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2. 发明专利

JPWO2014038128A1 半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014038128A1
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2014512980
申请日：2013-08-02
申请人：パナソニックIpマネジメント株式会社
发明人：川北　晃司 , 晃司川北 , 享澤田 , 享澤田 , 中谷　誠一 , 誠一中谷 , 山下　嘉久 , 嘉久山下
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L24/32 , H01L23/3677 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L33/60 , H01L33/647 , H01L2224/0346 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05567 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/14 , H01L2224/2746 , H01L2224/2784 , H01L2224/32113 , H01L2224/3224 , H01L2224/3226 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48639 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2224/49107 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/2075 , H01L2924/351 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H01L2224/03 , H01L2924/00015 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
摘要：本発明の半導体装置は、半導体素子、および、半導体素子に電気的に接続された金属緩衝層を有して成る。本発明の半導体装置では、金属緩衝層と半導体素子とが相互に面接触するような形態で金属緩衝層と半導体素子とが接続されている。また、金属緩衝層が、二次実装基板への実装に用いられる外部接続端子になっていると共に、二次実装基板と半導体素子との間にて応力緩和作用を有する緩衝部材ともなっている。
摘要翻译：本发明中，半导体器件，和包括电连接到所述半导体元件的金属缓冲层的半导体器件。在本发明中，金属缓冲层和半导体元件的半导体装置被连接到在形式的金属缓冲层和半导体元件，使得相互表面接触。此外，金属缓冲层，与具有用于安装在辅助安装板上的外部连接端子，这也成为具有在第二安装板和所述半导体元件之间的应力缓和效果的缓冲构件。

3. 发明专利

KR20210027848A KR20210027848A - Micro led display and manufacturing method thereof 审中-公开
公开(公告)号：KR20210027848A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190108845A
申请日：2019-09-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병훈 , 민성용 , 이창준 , 구자명
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L24/95 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/50 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/32113 , H01L2224/32145 , H01L2224/32238 , H01L2224/83005 , H01L2224/83224 , H01L2224/95001 , H01L2933/0066 , H01L33/62
摘要： 본 개시의 다양한 실시예는 캐리어 기판의 제1면에 광열 변환층이 도포되는 제1과정; 상기 광열 변환층 상에 제1접착층이 형성되는 제2과정; 상기 제1접착층 상에 복수 개의 마이크로 엘이디 칩들이 정렬되는 제3과정; 상기 복수 개의 마이크로 엘이디 칩들을 회로 기판 상에 제1거리로 위치시키는 제4과정; 상기 복수 개의 마이크로 엘이디 칩들에 레이져를 조사하는 제5과정; 및 상기 광열 변환층에 의해 상기 제1접착층이 변형되어서, 상기 복수 개의 마이크로 엘이디 칩들이 상기 제1접착층에서 이탈하여 상기 회로 기판 상에 부착되는 제6과정을 포함할 수 있다. 그 밖에 다양한 실시예들이 가능하다.

4. 发明专利

JPWO2014141399A1 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JPWO2014141399A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015505139
申请日：2013-03-13
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：憲宗織本 , 憲宗織本 , 今井　誠 , 誠今井
IPC分类号： H01L21/52 , H01L23/40
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/26175 , H01L2224/29036 , H01L2224/291 , H01L2224/32014 , H01L2224/32113 , H01L2224/32245 , H01L2224/83129 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83815 , H01L2924/10161 , H01L2924/10272 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15159 , H01L2924/15165 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：本明細書は、半導体装置を開示する。その半導体装置は、平面視すると矩形状の半導体素子と、半導体素子が固定される被固定部材と、を備えている。半導体素子は、その矩形状の面を被固定部材の表面に向けて配置されている。半導体素子の矩形状の面は、一部において被固定部材の表面に固定されており、該矩形状の面の少なくとも角部は、被固定部材の表面に固定されていない。上記の半導体装置では、半導体装置の温度が変化した場合に熱応力が生じ易い半導体素子の角部と、被固定部材とが互いに固定されていない。これにより、半導体素子に生じる熱応力を低減することができる。また、半導体素子の角部と被固定部材とが互いに固定されない構成とするだけなので、半導体装置の体格の増大を抑制することができる。
摘要翻译：本说明书公开的半导体器件。其半导体器件包括：在平面图中的矩形半导体元件，并在其上的半导体元件固定在固定部件。半导体元件被布置朝向所述固定构件和所述矩形表面的表面上。半导体元件的矩形表面在一些被固定到所述固定部件的表面，该表面的至少拐角部分矩形状不被固定到所述固定构件的表面上。在前述的半导体器件中，半导体装置的温度和热应力的角部易于发生半导体装置时的变化是不固定和固定构件到彼此。因此，能够降低在半导体元件产生的热应力。此外，由于只有一种结构，其中所述半导体元件和所述固定构件的角部不固定于彼此，能够抑制半导体装置的尺寸的增加。

