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1. 发明专利

JP2017183696A 抵抗率増強領域を有する半導体デバイスおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017183696A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016210646
申请日：2016-10-27
申请人：エヌエックスピーユーエスエイインコーポレイテッド , NXP USA,Inc.
发明人：ダレルヒル , ブルースグリーン
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/26546 , H01L29/1025 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/32 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要：【課題】ドレイン遅延を増加させることなく漏れ電流を低下させる。【解決手段】半導体デバイス100は、上面を含むベース基板102と、ベース基板102の上面に配置された核生成層104と、核生成層104の上方に配置された第1の半導体層106と、第1の半導体層106の上方に配置された第2の半導体層108と、第2の半導体層108において第2の半導体層108の上面に近接するチャネル109と、第1の半導体層106の上面107に近接する上部境界を有する抵抗率増強領域180とを含む。抵抗率増強領域180は、チャネル109からある距離だけ下に位置する上部境界を有する。半導体デバイス100を製造する方法は、一つまたは複数のイオン種を第1の半導体層106を通して注入して抵抗率増強領域180を形成することを含む。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2013153151A Tunnel field-effect transistor and methods for manufacturing the same 有权
标题翻译：隧道场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2013153151A
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：JP2012278855
申请日：2012-12-21
申请人： Imec , アイメックImec
发明人： HANTSCHEL THOMAS , ANN S VERHULST , VANDERVORST WILFRIED , CEDRIC HUYGHEBAERT
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/30 , H01L29/1025 , H01L29/36 , H01L29/66356 , H01L29/7391
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tunnel field-effect transistor with an increased on-current and a decreased leakage current.SOLUTION: A tunnel field effect transistor comprises an interface 4 between a source 2 and a channel 3. The source side of this interface is a layer 5 of a first crystalline semiconductor material 7 doped substantially uniformly with a metal to the solubility level of the metal in the first crystalline material 7. The channel side of the interface 4 is a layer 6 of the first crystalline semiconductor material 6 doped with the metal, the concentration of which decreases with the distance from the interface 4.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有增加的导通电流和降低的漏电流的隧道场效应晶体管。解决方案：隧道场效应晶体管包括在源极2和沟道3之间的接口4.该源的源极侧界面是第一结晶半导体材料7的层5，其基本上均匀地掺杂有金属，使得金属在第一结晶材料7中的溶解度水平。界面4的沟道侧是第一晶体半导体材料6的层6 掺杂金属，其浓度随着与界面4的距离而减小。

3. 发明专利

JP2006518543A Distributed growth of the nanotubes on a substrate 审中-公开
公开(公告)号：JP2006518543A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：JP2004548280
申请日：2003-06-20
申请人：ナノミックス・インコーポレーテッド
发明人：ガブリエル，ジャン−クリストフ , コリンズ，フィリップ , ブラッドリー，キース
IPC分类号： H01L29/06 , B82B3/00 , C01B31/02 , D01F9/12 , D01F9/127 , H01M20060101
CPC分类号： D01F9/12 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , D01F9/127 , H01L29/1025 , H01L29/12 , H01L29/66409 , H01L29/772
摘要：ナノ構造体の分散物を形成する方法、カーボンナノチューブの分布、及びセンサー又はトランジスターのようなナノ構造体デバイスのアレイが記載される。この方法は、基板を用意し、成長促進物質を基板の少なくとも一部に適用し、基板及び成長促進物質をプラズマに暴露し、そして次いで成長促進物質からナノ構造体の分散物を形成することを含む。プラズマは、成長促進物質を約１ｎｍないし５０ｎｍの大きさの個別の単離した成長促進物質のナノ粒子として基板上に分散する。ナノ構造体デバイスのアレイは、ナノ構造体の分散物及びナノ構造体と接触した電極のアレイを含む。ナノ構造体は、ナノ構造体を含有する領域を残してある区域から除去されて、二つ又はそれより多い電極間の電気的伝達を与え、このようにしてナノ構造体デバイスのアレイを形成する。

