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1. 发明专利

JP2016129081A 再構成可能な回路审中-公开
标题翻译：可重新连接电路
公开(公告)号：JP2016129081A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：JP2015003603
申请日：2015-01-09
申请人：株式会社東芝
发明人：財津光一郎 , 辰村光介 , 小田聖翔
IPC分类号： G11C13/00 , H03K19/173 , G11C29/00
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2013/009 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/77
摘要：【課題】抵抗変化メモリ素子を有する、チップの不良率を低減することができる再構成可能な回路を提供する。【解決手段】信号が入力されるN本の入力配線INと、信号が出力されるM本の出力配線OUTと、N本の入力配線に対応して設けられたN本の、対応する入力配線に接続される、第1配線と、K(>M)本の、N本の第1配線と交差する、第2配線と、第1配線と第2配線との交差領域に設けられた複数の第1抵抗変化素子10と、出力配線と第2配線との間に設けられ、K本の第2配線のうちM本の第2配線を選択し、選択された第2配線を出力配線に接続する選択回路23と、を備えている。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有电阻随机存取存储器的可重构电路，其能够减少有缺陷的芯片的比例。解决方案：可重构电路包括：输入信号的N条输入线IN; M输出信号输出线OUT; N个第一导线，其设置成对应于N个输入线并连接到相应的输入线; K（> M）穿过N条第一根线的第二条线; 设置在第一线和第二线之间的交叉区域中的多个第一电阻变化元件10; 以及选择电路23，其设置在输出线和第二线之间，并且从K个第二线选择M个第二线，并将所选择的第二线连接到输出线。选择图：图7

3. 发明专利

JP2014042040A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014042040A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：JP2013197741
申请日：2013-09-25
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YUGAWA MIKIO , SUGISAWA MARE
IPC分类号： H01L27/28 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L27/112 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L21/84 , H01L24/12 , H01L24/28 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L27/11206 , H01L27/1203 , H01L2223/6677 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/81801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01063 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29075 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce variation in writing behavior among memory elements, and to provide a semiconductor device which is mounted with the memory elements and is excellent in writing characteristics.SOLUTION: Each of the memory elements includes a first conductive layer 110, a metal oxide layer 111, a semiconductor layer 112, an organic compound layer 113, and a second conductive layer 114. The metal oxide layer 111, the semiconductor layer 112, and the organic compound layer 113 are sandwiched between the first conductive layer 110 and the second conductive layer 114. The metal oxide layer 111 is provided in contact with the first conductive layer 110, and the semiconductor layer 112 is provided in contact with the metal oxide layer 111.
摘要翻译：要解决的问题：减少存储元件之间的写入行为的变化，并提供安装有存储元件的半导体器件，并且具有优异的写入特性。解决方案：每个存储元件包括第一导电层110，金属氧化物层111，半导体层112，有机化合物层113和第二导电层114.金属氧化物层111，半导体层112和有机化合物层113夹在第一导电层110和第二导电层114.金属氧化物层111设置成与第一导电层110接触，并且半导体层112设置成与金属氧化物层111接触。

4. 发明专利

JP2013004143A Nonvolatile semiconductor memory device 审中-公开
标题翻译：非易失性半导体存储器件
公开(公告)号：JP2013004143A
公开(公告)日：2013-01-07
申请号：JP2011134325
申请日：2011-06-16
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： TAKASHIMA AKIRA , MIYAGAWA HIDENORI , FUJII AKISUKE , MATSUSHITA DAISUKE
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0097 , G11C13/0002 , G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0088 , G11C2213/33 , G11C2213/77
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of storing a large amount of data in a collective manner at high speed.SOLUTION: A nonvolatile semiconductor memory device has a memory cell array provided with a plurality of memory cells MC including variable resistance elements VR that are connected between bit lines BL0 through BL3 and word lines WL0 through WL3, perform reset operation for changing states thereof from low resistance states to high resistance states and set operation for changing the states thereof from the high resistance states to the low resistance states by applying voltages of polarities different from that of voltages of the reset operation and have reset currents flowing at the reset operation at least by an order of magnitude less than set currents flowing at the set operation. Further, the nonvolatile semiconductor memory device has a controlling circuit that performs the reset operation and the set operation with respect to the plurality of memory cells MC and performs the reset operation with respect to a plurality of second memory cells connected to selected first wiring and to selected second wiring in a collective manner out of a plurality of first memory cells in the low resistance states.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以高速集中地存储大量数据的非易失性半导体存储器件。解决方案：非易失性半导体存储器件具有设置有多个存储单元MC的存储单元阵列，多个存储单元MC包括连接在位线BL0至BL3与字线WL0至WL3之间的可变电阻元件VR，执行用于改变状态的复位操作从低电阻状态到高电阻状态，并且通过施加与复位操作的电压不同的极性的电压来将其状态从高电阻状态改变为低电阻状态的设置操作，并且具有在复位操作中流动的复位电流至少比在设定操作下流动的设定电流小一个数量级。此外，非易失性半导体存储器件具有对多个存储单元MC执行复位操作和设置操作的控制电路，并且针对连接到所选择的第一布线的多个第二存储单元执行复位操作，并且以低电阻状态的多个第一存储单元中的集体方式选择第二布线。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP5072997B2 Information recording device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5072997B2
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：JP2010082875
申请日：2010-03-31
申请人：株式会社東芝
发明人：祐一郎三谷 , 大介松下 , 章輔藤井
IPC分类号： G11B9/04
CPC分类号： H01L45/1641 , G11C11/56 , G11C11/5614 , G11C11/5664 , G11C11/5685 , G11C2213/33 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233

