物半导体层30，具有量子阱结构的有源层40和含有p型杂质的第二化合物半导体层50，（B）与第一化合物半导体电连接的第一电极61 层30，以及（C）与第二化合物半导体层50电连接的第二电极62.第二化合物半导体层50设置有厚度为1.5×10μm以上的电子势垒层53。半导体激光元件由阈值电流的十倍以上的脉冲电流驱动。

2. 发明专利

JP2018518670A 蛍光寿命分析のための光源审中-公开
公开(公告)号：JP2018518670A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2017560257
申请日：2016-05-20
申请人：クアンタム−エスアイインコーポレイテッド , QUANTUM−SI INCORPORATED
发明人：ロスバーグ、ジョナサンエム. , シックラー、ジェイソンダブリュ. , ウェスト、ローレンスシー. , アフマド、ファイサル , ホアン、ブレンダン , グレン、ポールイー. , シュルツ、ジョナサンシー. , カマラ、ホセ
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/062 , H05B37/02 , G01N21/64
CPC分类号： H01S5/0428 , G01J11/00 , H01S5/0265 , H01S5/0602 , H01S5/06216 , H01S5/22 , H01S5/3086 , H05B33/0815
摘要：短パルス及び超短光パルスを生成するためのコンパクトな光源及び方法が説明される。半導体レーザ又はLEDは、テール発光を抑制した、約85psと短いFWHM持続時間を有する光パルスを発生させるために、バイポーラ波形によって駆動することができる。パルス光源は、他の用途の中でも、生体試料の蛍光寿命分析及び飛行時間イメージングのために使用することができる。

3. 发明专利

JPWO2015076110A1 半導体レーザ素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015076110A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015549063
申请日：2014-11-06
申请人：ソニー株式会社
发明人：伸一和田 , 伸一和田 , 大倉本 , 大倉本 , 秀輝渡邊 , 秀輝渡邊
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/34333 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/065 , H01S5/141 , H01S5/2214
摘要：半導体レーザ素子は、積層構造体、第2電極62及び第1電極61を備え、積層構造体の少なくとも一部から構成されたリッジストライプ構造71が形成され、その両側には、積層構造体から構成された側部構造体72が形成され、第2電極62は、発光領域を経由して第1電極に直流電流を流す第1部分と、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分62Bとに分離されており、少なくとも一方の側部構造体72の第2電極の第2部分62Bに隣接した部分の上には保護電極81が形成されており、第2電極及び保護電極81が形成されていないリッジストライプ構造71の部分の上から側部構造体72の部分の上に亙り、酸化物絶縁材料から成る絶縁膜56が形成されている。

4. 发明专利

JP2010251712A Bi-section semiconductor laser device, method for manufacturing the same, and method for driving the same 审中-公开
标题翻译：双分半导体激光器件，其制造方法及其驱动方法
公开(公告)号：JP2010251712A
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2010031299
申请日：2010-02-16
申请人： Sony Corp , Tohoku Univ , ソニー株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人： WATANABE HIDEKI , MIYAJIMA TAKAO , IKEDA MASAO , OKI TOMOYUKI , KURAMOTO MASARU , YOKOYAMA HIROYUKI
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/026 , H01S5/065 , H01S5/22 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device accurately, surely and easily forming a second electrode and a ridge structure separated by a separating groove. SOLUTION: This method for manufacturing a bi-section GaN-based semiconductor laser device includes respective processes of: (A) forming a first compound semiconductor layer 30, a compound semiconductor layer 40 that constitutes a light-emitting region 41 and a saturable absorption region 42, and a second compound semiconductor layer 50; thereafter (B) forming a strip-shaped second electrode 62 on the second compound semiconductor layer 50; then (C) forming a ridge structure by etching at least a part of the second compound semiconductor layer 50 using the second electrode 62 as an etching mask; and thereafter (D) forming a separating groove 62C in the second electrode 62 by a wet etching method, and thereby separating the second electrode into a first portion 62A and a second portion 62B by the separating groove. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了准确地提供半导体激光装置的制造方法，可靠地容易地形成由分离槽分离的第二电极和脊状结构。解决方案：用于制造双相GaN基半导体激光器件的方法包括以下各处理：（A）形成第一化合物半导体层30，构成发光区域41的化合物半导体层40和饱和吸收区域42和第二化合物半导体层50; 此后（B）在第二化合物半导体层50上形成带状的第二电极62; 然后（C）通过使用第二电极62作为蚀刻掩模蚀刻第二化合物半导体层50的至少一部分来形成脊结构; 然后（D）通过湿式蚀刻法在第二电极62中形成分离槽62C，从而通过分离槽将第二电极分离成第一部分62A和第二部分62B。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2010118702A Nitride semiconductor light-emitting device 审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：JP2010118702A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：JP2010040469
申请日：2010-02-25
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： ONO TOMOTERU , ITO SHIGETOSHI , OKUMURA TOSHIYUKI , MORI YUICHI , MATSUDA KYOKO , KAWAKAMI TOSHIYUKI , KAMIKAWA TAKESHI , TANI YOSHIHIKO
IPC分类号： H01S5/065 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01S5/042 , H01S5/06 , H01S5/323
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/32 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/32341
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride semiconductor light-emitting device, having a self-excited oscillation characteristic free from a heat hysteresis during growth and stable and superior in its optical output. SOLUTION: The nitride semiconductor light-emitting device includes at least a substrate, an active layer composed of a nitride semiconductor mainly containing In and Ga, a p-electrode, and an n-electrode, wherein at least one of the p-electrode and the n-electrode is electrically divided into two or more regions. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种氮化物半导体发光器件，其具有在生长期间不具有热滞后的自激振荡特性，并且其光输出稳定且优异。解决方案：氮化物半导体发光器件至少包括衬底，由主要包含In和Ga的氮化物半导体，p电极和n电极组成的有源层，其中p 电极，并且n电极被电分成两个或更多个区域。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP6224514B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6224514B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014093020
申请日：2014-04-28
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：小林隆二 , 小林正英
IPC分类号： H01S5/065
CPC分类号： H01S5/34333 , H01S5/0658 , H01S5/221 , H01S5/2216 , H01S5/321 , H01S5/3407 , H01S5/0602 , H01S5/22