4. 发明专利

JPS59150474K1 JPS59150474K1 - 失效
公开(公告)号：JPS59150474K1
公开(公告)日：1984-08-28
申请号：JP1612483A
申请日：1983-02-04
CPC分类号： H01L29/1025 , H01L29/1066
摘要： PURPOSE:To obtain a field effect thyristor which has a low pinch off voltage and is excellent in both forward directional voltage drop and switching characteristic by forming a transvers edirectional channel part between a buried gate region and a surface gate region. CONSTITUTION:A p type region serving as the buried gate region 18 is formed on the surface of an n type semiconductor substrate 11, and an n type high resistant layer is formed thereon by epitaxial growing method. The surface gate region 14 is formed on the surface of the epitaxial layer by a selective diffusion method, and then the width of the channel part 21 is controlled by controlling the diffusion depth. An n type cathode region 13 is formed on the surface of the epitaxial layer by selective diffusion. The formation of the channel part of a narrow width and a long length can be easily performed, and the inside of the channel can be depleted at a low gate voltage, thus enabling the pinch off of the current.

5. 发明专利

JPS59150474A Semiconductor device 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JPS59150474A
公开(公告)日：1984-08-28
申请号：JP1612483
申请日：1983-02-04
申请人： Toshiba Corp
发明人： YOSHIDA JIROU
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/1025 , H01L29/1066
摘要： PURPOSE:To obtain a field effect thyristor which has a low pinch off voltage and is excellent in both forward directional voltage drop and switching characteristic by forming a transvers edirectional channel part between a buried gate region and a surface gate region. CONSTITUTION:A p type region serving as the buried gate region 18 is formed on the surface of an n type semiconductor substrate 11, and an n type high resistant layer is formed thereon by epitaxial growing method. The surface gate region 14 is formed on the surface of the epitaxial layer by a selective diffusion method, and then the width of the channel part 21 is controlled by controlling the diffusion depth. An n type cathode region 13 is formed on the surface of the epitaxial layer by selective diffusion. The formation of the channel part of a narrow width and a long length can be easily performed, and the inside of the channel can be depleted at a low gate voltage, thus enabling the pinch off of the current.
摘要翻译：目的：通过在掩埋栅极区域和表面栅极区域之间形成横向方向沟道部分，获得具有低截止电压并且具有优异的正向压降和开关特性的场效应晶闸管。构成：在n型半导体衬底11的表面上形成用作掩埋栅区18的p型区，并通过外延生长法在其上形成n型高阻层。通过选择性扩散方法在外延层的表面上形成表面栅极区域14，然后通过控制扩散深度来控制沟道部分21的宽度。通过选择性扩散在外延层的表面上形成n型阴极区域13。可以容易地形成窄宽度和长度的沟道部分，并且可以在低栅极电压下耗尽沟道的内部，从而能够夹断电流。

6. 发明专利

JP5482745B2 Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5482745B2
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：JP2011174774
申请日：2011-08-10
申请人：株式会社デンソー
发明人：有一竹内 , 巨裕鈴木
IPC分类号： H01L21/337 , H01L21/338 , H01L27/098 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/0465 , H01L27/098 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0638 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1025 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66909 , H01L29/78 , H01L29/8083

7. 发明专利

JP4250144B2 Semiconductor device and manufacturing method thereof having a channel conduction region highly doped 有权
公开(公告)号：JP4250144B2
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：JP2004569454
申请日：2003-03-19
申请人：サイスドエレクトロニクスデヴェロプメントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニコマンディートゲゼルシャフト
发明人：エルペルト、ルドルフ , シェルナー、ラインホルト , ミットレーナー、ハインツ
IPC分类号： H01L21/337 , H01L21/04 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L29/772 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L29/0634 , H01L29/1025 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/66053 , H01L29/66068 , H01L29/7392 , H01L29/7722 , H01L29/7828 , H01L29/8083 , H01L29/8122
摘要： The invention relates to a semiconductor structure for controlling a current (I), comprising a first n-conductive semiconductor region (2), a current path that runs within the first semiconductor region (2) and a channel region (22). The channel region (22) forms part of the first semiconductor region (2) and comprises a base doping. The current (I) in the channel region (22) can be influenced by means of at least one depletion zone (23, 24). The channel region (22) contains an n-conductive channel region (225) for conducting the current, said latter region having a higher level of doping than the base doping. The conductive channel region (225) is produced by ionic implantation in an epitaxial layer (262) that surrounds the channel region (22).

