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2. 发明专利

JP6386349B2 不揮発性記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP6386349B2
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2014234951
申请日：2014-11-19
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：関春海 , 石川貴之 , 藤井章輔 , 齋藤真澄
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/085 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148

3. 发明专利

JP6193828B2 不揮発性記憶装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6193828B2
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：JP2014183097
申请日：2014-09-09
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：藤井章輔 , 石川貴之
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L49/00 , H01L45/00 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/14 , H01L27/105 , H01L27/2436 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L49/00 , G11C13/0007

4. 发明专利

JP2015170853A 半導体記憶装置审中-公开
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：JP2015170853A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2015004361
申请日：2015-01-13
申请人：株式会社東芝
发明人：中久保義則 , 小林茂樹 , 山口豪 , 大出裕之 , 大和昌樹
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/2481 , G11C13/0007 , G11C13/0097 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2454
摘要：【課題】データ保持特性に優れた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、基板Sと、互いに交差する第1及び第2の配線、ビット線BL、ワード線WLと、配線間の交点に配置された記憶素子SCと、を持つ。記憶素子SCは、第1の材料を有する上部電極UEと、第1の誘電率を有する抵抗変化膜104と、第2の材料を有する下部電極LEと、第1の誘電率よりも低い第2の誘電率を有する低誘電率102とを有する。上部電極UEはビット線BLに電気的に接続される。抵抗変化膜104は、上部電極上に成膜される。下部電極LEは、抵抗変化膜104の上に形成され、ワード線WLに電気的に接続される。低誘電率膜102は、下部電極LEと抵抗変化膜104との間に配置される。真空準位から第2の材料のフェルミ準位までのエネルギー差は、真空準位から第1の材料のフェルミ準位までのエネルギー差以上である。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种数据保持特性优异的半导体存储装置。解决方案：一种半导体存储装置，包括：基板S，彼此交叉的第一和第二布线，位线BL，字线WL和存储元件排列在第一和第二布线的交点处。存储元件SC包括具有第一材料的上电极UE，具有第一介电常数的电阻变化膜104，具有第二材料的下电极LE和具有低于第一材料的第二介电常数的低介电常数膜102 介电常数。上电极UE电连接到位线BL。电阻变化膜104沉积在上电极上。下电极LE形成在电阻变化膜104上并与字线WL电连接。低介电常数膜102布置在下电极LE和电阻变化膜104之间。与第二材料的真空度相对于费米能级的能量差等于或高于从真空水平到费米等级的第一种材料。

5. 发明专利

JPWO2013137262A1 抵抗変化型記憶装置有权
标题翻译：电阻可变存储器件
公开(公告)号：JPWO2013137262A1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014504932
申请日：2013-03-12
申请人：国立大学法人東京工業大学 , 東芝マテリアル株式会社
发明人：邦之角嶋 , 邦之角嶋 , チュウメンドウ , チュウメンドウ , アヘメト　パールハット , パールハットアヘメト , 洋岩井 , 洋岩井 , 好則片岡 , 好則片岡
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
摘要：オン/オフ比が高い抵抗変化型記憶装置を提供する。実施形態に係る抵抗変化型記憶装置は、第1の元素を含む第1電極と、前記第1電極上に設けられ、前記第1の元素の酸化物を含む抵抗変化層と、前記抵抗変化層上に設けられ、第2の元素及び酸素を含み、酸素イオン伝導性を持ち、比誘電率が前記抵抗変化層の比誘電率よりも高い酸素伝導層と、前記酸素伝導層上に設けられた第2電極と、を備える。そして、前記第1電極と前記第2電極との間の電圧をゼロから連続的に増加させたときに、前記酸素伝導層よりも先に前記抵抗変化層が絶縁破壊する。
摘要翻译：开/关比提供高阻抗可变存储器件。根据本实施例的电阻随机存取存储器装置包括：第一电极，包括第一元件，设置在第一电极上，并且包括所述第一元素的氧化物的电阻变化层，所述电阻变化层在上部，其中，所述第二元素和氧，具有氧离子传导性，相对介电常数是电阻变化层比介电常数更高的氧传导层提供，所提供的氧导电层上包括第二电极。然后，当电压从零所述第一电极和所述第二电极之间连续地增加时，可变电阻层的电介质击穿比氧传导层更早。

8. 发明专利

JP2014103271A Non-volatile storage device 审中-公开
标题翻译：非易失存储器件
公开(公告)号：JP2014103271A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2012254572
申请日：2012-11-20
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： HAIMOTO TAKASHI , ICHIHARA REIKA , MITANI YUICHIRO , KOYAMA MASATO
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/12 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a non-volatile storage device that allows being stably initialized by a low voltage and has uniform characteristics.SOLUTION: There is provided a non-volatile storage device including a semiconductor layer, a conductive layer, and a resistance change layer. The impurity concentration of the semiconductor layer is less than 1×10cm. The resistance change layer is provided between the semiconductor layer and the conductive layer, and contains stationary charges. The resistance change layer is reversibly transitionable between a first state and a second state having a higher resistance than the first state by at least either of a current supplied via the semiconductor layer and the conductive layer and a voltage applied via the semiconductor layer and the conductive layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供允许通过低电压稳定地初始化并具有均匀特性的非易失性存储装置。解决方案：提供了一种非易失性存储装置，包括半导体层，导电层和电阻改变层。半导体层的杂质浓度小于1×10cm。电阻变化层设置在半导体层与导电层之间，并含有固定电荷。电阻变化层通过半导体层和导电层提供的电流中的至少一个以及通过半导体层施加的电压和导电的电压，可以在具有比第一状态更高的电阻的第一状态和第二状态之间可逆地转换层。

9. 发明专利

JP5512700B2 Semiconductor memory device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5512700B2
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：JP2011546116
申请日：2010-12-13
申请人：株式会社日立製作所
发明人：佳孝笹子 , 明生島 , 悟半澤 , 小林　　孝 , 勝治木下 , 則克高浦
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/10 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1666 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2454 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683

10. 发明专利

JP5480233B2 Non-volatile storage device, and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5480233B2
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：JP2011278990
申请日：2011-12-20
申请人：株式会社東芝
发明人：秀彦薮原 , 太志廣谷 , 淳司片岡 , 恒志亀岡
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/148 , H01L45/1675

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