5. 发明专利

JP2013225654A Semiconductor laser device 有权
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：JP2013225654A
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：JP2013009484
申请日：2013-01-22
申请人： Nichia Chem Ind Ltd , 日亜化学工業株式会社
发明人： FUJIMOTO HIDEYUKI , NAKAGAKI MASATOSHI
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02272 , H01L24/27 , H01L24/31 , H01L2224/27005 , H01L2224/32113 , H01L2224/48091 , H01S5/02236 , H01S5/02268 , H01S5/024 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a far field pattern (FFP) from being adversely influenced by interruption of light from a semiconductor laser chip by another member.SOLUTION: A semiconductor laser device 100 includes, in order, a base 10, a first conductive layer 21, a second conductive layer 22, a third conductive layer 23 and a semiconductor laser chip 30 which have emission side ends and reflection side ends, respectively. The first conductive layer 21 has the emission side end coincident with the emission side end of the base 10, and has an external connection region 21a for electrical connection to the outside. The second conductive layer 22 is formed in a region different from the external connection region 21a of the first conductive layer so as to be thicker than the first conductive layer 21, and has the emission side end formed so as to be positioned inside the emission side end of the first conductive layer 21. The third conductive layer 23 has the emission side end formed so as to be coincident with the emission side end of the second conductive layer 22. The semiconductor laser chip 30 has the emission side end formed so as to be positioned outside the emission side end of the third conductive layer 23.
摘要翻译：要解决的问题：为了防止远场图案（FFP）受到来自另一个构件的半导体激光器芯片的中断的不利影响。解决方案：半导体激光器装置100依次包括基底10，第一导电层21，第二导电层22，第三导电层23和半导体激光芯片30，其分别具有发射侧端和反射端。第一导电层21具有与基底10的发射侧端一致的发射侧端部，并且具有用于与外部电连接的外部连接区域21a。第二导电层22形成在与第一导电层的外部连接区域21a不同的区域中，以比第一导电层21更厚，并且具有形成为位于发射侧内侧的发射侧端第三导电层23具有形成为与第二导电层22的发射侧端一致的发射侧端。半导体激光器芯片30的发射侧端形成为位于第三导电层23的发射侧端的外侧。

6. 发明专利

JP6206494B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6206494B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2015522857
申请日：2014-06-12
申请人：富士電機株式会社
发明人：中村瑶子 , 梨子田典弘
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/12 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/32 , H01L24/01 , H01L24/33 , H01L25/0655 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K1/181 , H05K3/341 , H01L2224/28105 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32113 , H01L2224/32225 , H01L2224/32258 , H01L2224/33181 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1431 , H01L2924/181 , H01L2924/351

8. 发明专利

JPWO2014203798A1 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JPWO2014203798A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015522857
申请日：2014-06-12
申请人：富士電機株式会社
发明人：瑶子中村 , 典弘梨子田
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L24/32 , H01L24/01 , H01L24/33 , H01L25/0655 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/28105 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32113 , H01L2224/32225 , H01L2224/32258 , H01L2224/33181 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1431 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K1/181 , H05K3/341 , H01L2924/00012
摘要：導電ポストおよびプリント配線板を用いて、半導体チップへの電気配線を行う半導体装置において、半導体チップにかかる応力を緩和し、信頼性を向上させる。絶縁板および回路板を有する絶縁基板と、おもて面に電極を有し、裏面が前記回路板に固定されている半導体チップと、金属層を有し、前記絶縁基板に対向したプリント基板と、前記電極に配置されている導電性の接合材と、先端部が前記接合材を介して前記電極に電気的かつ機械的に接続され、根元部が前記金属層に電気的かつ機械的に接続され、前記先端部の表面が中央部の表面よりも溶融した前記接合材に対して濡れ角が小さい導電ポストとを備える。
摘要翻译：使用导电柱和所述印刷电路板，用于电气布线的半导体芯片的半导体器件，以减轻施加到半导体芯片，从而提高可靠性的应力。具有绝缘板，并且具有前表面上的电极的电路基板的绝缘基板，将半导体芯片后表面固定到所述电路板具有金属层，和印刷电路板相对的绝缘基板设置在所述电极上的导电性接合材料，电和机械通过结合材料连接到电极尖端，电和机械地连接在金属层内根部是，尖端和导电柱润湿角的表面是相对于它从中央部的表面熔融的接合材料小。

9. 发明专利

JP2015079962A チップの共晶はんだ構造审中-公开
标题翻译：保护式焊接结构
公开(公告)号：JP2015079962A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2014212117
申请日：2014-10-16
申请人：隆達電子股▲ふん▼有限公司
发明人：陳怡君
IPC分类号： B23K1/14 , B23K1/00 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/32 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/276 , H01L2224/2783 , H01L2224/29005 , H01L2224/29012 , H01L2224/29013 , H01L2224/29016 , H01L2224/29023 , H01L2224/29076 , H01L2224/2908 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32054 , H01L2224/32056 , H01L2224/32113 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042
摘要：【課題】比較的低温でチップを接合できるチップの共晶はんだ構造を提供する。【解決手段】チップの共晶はんだ構造であって、基板と、前記基板上にあり、複数の第1の金属層と複数の第2の金属層の交互の積層を含み、前記各第2の金属層は、連続領域と複数の開口を有し、前記複数の第2の金属層の融点は、前記複数の第1の金属層の融点より高いはんだ構造と、前記はんだ構造上に配置され、前記はんだ構造の共晶反応によって前記基板に接合されたチップと、を含むチップの共晶はんだ構造。【選択図】図1F
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在相对较低温度下接合芯片的芯片的共晶焊料结构。解决方案：芯片的共晶焊料结构包括基板，基板上的焊料结构，其包括：多个第一金属层和多个第二金属层，其中每个第二金属层具有连续区域和多个开口，并且多个第二金属层的熔点高于多个第一金属层的熔点以及布置在焊料结构上并通过焊料结构的共晶反应而结合到衬底的芯片。

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