7. 发明专利

JP2014220404A 半導体レーザ装置組立体审中-公开
标题翻译：半导体激光器件组件
公开(公告)号：JP2014220404A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2013099177
申请日：2013-05-09
申请人：ソニー株式会社 , Sony Corp
发明人： KONO SHUNSUKE , KURAMOTO MASARU , KODA RINTARO
IPC分类号： H01S5/065
CPC分类号： H01S5/0657 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/2308 , H01S5/0057 , H01S5/0078 , H01S5/0602 , H01S5/065 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/143 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/40 , H01S5/50
摘要：【課題】モード同期半導体レーザ素子から出射され、半導体光増幅器に入射したレーザ光のパルス時間幅を圧縮するためのパルス圧縮器が不要である半導体レーザ装置組立体を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、モード同期半導体レーザ素子10、及び、モード同期半導体レーザ素子10から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系110から構成されたモード同期半導体レーザ素子組立体、並びに、モード同期半導体レーザ素子組立体から出射されたレーザ光を増幅する、III−V族窒化物系半導体層の積層構造体から成る半導体光増幅器210から構成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体激光装置组件，其不需要脉冲压缩器来压缩从模式同步半导体激光元件发射的激光和入射到半导体光放大器的脉冲时间宽度。解决方案：A 半导体激光装置组件包括：模式同步半导体激光元件组件，其由模式同步半导体激光元件10和色散补偿光学系统110组成，其中从模式同步半导体激光元件10发射的激光入射和发射; 以及放大从模式同步半导体激光元件组件发射的激光并由III-V族氮化物半导体层的叠层结构构成的半导体光放大器210。

8. 发明专利

JP2014053346A Short optical pulse generator, terahertz wave generator, camera, imaging device, and measuring device 审中-公开
标题翻译：短光脉冲发生器，TERAHERTZ波发生器，摄像机，成像装置和测量装置
公开(公告)号：JP2014053346A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2012194838
申请日：2012-09-05
申请人： Seiko Epson Corp , セイコーエプソン株式会社
发明人： NAKAYAMA HITOSHI
IPC分类号： H01S5/026 , G01J3/36 , G01N21/01 , G01N21/35 , G01V3/12 , H01S1/02
CPC分类号： H01S5/343 , B82Y20/00 , G01N21/3581 , G01N21/84 , H01S5/0057 , H01S5/026 , H01S5/0602 , H01S5/0604 , H01S5/065 , H01S5/1032 , H01S5/12 , H01S5/34353 , H04N5/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a short optical pulse generator that can be made compact.SOLUTION: A short optical pulse generator 100 includes an optical pulse generating section 10 having a quantum well structure and generating an optical pulse, a frequency chirping section 12 having a quantum well structure and chirping the frequency of the optical pulse, and a group velocity dispersing section 14 having a plurality of optical waveguides arranged at a mode coupling distance, and generating a group velocity difference corresponding to the wavelength for the optical pulse thus chirped.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以制造得紧凑的短脉冲发生器。解决方案：短光脉冲发生器100包括具有量子阱结构并产生光脉冲的光脉冲发生部分10，频率啁啾部分12具有量子阱结构，并且调制光脉冲的频率，以及组速度分散部分14，其具有以模式耦合距离布置的多个光波导，并且产生对应于如此啁啾的光脉冲的波长的组速度差。

