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1. 发明专利

JP5302073B2 Solid-state imaging device 有权
公开(公告)号：JP5302073B2
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：JP2009089157
申请日：2009-04-01
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：久則鈴木 , 康人米田 , 堅太郎前田 , 雅治村松
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/335 , H04N5/369 , H04N5/372
CPC分类号： H04N5/37206 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H01L27/14887 , H01L31/113 , H04N5/3592
摘要： In a solid-state imaging device 1, an overflow gate (OFG) 5 has a predetermined electric resistance value, while voltage application units 16, to 16 5 are electrically connected to the OFG 5 at connecting parts 17 1 to 17 5 . Therefore, when voltage values V1 to V5 applied to the connecting parts 17 1 to 17 5 by the voltage application units 16 1 to 16 5 are adjusted, the OFG 5 can yield higher and lower voltage values in its earlier and later stage parts, respectively. As a result, the barrier level (potential) becomes lower and higher in the earlier and later stage parts, so that all the electric charges generated in an earlier stage side region of photoelectric conversion units 2 can be caused to flow out to an overflow drain (OFD) 4, whereby only the electric charges generated in a later stage side region of the photoelectric conversion units 2 can be TDI-transferred.

2. 发明专利

JP2013058753A Incident capacitive sensor 审中-公开
标题翻译：偶发电容式传感器
公开(公告)号：JP2013058753A
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：JP2012195705
申请日：2012-09-06
申请人： Freescale Semiconductor Inc , フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
发明人： MARK D HALL , MEHUL D SHROFF
IPC分类号： H01L31/00 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC分类号： H01L31/119 , G01J5/34 , G01S3/783 , G01T1/24 , H01L31/02327 , H01L31/113
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitive sensor device for measuring radiation.SOLUTION: The device includes two sensor regions and a top plate structure. The sensor regions are made of a material that generates electron-hole pairs when radiation strikes the material. A separation region is located between the two sensor regions. The capacitance between a sensor region and the top plate is dependent upon radiation striking the sensor region. A blocking structure selectively and differentially blocks radiation having a parameter value in some range from the sensor region so as to differentially impact electron-hole pair generation in one sensor region with respect to electron-hole pair generation in the other sensor region at selected angles of incidence of the radiation.
摘要翻译：要解决的问题：提供用于测量辐射的电容式传感器装置。
解决方案：该装置包括两个传感器区域和顶板结构。传感器区域由辐射冲击材料时产生电子 - 空穴对的材料制成。分离区域位于两个传感器区域之间。传感器区域和顶板之间的电容取决于辐射到传感器区域。阻挡结构选择性地并且有差别地阻挡从传感器区域在一定范围内的参数值的辐射，以便在一个传感器区域中相对于另一传感器区域中的电子 - 空穴对产生的电子 - 空穴对产生在选定的角度辐射的发生率。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JPS5714063B2 JPS5714063B2 - 失效
公开(公告)号：JPS5714063B2
公开(公告)日：1982-03-20
申请号：JP11934776
申请日：1976-10-06
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148 , H01L31/113 , H04N5/335 , H04N5/345 , H04N5/357 , H04N5/369 , H04N5/372 , H04N5/374
CPC分类号： H01L31/113 , H01L27/14643

4. 发明专利

JP6121615B2 携帯デバイス用透明光検出素子有权
公开(公告)号：JP6121615B2
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：JP2016505870
申请日：2014-03-28
申请人：ノキアテクノロジーズオーユー , ノキアテクノロジーズオーユー
发明人：アランコッリ , アランコッリ
IPC分类号： B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035218 , H01L31/028 , H01L31/1013 , H01L31/1016 , H01L31/112 , H01L31/113 , Y02E10/547