6. 发明专利

JP2012199441A Memory device 有权
标题翻译：内存设备
公开(公告)号：JP2012199441A
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：JP2011063353
申请日：2011-03-22
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： TAKASHIMA AKIRA , MATSUSHITA DAISUKE , YAMAUCHI TAKASHI , MIYAGAWA HIDENORI , KAMIMUTA YUICHI
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/04 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C2213/33 , G11C2213/52 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/148
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce an operating voltage of a memory device in which amorphous silicon is used for a memory unit, and to form the memory device by a low-temperature process.SOLUTION: The memory device according to an embodiment comprises: a first electrode EL1 including a crystallized SiGe(0≤x
摘要翻译：要解决的问题：为了降低将非晶硅用于存储单元的存储器件的工作电压，并通过低温工艺形成存储器件。解决方案：根据实施例的存储器件包括：包括结晶化的Si 1 的第一电极EL1 （0≤x<1）层; 含有金属元素的第二电极EL2; 设置在第一和第二电极EL1和EL2之间并包括非晶Si层的可变电阻单元VR; 以及用于控制在非晶Si层中含有金属元素的长丝的长度的控制电路。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2010532564A 3D read / write cell reverse leakage is reduced and a method of making it 有权
公开(公告)号：JP2010532564A
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：JP2010514766
申请日：2008-06-23
申请人：サンディスクスリーディー,エルエルシー
发明人：クマー，タンメイ , ジェイ．ペティ，クリストファー
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , H01L27/24
摘要：逆方向リークが減少した３次元の読み書きセルとそれを作る方法を開示する。本発明の一実施形態は、半導体ダイオードステアリング素子と、半導体読み書きスイッチング素子とを備える不揮発性記憶装置を提供する。

8. 发明专利

JP2009500867A Non-volatile memory cell that includes a switchable resistor and transistor 有权
公开(公告)号：JP2009500867A
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：JP2008521531
申请日：2006-07-11
申请人：サンディスクスリーディー,エルエルシー
发明人：イー．シャーエウエルライン，ロイ
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1233 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/31 , G11C2213/33 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要：薄膜トランジスタと、切り換え可能な抵抗器メモリ素子とを直列に備える書き換え可能な不揮発性メモリセルが教示される。切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、第１の方向に印加されたセット電圧量を受けると抵抗を減少させ、第１の方向と逆の第２の方向に印加されたリセット電圧量を受けると抵抗を増加させる。好ましい実施形態において、メモリセルは、アレイ、好ましくは、複数のメモリレベルが単一の基板の上に形成されるモノリシックな三次元メモリアレイに形成される。好ましい実施形態において、薄膜トランジスタおよび切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、互いに平行なデータ線と参照線との間に電気的に配置される。好ましくは、データ線および参照線に対して垂直に延びる選択線がトランジスタを制御する。

9. 发明专利

JP3846202B2 Semiconductor non-volatile storage device 有权
公开(公告)号：JP3846202B2
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：JP2001027307
申请日：2001-02-02
申请人：ソニー株式会社
发明人：明中川原 , 通孝窪田 , 良昭萩原 , 英明黒田
IPC分类号： G11C17/12 , H01L27/10 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L21/82 , H01L21/8247 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L29/788
CPC分类号： G11C17/16 , G11C2213/33 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/112 , H01L2224/48091 , H01L2225/06568 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

10. 发明专利

JP2016033843A 不揮発性記憶装置およびその駆動方法审中-公开
标题翻译：非易失存储器件及其驱动方法
公开(公告)号：JP2016033843A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2014184844
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社東芝
发明人：杉前紀久子 , 市原玲華
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , G11C2013/005 , G11C2013/009 , G11C2213/33
摘要：【課題】高信頼性で書き込み動作が実現する不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性記憶装置1は、第1配線層10と、第2配線層20と、第1配線層10と第2配線層20との配線間に設けられた金属イオン源層30と、金属イオン源層30と第1配線層10との間に設けられ、金属イオン源層30から放出される金属イオンがその内部に拡散することが可能な抵抗変化層40と、抵抗変化層40にデータの書き込みを行うセット動作を行う際に、配線間に印加するセット電圧またはセット電圧の印加時間を変え、抵抗変化層40に多値データを書き込み、多値データのそれぞれを読み出す読み込む動作を行う際に、配線間に印加する読み込み電圧の差異に基づいて多値データを読み出す制御回路部80と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种以高可靠性实现写入操作的非易失性存储装置。解决方案：非易失性存储装置包括：第一布线层10; 第二布线层20; 设置在第一布线层10和第二布线层20的布线之间的金属离子源层30; 设置在金属离子源层30和第一布线层10之间并且从金属离子源层30排出的金属离子可以扩散到其内部的电阻变化层40; 以及控制电路单元80，用于当执行用于向电阻变化层40写入数据的设置操作时，改变施加在布线之间的组合或复位电压的持续时间，并将多值数据写入电阻变化层40，以及读取基于在执行用于读出每个多值数据的读取操作时施加到布线之间的读取电压的差异的多值数据的输出。图1

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