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    • 8. 发明专利
    • 多層薄膜セラミック部材を備える電気素子、それを備える電気部品、およびその用途
    • JP2021524153A
    • 2021-09-09
    • JP2020560240
    • 2019-05-07
    • ザール テクノロジー リミテッドXAAR TECHNOLOGY LIMITED
    • マルディロビッチ ピーターコー ソン ウォントロリエ マッキンストリー スーザンフラグキアダキス ハラランポスジュー ワンリン
    • H01L41/09H01L41/083H01L41/047C01G33/00C01G45/00C01G25/00C04B35/491C04B35/624H01L41/187
    • 本発明は、微小電気機械システムでの用途に好適な圧電/電歪特性を示す誘電体である多層薄膜セラミック部材を備える電気素子に関する。一態様では、本発明は、微小電気機械システムで使用するための電気素子であって、電気素子は、 i) 大部分がペルブスカイト相(ABX 3 )からなるセラミック材料の複数の層で形成される薄膜セラミック部材であって、前記薄膜セラミック部材は、第一の面と反対側の第二の面とが厚さ方向に離間している、薄膜セラミック部材と、 ii) 薄膜セラミック部材に隣接して配置される第一および第二の電極であって、動作中に、第一の電極と第二の電極との間および薄膜セラミック部材にわたって電位差が確立されることができるように、互いに対して、第一または第二の電極のうちの一方はより高電位な電極であり、第一および第二の電極の他方はより低電位な電極である、第一および第二の電極と、を備え、 薄膜セラミック部材は、 I)セラミック材料のペロブスカイト結晶構造のヤーン・テラー変形が可能な一つもしくは複数の遷移金属イオン、ならびに/または、II)セラミック材料のペロブスカイト結晶構造のBサイトカチオンと比較して、より低い酸化状態を有する一つもしくはまたは複数の非遷移金属イオン、および/もしくは優先的に還元を受ける一つまたは複数の遷移金属イオン、でドープされる、セラミック材料の第一の層と、 セラミック材料の第一の層に対して定義される一つまたは複数の金属イオンのいずれかでもドープされていないセラミック材料の第二の層と、を備え、 セラミック材料の前記第一の層は、 a) 第一および第二の電極の両方と接触し、第一および第二の電極は両方とも薄膜セラミック部材の第一または第二の面のうちの一方に隣接して配置される、または b) より低電位な電極である第一または第二の電極のうちの一つと接触し、第一および第二の電極は薄膜セラミック部材がその間に挿入されるように、薄膜セラミック部材の厚さにわたって配置される、電気素子を提供する。