9. 发明专利

JP2013026350A Optical oscillator and recording device 审中-公开
标题翻译：光学振荡器和记录装置
公开(公告)号：JP2013026350A
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：JP2011158321
申请日：2011-07-19
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： FUJITA GORO , MARUYAMA TSUTOMU , KURAMOTO MASARU , WATANABE HIDEKI
IPC分类号： H01S5/065
CPC分类号： G11B7/126 , B82Y20/00 , G11B7/127 , G11B7/1275 , G11B7/128 , G11B2007/00457 , H01S5/0261 , H01S5/0602 , H01S5/06253 , H01S5/06255 , H01S5/0658 , H01S5/34333
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical oscillator which can generate a desired pulse light frequency easily with a simple configuration, and to provide a recording device.SOLUTION: The optical oscillator and the recording device are configured to include a supersaturation absorber 2 having a double quantum well separation confinement heterostructure and applying a negative bias voltage, a self-oscillation semiconductor laser 1 including a gain section 3 for injecting a gain current, and a control unit 38 which controls the gain current being injected into the gain section 3 of the self-oscillation semiconductor laser 1 on the basis of the phase difference between the oscillation light emitted therefrom and a master clock signal, or a control unit 45 which controls the negative bias voltage being applied to the supersaturation absorber 2.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以简单的结构容易地产生期望的脉冲光频率的光学振荡器，并提供一种记录装置。解决方案：光学振荡器和记录装置被配置为包括具有双量子阱分离限制异质结构并施加负偏置电压的过饱和吸收器2，包括增益部分3的自激振荡半导体激光器1，用于注入以及控制单元38，其基于从其发射的振荡光和主时钟信号之间的相位差控制增益电流注入到自激振荡半导体激光器1的增益部分3中，或者控制单元45，其控制施加到过饱和吸收器2的负偏置电压。版权所有（C）2013，JPO和INPIT

10. 发明专利

JP2012015266A Semiconductor optical amplifier 审中-公开
标题翻译：半导体光放大器
公开(公告)号：JP2012015266A
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：JP2010149345
申请日：2010-06-30
申请人： Sony Corp , Tohoku Univ , ソニー株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人： KURAMOTO MASARU , IKEDA MASAO , KODA RINTARO , OKI TOMOYUKI , WATANABE HIDEKI , MIYAJIMA TAKAO , YOKOYAMA HIROYUKI
IPC分类号： H01S5/50 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/1064 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0657 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor optical amplifier composed of a GaN-based compound semiconductor capable of achieving increased light output.SOLUTION: A semiconductor optical amplifier 200 comprises: (a) a laminate structure in which a first compound semiconductor layer composed of a GaN-based compound semiconductor, a third compound semiconductor layer, and a second compound semiconductor layer are sequentially stacked; (b) a second electrode 262 formed on the second compound semiconductor layer; and (c) a first electrode electrically connected to the first compound semiconductor layer. The laminate structure has a ridge stripe structure. When the width of the ridge stripe structure at a light-emitting end surface 203 is Wand the width of the ridge stripe structure at a light incident end surface 201 is W, W>Wis satisfied. In an inner region of the laminate structure from the light-emitting end surface 203 along an axial line AXof the semiconductor optical amplifier, a carrier non-injection region 205 is provided.
摘要翻译：解决的问题：提供一种由能够实现增加的光输出的GaN基化合物半导体组成的半导体光放大器。解决方案：半导体光放大器200包括：（a）层叠结构，其中由GaN基化合物半导体，第三化合物半导体层和第二化合物半导体层构成的第一化合物半导体层依次层叠; （b）形成在第二化合物半导体层上的第二电极262; 和（c）与第一化合物半导体层电连接的第一电极。层叠结构具有脊形条纹结构。当发光端面203处的棱条结构的宽度为W 时，光入射端面201处的脊条结构的宽度为W 中的POS =“POST”>，满足中的输出。在从半导体光放大器的轴线AX 1 的发光端面203的层叠结构的内部区域中，设置载流子非注入区域205。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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