5. 发明专利

JP2010245103A Solid-state image pickup device 有权
标题翻译：固态图像拾取器件
公开(公告)号：JP2010245103A
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：JP2009089157
申请日：2009-04-01
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
发明人： SUZUKI HISANORI , YONEDA YASUTO , MAEDA KENTARO , MURAMATSU MASAHARU
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/335 , H04N5/369 , H04N5/372
CPC分类号： H04N5/37206 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H01L27/14887 , H01L31/113 , H04N5/3592
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state image pickup device that continuously changes the number of stages of integration for integration exposure. SOLUTION: In the solid-state image pickup device 1, an overflow gate (OFG) 5 has a predetermined electrical resistance, and voltage-applying parts 16 1 to 16 5 are electrically connected to the OFG 5 at connection parts 17 1 to 17 5 . As a result, by adjusting voltages V1 to V5 applied to the connection parts 17 1 to 17 5 by the voltage-applying parts 16 1 to 16 5 , it is possible to raise the voltage developed at the front stage of the OFG 5 and lower the voltage developed at the back stage of the OFG 5. As a result, the barrier level (potential) at the front stage of the OFG 5 is lowered, and the barrier level at the back stage of the OFG 5 is raised, and so all of electric charges generated in a front-stage region of a photoelectric conversion unit 2 are made to flow to an overflow drain (OFD) 4, and only electric charges generated in a back-stage area of the photoelectric conversion unit 2 is TDI transmitted. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种固态图像拾取装置，其连续地改变用于集成曝光的集成级数。解决方案：在固态图像拾取装置1中，溢流门（OFG）5具有预定的电阻，并且施加压力的部件16 至16 5 < SB>在连接部17＆lt; SB＆gt;〜17＆lt; SB＆gt;之间电连接到OFG 5。结果，通过将施加电压部分16 1 的连接部17 1 施加到17 5 的电压V1〜V5调整为 16 5 ，可以提高在OFG 5的前级产生的电压，并降低在OFG 5的后级产生的电压。结果，势垒级（电位）在OFG 5的前级降低，OFG5的后级的阻挡电平上升，所以使在光电转换单元2的前段区域产生的所有电荷流向溢出漏极（OFD）4，并且仅在光电转换单元2的后级区域产生的电荷被传输。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP4296252B2 Photodetection element 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4296252B2
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：JP2005511902
申请日：2004-07-15
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 独立行政法人科学技術振興機構
发明人：和彦松本 , 靖永宗
IPC分类号： H01L31/0248 , H01L27/30 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L51/00 , H01L51/30
CPC分类号： H01L27/307 , B82Y10/00 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/424 , H01L51/428 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , Y02E10/549 , Y10S977/932 , Y10S977/954 , H01L2924/00014
摘要： An optical sensor is characterized by comprising a photoconductive material (1) which generates a carrier (4) inside when irradiated with a light or an electromagnetic wave (3), and carbon nanotube (2), and by sensing the carrier (4), which is generated within the photoconductive material (1) by irradiation of the light or electromagnetic wave (3), through change of electrical conduction of the carbon nanotube (2).
摘要翻译：光学传感器的特征在于包括在用光或电磁波（3）照射时在内部产生载体（4）的光电导材料（1）和碳纳米管（2），并且通过感测载体（4），其通过光或电磁波（3）的照射通过碳纳米管（2）的电导通的改变而在光电导材料（1）内产生。

7. 发明专利

JP2008193087A Image display system 审中-公开
标题翻译：图像显示系统
公开(公告)号：JP2008193087A
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：JP2008020646
申请日：2008-01-31
申请人： Toppoly Optoelectronics Corp , 統寶光電股▲ふん▼有限公司
发明人： TSENG CHANG-HO , SHIH YU-CHUN , HUANG HSUAN-CHIH
IPC分类号： H01L31/10 , G09F9/00 , G09G3/20 , G09G3/30 , G09G3/36
CPC分类号： H01L31/113 , H01L31/167
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image display system which provides a PIN diode, having controllable electrical characteristics. SOLUTION: In the image display system containing a light-emitting element having a plurality of photosensors, each photosensor comprises the PIN diode, including an N-type dope semiconductor region, a P-type dope semiconductor region and an intrinsic semiconductor region formed therebetween, and an isolated control gate covering the intrinsic semiconductor region, wherein the isolated control gate provides the PIN diode, having controllable electrical characteristics with respect to saturation photocurrent under a saturation voltage. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提供具有可控电特性的PIN二极管的图像显示系统。解决方案：在包含具有多个光电传感器的发光元件的图像显示系统中，每个光电传感器包括PIN二极管，包括N型掺杂半导体区域，P型掺杂半导体区域和本征半导体区域以及覆盖本征半导体区域的隔离控制栅极，其中隔离控制栅极提供PIN二极管，其在饱和电压下相对于饱和光电流具有可控的电特性。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2016520438A 携帯デバイス用透明光検出素子有权
标题翻译：用于移动设备的透明光检测元件
公开(公告)号：JP2016520438A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：JP2016505870
申请日：2014-03-28
申请人：ノキアテクノロジーズオーユー , ノキアテクノロジーズオーユー
发明人：アランコッリ , アランコッリ
IPC分类号： B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035218 , H01L31/028 , H01L31/1013 , H01L31/1016 , H01L31/112 , H01L31/113 , Y02E10/547
摘要：グラフェン膜(220)と;第1単層である、前記グラフェン膜(220)に接して配置された第1タイプの量子ドット(230)の第1配列と;第2単層である、前記グラフェン膜(220)に接して配置された第2タイプの量子ドット(230)の第2配列と;前記グラフェン膜(220)の一端に接続された入力電圧源(Vdd)と;前記第1配列の量子ドット(230)と前記第2配列の量子ドット(230)との間のグラフェン膜(220)に接続された出力電圧プローブ(260)を備える、装置。【選択図】図2a
摘要翻译：石墨烯膜和（220）;一个第一单层，布置成与所述石墨烯层（220）接触的第一类型的量子点（230）的第一序列;第二单层，所述石墨烯拍摄第二序列和第二类型（230）布置成与所述（220）接触的量子点;连接到所述输入电压源到（VDD）的一个端部的石墨烯层（220）;所述第一序列的包括量子点（230）的量子点之间的石墨烯膜输出连接在电压探头（220）（260）和所述第二阵列（230），设备。点域2A

