专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP3790282B2 Bipolar transistor and a method of manufacturing the same 失效
公开(公告)号：JP3790282B2
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：JP14966895
申请日：1995-05-24
申请人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft
发明人：フオムフエルデアンドレアス , マーンコツプラインハルト
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/73 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/12 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L27/0623

2. 发明专利

JP4845357B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4845357B2
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：JP2004246374
申请日：2004-08-26
申请人：ラピスセミコンダクタ株式会社
发明人：浩和藤巻
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/7317

3. 发明专利

JP2005528798A Semiconductor device and method of making the same 审中-公开
公开(公告)号：JP2005528798A
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：JP2004510025
申请日：2003-06-02
申请人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィKoninklijke Philips Electronics N.V.
发明人：ウォルフガングシニット , ハウケポウルマン
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/02 , H01L21/331 , H01L21/762 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L21/76264 , H01L29/7317
摘要：特にシリコン・オン・インシュレータデバイスである半導体デバイス（１００）であって、絶縁物質から構成される少なくとも一つの絶縁分離層（１０）と、前記絶縁分離層（１０）上にもたらされる少なくとも一つのシリコン基板（２０）と、少なくとも一つの低ドープゾーン（３４）を有する、シリコン基板（２０）に組み込まれる少なくとも一つのコンポーネント（３０）と、絶縁分離層（１０）とコンポーネント（３０）との間、特に絶縁分離層（１０）とコンポーネント（３０）の低ドープゾーン（３４）との間にもたらされる少なくとも一つの第一の、特にプレーナ型のメタライゼーション領域（４０）とを有する半導体デバイス（１００）、及びｐｎｐトランジスタのような低ドープコンポーネント（３０）の無故障動作も、絶縁体にもたらされるＳＯＩプロセスで保証される態様で少なくとも一つの半導体デバイス（１００）を製造する方法を改良するために、少なくとも一つの第二の、特にプレーナ型のメタライゼーション領域（４２）が、コンポーネント（３０）の領域、特にコンポーネント（３０）の低ドープゾーン（３４）の領域において、絶縁分離層（１０）から離れて対向するシリコン基板（２０）の側にもたらされることが提案されている。

4. 发明专利

JP3488339B2 Method of manufacturing a lateral bipolar transistor 失效
公开(公告)号：JP3488339B2
公开(公告)日：2004-01-19
申请号：JP12781596
申请日：1996-04-24
申请人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
发明人：ケルバーマルチン
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L21/8228 , H01L21/8238 , H01L21/8248 , H01L21/8249 , H01L21/84 , H01L27/06 , H01L27/082 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/73 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L21/84 , H01L29/7317

5. 发明专利

JP3372557B2 Self-aligned bipolar transistor manufacturing method 失效
公开(公告)号：JP3372557B2
公开(公告)日：2003-02-04
申请号：JP23655791
申请日：1991-09-17
申请人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
发明人：エィチ．エクランドロバート
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L21/84 , H01L27/06 , H01L29/73 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L21/76264 , H01L21/76267 , H01L21/76289 , H01L21/84 , H01L29/66772 , H01L29/7317

6. 发明专利

JP2008539578A A method for manufacturing a bipolar transistor 审中-公开
公开(公告)号：JP2008539578A
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：JP2008508375
申请日：2006-04-24
申请人：エヌエックスピービーヴィ
发明人：デーファンノールトウィボ , ヘイツェンエルウィン , イェーテーエムドンケルスヨハネス
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/76 , H01L21/762 , H01L21/8222 , H01L21/8224 , H01L21/8248 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/082 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/76224 , H01L27/0641 , H01L27/0647 , H01L29/6625 , H01L29/66265 , H01L29/732 , H01L29/735
摘要：本発明は、標準的な浅いトレンチ分離作製方法を適用してバイポーラートランジスターを作製するための方法を提供するものであり、第一トレンチ（５，５０）の中に縦型バイポーラートランジスター（２９）又は横型バイポーラートランジスター（４９）と、第二トレンチ（７，７０）の中に浅いトレンチ分離領域（２７，２７０）を同時に形成する。更に本作製方法は、第一トレンチ（５，５０）の中に縦型バイポーラートランジスター（２７）、第三トレンチの中に横型バイポーラートランジスター（４９）、及び第二トレンチ（７，７０）の中に浅いトレンチ分離領域（２７，２７０）を同時に形成することもある。