8. 发明专利

JPS6134980A Semiconductor integrated circuit 失效
标题翻译：半导体集成电路
公开(公告)号：JPS6134980A
公开(公告)日：1986-02-19
申请号：JP15397284
申请日：1984-07-26
申请人： Kaoru Mototani , Junichi Nishizawa , Res Dev Corp Of Japan
发明人： NISHIZAWA JUNICHI , MOTOTANI KAORU
IPC分类号： H01L29/80 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/082 , H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/43 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7722 , H01L27/0605 , H01L29/1025 , H01L29/205 , H01L29/432
摘要： PURPOSE:To obtain a rapid and low-power semiconductor integrated circuit which can be highly integrated, by providing an integrated circuit whose load resistance is connected in series with a thermionic emitting SIT. CONSTITUTION:A thermionic emitting SIT30 having normally-OFF properties has a load resistance 31, an input terminal 20, a grounding terminal 21, an output terminal 22 and a power input 23. When the input is zero and when the thermionic emitting SIT30 is OFF, the level becomes high in the output terminal 22. When the input becomes high, the SIT30 is turned ON and the level becomes low in the output terminal 22. Thus, the SIT30 performs so-called invertor operation. The current flowing through the circuit depends on the value of the load resistance 31. For example, when VDD is 1V and the load resistance is 1kOMEGA, the current is on the order of 1mA. Accordingly, the ON voltage of the thermionic emitting SIT30 becomes very low.
摘要翻译：目的：通过提供负载电阻与热电子发射SIT串联连接的集成电路，获得可以高度集成的快速和低功耗半导体集成电路。构成：具有常关特性的热离子发射SIT30具有负载电阻31，输入端子20，接地端子21，输出端子22和电源输入23.当输入为零并且当热离子发射SIT30为OFF时，输出端子22的电平变高。当输入变为高电平时，SIT30导通，输出端子22的电平变低。因此，SIT30执行所谓的反相器操作。流过电路的电流取决于负载电阻31的值。例如，当VDD为1V，负载电阻为1kOMEGA时，电流约为1mA。因此，热离子发射SIT30的导通电压变得非常低。

9. 发明专利

JP2018536291A ハロゲン化銅半導体基盤電子素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018536291A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2018528052
申请日：2016-11-30
申请人：ペタラックスインコーポレイテッド
发明人：アン、ドヨル , パク、サンジュン , ヤン、スンヒョン , ソン、ジンドン
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/242 , H01L29/10 , H01L29/1025 , H01L29/78
摘要：本発明は低費用、高生産性を有する高出力高速電子素子を提供する。このような電子素子はハロゲン化銅半導体基盤電子素子であって、基板、ハロゲン化銅チャンネル層、絶縁層、ゲート電極、第1n+ハロゲン化銅層、ドレイン電極、第2n+ハロゲン化銅層及びソース電極を含む。前記ハロゲン化銅(CuHa)チャンネル層は前記基板上部に形成される。前記絶縁層は前記ハロゲン化銅チャンネル層上部に形成される。前記ゲート電極は前記絶縁層上部に形成される。前記第1n+ハロゲン化銅は前記ゲート電極の一側に位置するように前記ハロゲン化銅層上部に形成される。前記第2n+ハロゲン化銅層は前記ゲート電極の他側に位置するように前記ハロゲン化銅チャンネル層に形成され、n型不純物を含む。前記ソース電極は前記第2n+ハロゲン化銅層上部に形成される。【選択図】図1

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