9. 发明专利

JPWO2010106800A1 分光装置及びその制御方法有权
公开(公告)号：JPWO2010106800A1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：JP2011504754
申请日：2010-03-17
申请人：国立大学法人豊橋技術科学大学
发明人：澤田　和明 , 和明澤田 , 広康石井 , 広康石井 , 寛一中澤 , 寛一中澤
IPC分类号： G01J3/02 , G01J1/02 , G01J3/443 , G01N21/64 , G01N27/416 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/101 , G01J3/4406 , H01L27/14643 , H01L31/113
摘要：感度の良い分光装置を提供する。入射光により電荷を発生する電荷発生部3と、電荷発生部3の表面から第1の深さまでに発生した電荷を捕獲する第1の状態と、該表面から第2の深さまでに発生した電荷を捕獲する第2の状態とになるよう電荷発生部3を制御する電荷発生制御部と、電荷発生部3で捕獲された電荷量に応じた信号を出力するフローティングディフュージョン部2と、を備える分光装置において、電荷発生部3の電荷井戸105に充填される電荷Cの最低電位Vcを制御することにより、電荷発生部3における電荷獲得深さWを制御する。

10. 发明专利

JP2012038857A Detector and radiation detection system 有权
标题翻译：检测器和辐射检测系统
公开(公告)号：JP2012038857A
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：JP2010176365
申请日：2010-08-05
申请人： Canon Inc , キヤノン株式会社
发明人： ISHII TAKAMASA , MOCHIZUKI CHIORI , WATANABE MINORU , KAWANABE JUN , FUJIYOSHI KENTARO , WAYAMA HIROSHI
IPC分类号： H01L27/146 , A61B6/00 , G01T1/17 , G01T7/00 , H01L27/14
CPC分类号： G01T1/242 , G01T1/24 , H01L27/14636 , H01L27/14663 , H01L31/113 , H04N5/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a detector capable of low-noise operation due to a further reduction in signal wire capacities and high-speed drive due to a further reduction in time constants of drive wires in a detector, especially a detector of laminate type, which is increasingly required of smaller pixel pitch and many more pixels.SOLUTION: The detector includes a conversion device 104 which converts radioactive ray or light into electrical charge and a switching element 105, as well as a plurality of pixels 102 arranged in row and column directions, a drive wire 107 connected to a plurality of switching elements in the row direction, and a signal wire 108 connected to a plurality of switching elements in the column direction, the conversion device 104 being disposed above the switching element 105. The signal wire 108 consists of a conductive layer 208 or 509 buried in an insulation member beneath the uppermost surface of the drive wire 107 which is disposed below the conversion device 104.
摘要翻译：要解决的问题：由于检测器，特别是检测器中的驱动线的时间常数的进一步减少，由于信号线容量的进一步降低和高速驱动，提供能够进行低噪声操作的检测器层叠型，其越来越需要较小的像素间距和更多的像素。解决方案：检测器包括将放射线或光转换成电荷的转换装置104和开关元件105以及以行和列方向布置的多个像素102，连接到多个的驱动线107 的行方向上的开关元件，以及在列方向上连接到多个开关元件的信号线108，转换装置104设置在开关元件105的上方。信号线108由导电层208或509埋入在驱动线107的最上表面下方的绝缘构件，该绝缘构件设置在转换装置104的下方。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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