7. 发明专利

JP2007067216A Semiconductor device and manufacturing method thereof, and circuit board and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法及其电路板及其制造方法
公开(公告)号：JP2007067216A
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：JP2005252186
申请日：2005-08-31
申请人： Sanyo Electric Co Ltd , 三洋電機株式会社
发明人： UMEMOTO MITSUO
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L23/12 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L29/66265 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/01078 , H01L2924/04941 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having improved connection reliability with a bonding material such as solder, and to provide a manufacturing method thereof. SOLUTION: In this semiconductor device 10A, an active region 20 is formed on the top surface of a semiconductor substrate 11, and the active region is surrounded by a trench 24 having an oxide embedded therein. A through electrode 16 electrically connected to the active region extends from the top surface to the rear surface of the semiconductor substrate. In this case, the lower end of the through hole 16 protrudes to a portion lower than an insulation film 27 for covering the rear surface of the semiconductor substrate 11. Thus, since the through electrode 16 projecting to the outside is embedded in the bonding material in mounting the semiconductor device 10A using the bonding material such as solder, the connection reliability is improved. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种利用诸如焊料的接合材料提高连接可靠性的半导体器件，并提供其制造方法。解决方案：在该半导体器件10A中，在半导体衬底11的顶表面上形成有源区20，并且有源区由其中嵌有氧化物的沟槽24包围。电连接到有源区的贯通电极16从半导体衬底的顶表面延伸到后表面。在这种情况下，通孔16的下端突出到覆盖半导体基板11的后表面的绝缘膜27的下方的部分。因此，由于突出到外侧的贯通电极16嵌入接合材料在使用诸如焊料的接合材料安装半导体器件10A时，提高了连接可靠性。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2006066577A Semiconductor device and its manufacturing method 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2006066577A
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：JP2004246374
申请日：2004-08-26
申请人： Oki Electric Ind Co Ltd , 沖電気工業株式会社
发明人： FUJIMAKI HIROKAZU
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/7317
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a low resistance layer in a good shape at the bottom of a vertical bipolar transistor as the manufacturing method of a semiconductor device.
SOLUTION: The manufacturing method of a semiconductor device comprises a process for preparing a double SOI substrate, a process for forming a deep trench, a process for embedding the deep trench, a process for forming an opening 54, a process for forming a hole 56, a process for depositing polycrystalline silicon layer 80, and a process for forming a bipolar transistor. In the process for forming the opening, dry etching is performed so as to expose a second embedding oxide film 40 at an area 55 wherein a bipolar transistor is formed. In the process for forming the hole, wet etching is performed so as to remove the second embedding oxide film at the area wherein a bipolar transistor is formed. In the process for depositing a polycrystalline silicon layer, a polycrystalline silicon layer is deposited in the opening and the hole which are formed in the above processes and mutually communicated.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在垂直双极晶体管的底部形成良好形状的低电阻层的方法，作为半导体器件的制造方法。解决方案：半导体器件的制造方法包括制备双SOI衬底的方法，用于形成深沟槽的工艺，用于嵌入深沟槽的工艺，用于形成开口54的工艺，形成工艺孔56，沉积多晶硅层80的工艺和形成双极晶体管的工艺。在形成开口的过程中，进行干蚀刻，以便在形成双极晶体管的区域55处露出第二嵌入氧化膜40。在形成孔的过程中，进行湿蚀刻，以便在形成双极晶体管的区域去除第二埋入氧化物膜。在沉积多晶硅层的过程中，多晶硅层沉积在以上述方法形成的开口和孔中并相互通信。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

9. 发明专利

JP3484177B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP3484177B2
公开(公告)日：2004-01-06
申请号：JP2002127217
申请日：2002-04-26
申请人：沖電気工業株式会社
发明人：浩和藤巻
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/225 , H01L21/331 , H01L21/8228 , H01L21/8249 , H01L29/06 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L21/8228 , H01L21/8249 , H01L29/0692 , H01L29/7317

10. 发明专利

JP5569526B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5569526B2
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：JP2011521864
申请日：2010-06-08
申请人：日本電気株式会社
发明人：雅史川中
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/732 , H01L29/0623 , H01L29/66265

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式